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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（ih）（IH））	测试条件	获得	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	scr	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）	（ID） - 最大
BZX84C11_D87Z	-	RFQ	4503	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		BZX84C11			350兆	SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000																									900 mv @ 10 ma	100 na @ 8 V												11 V	20欧姆
NVTYS006N06CLTWG	0.7327	RFQ	9479	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-12205，8-LFPAK56				MOSFET （金属 o化物）		8-lfpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NVTYS006N06CLTWGTR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道							60 V	16a（16a），71A（71A）（TC）	4.5V，10V	6.8mohm @ 35a，10v	2V @ 53µA	19 nc @ 10 V	±20V	1330 pf @ 25 V	-	3.2W（TA），63W（tc）
TIG111BF	-	RFQ	7671	Onmi	-	包	过时的		-	通过洞	TO-220-3完整包		提格111	标准		2 w	TO-220FI（LS）	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100				300V，10A，30OHM，15V																							npt	600 v	23 a	92 a	2V @ 15V，10a	-	63 NC	43NS/175NS
S1MMSD4148T1G	0.0500	RFQ	477	Onmi	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0070	3,000
NTBG025N065SC1	22.3500	RFQ	800	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA		NTBG025		sicfet （碳化硅）		D2PAK-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道							650 v	106a（TC）	15V，18V	28.5mohm @ 45a，18v	4.3V @ 15.5mA	164 NC @ 18 V	+22V，-8V	3480 pf @ 325 V	-	395W（TC）
MCH3377-S-TL-E	-	RFQ	1190	Onmi	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的						MCH33					-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
2N6397T	-	RFQ	7629	Onmi	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-3		2N6397				TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	50			50 mA																400 v	12 a	1.5 v	100A @ 60Hz	30 ma	标准恢复
NVTFWS012P03P8ZTAG	0.3713	RFQ	3171	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn				MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NVTFWS012P03P8ZTAGTR	Ear99	8541.29.0095	1,500		P通道							30 V	7a（ta）	4.5V，10V	11.3mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±25V	1535 pf @ 15 V	-	860MW（TA）
2SC4520S-TD-E	0.2000	RFQ	39	Onmi	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	1,000
FDC6561AN-NB5S007A	1.1000	RFQ	22	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6		FDC6561		MOSFET （金属 o化物）	700MW（TA）	SuperSot™-6	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	根据要求获得可用的信息	2832-FDC6561AN-NB5S007ATR	Ear99	8541.29.0095	455	2 n 通道（双）								30V	2.5a（ta）		95MOHM @ 2.5a，10V	3V @ 250µA	3.2nc @ 5V		220pf @ 15V	逻辑级别门
NTTFS6H854NLTAG	0.9100	RFQ	2043	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn		NTTFS6		MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道							80 V	10a（10a），41A（41A）（TC）	4.5V，10V	13.4mohm @ 10a，10v	2V @ 45µA	17 NC @ 10 V	±20V	902 PF @ 40 V	-	3.2W（TA），54W（TC）
2SC4984T-TD-E	0.1700	RFQ	8	Onmi	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	1,000
MM5Z9V1	-	RFQ	6144	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±6％	-55°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523F		MM5Z9			200兆	SOD-523F	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	8,000																										200 na @ 7 V												9.1 v	15欧姆
BZX84C47ET1	-	RFQ	7831	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±6％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		BZX84C47			225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																									900 mv @ 10 ma	50 NA @ 32.9 V												47 V	170欧姆
NVTFS5C454NLTAG	1.5600	RFQ	1821年	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn		NVTFS5		MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道							40 V	85A（TC）	4.5V，10V	4mohm @ 20a，10v	2.2V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	1600 pf @ 25 V	-	55W（TC）
2SK596S-C	-	RFQ	7342	Onmi	-	包	过时的		150°C（TJ）	通过洞	SC-72		2SK596			100兆	3-SPA	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	500		n通道														4.1pf @ 5V																			210 µA @ 5 V	500 mV @ 1 µA											1 MA
MMSZ5255BT1G	0.2100	RFQ	166	Onmi	mmsz52xxxt1g	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123		MMSZ525			500兆	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																									900 mv @ 10 ma	100 na @ 21 V												28 V	44欧姆
FDMC86184	2.1500	RFQ	596	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn		FDMC86		MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道							100 v	57A（TC）	6V，10V	8.5mohm @ 21a，10v	4V @ 110µA	20 NC @ 6 V	±20V	2090 pf @ 50 V	-	54W（TC）
NVD5C446NT4G	2.3300	RFQ	6989	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		NVD5C4		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NVD5C446NT4GTR	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道							40 V	22a（22A），105a（tc）	10V	3.5MOHM @ 50a，10v	4V @ 250µA	34.3 NC @ 10 V	±20V	2300 PF @ 25 V	-	3.1W（TA），66W（tc）
FGH50N3	-	RFQ	7596	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		FGH50	标准		463 w	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	450				180V，30a，5ohm，15V																							pt	300 v	75 a	240 a	1.4V @ 15V，30a	130µJ（在）上，92µJ（92µJ）	180 NC	20NS/135NS
FPDB20PH60	-	RFQ	4188	Onmi	-	管子	过时的			通过洞	27-PowerDip 模块（1.205英寸，30.60mm）	IGBT	FPDB20					下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	10	2期					12 a	600 v	2500vrms
NTNS3A65PZT5G	-	RFQ	5314	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN		NTNS3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-883（XDFN3）（1x0.6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000		P通道							20 v	281ma（ta）	1.5V，4.5V	1.3OHM @ 200MA，4.5V	1V @ 250µA	1.1 NC @ 4.5 V	±8V	44 pf @ 10 V	-	155MW（TA）
FJV4103RMTF	-	RFQ	2831	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		FJV410			200兆	SOT-23-3	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																												50 V	100 ma								100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	56 @ 5mA，5V	200 MHz	22 KOHMS	22 KOHMS
NTZS3151PT1H	-	RFQ	3355	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666		NTZS3151		MOSFET （金属 o化物）		SOT-563	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000		P通道							20 v	860ma（ta）	1.8V，4.5V	150MOHM @ 950mA，4.5V	1V @ 250µA	5.6 NC @ 4.5 V	±8V	458 pf @ 16 V	-	170MW（TA）
SZMM3Z27VT1G	0.4500	RFQ	30	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-76，SOD-323		SZMM3			300兆	SOD-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																									900 mv @ 10 ma	50 na @ 18.9 V												27 V	80欧姆
NTMYS8D0N04CTWG	2.9000	RFQ	4	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-1023，4-LFPAK		NTMYS8		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK4（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道							40 V	（16A）（ta），49a （TC）	10V	8.1MOHM @ 15A，10V	3.5V @ 30µA	10 NC @ 10 V	±20V	625 pf @ 25 V	-	3.8W（38W），38W（tc）
2SA1778-3-TB-E	0.1700	RFQ	80	Onmi	-	大部分	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					250MW	3-CP	-	不适用				Ear99	8541.21.0075	3,000					13DB																							15V	50mA											PNP		60 @ 5mA，10v	1.2GHz			2.5db @ 400MHz
DSA17C	0.1000	RFQ	14	Onmi	*	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	1
EC4404C-TL	0.0800	RFQ	2	Onmi	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	10,000
ECH8655R-TL-H	0.7700	RFQ	3	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅		ECH8655		MOSFET （金属 o化物）	1.5W	8-ech	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）								24V	9a		17mohm @ 4.5A，4.5V	-	16.8nc @ 10V		-	逻辑级别门

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²