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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	电压 -额定值	工作温度	申请	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻 @ if，f	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
FDMS9410L-F085	-	RFQ	4655	Onmi	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	8-Powervdfn	FDMS94		MOSFET （金属 o化物）		Power56	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道			40 V	50A（TC）	10V	4.1MOHM @ 50a，10v	3V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	1960 pf @ 20 V	-	75W（TJ）
NUS5531MTR2G	-	RFQ	1940年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		20V PNP，12V P通道		通用目的	表面安装	8-WDFN暴露垫	NUS5531				8-wdfn （3x3）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			2A PNP，5.47AP通道																														PNP，P通道
NTMFS4C05NAT1G	0.6331	RFQ	6225	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道			30 V	21.7a（ta），78a tc）	4.5V，10V	3.4mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	1972 pf @ 15 V	-	2.57W（TA），33W（tc）
KSC2787RTA	-	RFQ	2447	Onmi	-	（TB）	过时的			150°C（TJ）		通过洞	TO-226-3，TO-92-3	KSC2787			250兆	TO-92S	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																				30 V	50 mA								100NA（ICBO）				NPN	300mv @ 1mA，10mA	40 @ 1mA，6v	300MHz
NTD95N02RG	-	RFQ	7181	Onmi	-	管子	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTD95		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道			24 V	12a（12a），32a （TC）	4.5V，10V	5mohm @ 20a，10v	2V @ 250µA	21 NC @ 4.5 V	±20V	2400 PF @ 20 V	-	1.25W（ta），86W（tc）
DTA143TET1	1.0000	RFQ	4812	Onmi	*	大部分	积极的							DTA143					下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
BZX55C11_T50A	-	RFQ	3272	Onmi	-	（TB）	过时的	±5％		-65°C 〜200°C		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	BZX55C11			500兆	do-35	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000															1.3 V @ 100 mA		100 na @ 8.5 V													11 V	20欧姆
FQB22P10TM-F085	-	RFQ	3563	Onmi	汽车，AEC-Q101，QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FQB2		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		P通道			100 v	22a（TC）	10V	125mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±30V	1500 pf @ 25 V	-	3.75W（TA），125W（（tc）
NGTB40N60L2WG	6.0800	RFQ	25	Onmi	-	管子	过时的			-55°C〜175°C（TJ）		通过洞	TO-247-3	NGTB40	标准		417 w	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				400V，40a，10ohm，15V												73 ns			沟渠场停止	600 v	80 a	160 a	2.61V @ 15V，40a	1.17MJ（在）上，280µJ off）	228 NC	98NS/213NS
MMBD301LT1	-	RFQ	3058	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C〜125°C（TJ）			TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBD30				SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000														200兆				1.5pf @ 15V，1MHz									肖特基 -单身	30V				-
SMM3Z5V1RT1G	0.0200	RFQ	624	Onmi	*	大部分	积极的												-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8541.10.0050	3,000
FJP5027O	-	RFQ	8801	Onmi	-	大部分	过时的			150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3	FJP5027			50 W	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	200																				800 v	3 a								10µA（ICBO）				NPN	2V @ 300mA，1.5a	20 @ 200ma，5V	15MHz
NVH4L050N65S3F	8.1496	RFQ	5244	Onmi	SuperFet®III，FRFET®	管子	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-247-4			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-4L	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NVH4L050N65S3F	Ear99	8541.29.0095	30		n通道			650 v	58A（TC）	10V	50mohm @ 29a，10v	5V @ 1.7mA	123.8 NC @ 10 V	±30V	4855 PF @ 400 V	-	403W（TC）
2SK4088L	-	RFQ	5408	Onmi	-	包	过时的			150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3完整包	2SK4088		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FI（LS）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100		n通道			650 v	7.5A（TC）	10V	850MOHM @ 5.5A，10V	-	37.6 NC @ 10 V	±30V	1000 pf @ 30 V	-	2W（TA），37W（tc）
NTLJD2104PTBG	-	RFQ	6864	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	6-WDFN暴露垫	NTLJD21		MOSFET （金属 o化物）	700MW	6-WDFN（2x2）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）				12V	2.4a		90MOHM @ 3A，4.5V	800MV @ 250µA	8NC @ 4.5V		467pf @ 6V	逻辑级别门
FDMB3900AN	-	RFQ	8648	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	上次购买			-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	8-Powerwdfn	FDMB3900		MOSFET （金属 o化物）	800MW	8-MLP，微型FOFET （3x1.9）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）				25V	7a		23mohm @ 7a，10v	3V @ 250µA	17NC @ 10V		890pf @ 13V	逻辑级别门
MCH3312-EBM-TL-E	0.1100	RFQ	24	Onmi	*	大部分	积极的												-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	3,000
MCH5804-TL-E	0.1400	RFQ	30	Onmi	*	大部分	积极的												-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
2SD863E-AE	0.1400	RFQ	9	Onmi	*	大部分	积极的												下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	1
FQAF19N60	-	RFQ	5675	Onmi	QFET®	管子	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-3P-3	FQAF1		MOSFET （金属 o化物）		to-3pf	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	360		n通道			600 v	11.2A（TC）	10V	380MOHM @ 5.6A，10V	5V @ 250µA	90 NC @ 10 V	±30V	3600 PF @ 25 V	-	120W（TC）
2SJ632-TD-E	0.3800	RFQ	12	Onmi	*	大部分	积极的												下载		供应商不确定	到达受影响	2156-2SJ632-TD-E-488			1
FDB024N04AL7	5.0100	RFQ	800	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	FDB024		MOSFET （金属 o化物）		TO-263-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道			40 V	100A（TC）	10V	2.4mohm @ 80a，10v	3V @ 250µA	109 NC @ 10 V	±20V	7300 PF @ 25 V	-	214W（TC）
FQI16N25CTU	-	RFQ	1232	Onmi	QFET®	管子	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	FQI1		MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道			250 v	15.6A（TC）	10V	270MOHM @ 7.8A，10V	4V @ 250µA	53.5 NC @ 10 V	±30V	1080 pf @ 25 V	-	3.13W（TA），139w（tc）
NGTB20N120IHTG	4.2251	RFQ	2767	Onmi	-	管子	不适合新设计							NGTB20					-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30
NTD5865NL-1G	-	RFQ	8318	Onmi	-	管子	过时的			-55°C〜175°C（TJ）		通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	NTD58		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道			60 V	46A（TC）	4.5V，10V	16mohm @ 20a，10v	2V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	71W（TC）
NSR05T304MXT5G	-	RFQ	7848	Onmi	-	大部分	过时的												-	rohs3符合条件		到达不受影响	488-NSR05T304MXT5G	Ear99	8541.10.0070	1
NVMFS5C604NLWFAFT3G	2.7714	RFQ	8233	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计			-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道			60 V	287a（TC）	4.5V，10V	1.2MOHM @ 50a，10v	2V @ 250µA	52 NC @ 4.5 V	±20V	8900 PF @ 25 V	-	200W（TC）
FGPF45N45TTU	-	RFQ	7733	Onmi	-	管子	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3完整包	FGPF4	标准		51.6 w	TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50				-															沟	450 v		180 a	1.5V @ 15V，20A	-	100 NC	-
MMBZ5253B	-	RFQ	5477	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％		-55°C〜150°C		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBZ52			350兆	SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000															900 mv @ 10 ma		100 na @ 19 V													25 v	35欧姆
BCP53-10T1	0.2600	RFQ	46	Onmi	-	大部分	积极的			-65°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BCP53			1.5 w	SOT-223（TO-261）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																				80 V	1.5 a								-				PNP	500mv @ 50mA，500mA	63 @ 150mA，2V	50MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²