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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
FDMS8670S	-	RFQ	4690	Onmi	PoterTrench®，SyncFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		FDMS86	MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道				30 V	20A（20A），42a（tc）	4.5V，10V	3.5mohm @ 20a，10v	3V @ 1mA	73 NC @ 10 V	±20V	4000 pf @ 15 V	-	2.5W（ta），78W（tc）
NFAL3512L5B	-	RFQ	8047	Onmi	SPM®	管子	过时的			通过洞	30-PowerDip 模块（1.385英寸，35.17毫米）	IGBT	NFAL3512				下载	rohs3符合条件		到达不受影响	488-NFAL3512L5B	Ear99	8542.39.0001	6	1期逆变器			35 a	1.2 kV	2500vrms
FDMD8240L	3.6600	RFQ	6	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	12-Powerwdfn		FDMD8240	MOSFET （金属 o化物）	2.1W	12-Power3.3x5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）						40V	23a		2.6MOHM @ 23A，10V	3V @ 250µA	56nc @ 10V		4230pf @ 20V	-
NSS20501UW3TBG	0.2575	RFQ	5423	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-WDFN暴露垫		NSS20501		875 MW	3-WDFN （2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																							20 v	5 a	100NA（ICBO）			NPN	125MV @ 400mA，4a	200 @ 2a，2v	150MHz
BZX55C11	-	RFQ	9522	Onmi	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		BZX55C11		500兆	do-35	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000																		1.3 V @ 100 mA	100 na @ 8.5 V							11 V	20欧姆
SSH22N50A	-	RFQ	8189	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		SSH22	MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道				500 v	22a（TC）	10V	250mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	236 NC @ 10 V	±30V	5120 PF @ 25 V	-	278W（TC）
FDP120N10	2.6100	RFQ	16	Onmi	PowerTrench®	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		FDP120	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道				100 v	74A（TC）	10V	12MOHM @ 74A，10V	4.5V @ 250µA	86 NC @ 10 V	±20V	5605 pf @ 25 V	-	170W（TC）
FQD7N10LTM	0.6500	RFQ	7725	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		FQD7N10	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道				100 v	5.8A（TC）	5V，10V	350MOHM @ 2.9a，10V	2V @ 250µA	6 NC @ 5 V	±20V	290 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
NTR4501NT1	-	RFQ	7048	Onmi	-	（CT）	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		NTR450	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道				20 v	3.2A（ta）		80MOHM @ 3.6A，4.5V	1.2V @ 250µA	6 NC @ 4.5 V		200 pf @ 10 V	-
FQD2N30TM	-	RFQ	8625	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		FQD2	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道				300 v	1.7A（TC）	10V	3.7OHM @ 850mA，10V	5V @ 250µA	5 NC @ 10 V	±30V	130 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
FQD3P20TM	-	RFQ	4060	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		FQD3	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道				200 v	2.4A（TC）	10V	2.7OHM @ 1.2A，10V	5V @ 250µA	8 nc @ 10 V	±30V	250 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），37W（TC）
FQP17N40	-	RFQ	9388	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		FQP17	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道				400 v	16A（TC）	10V	270MOHM @ 8A，10V	5V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±30V	2300 PF @ 25 V	-	170W（TC）
NTP45N06G	-	RFQ	2603	Onmi	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		NTP45N	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载		（1 （无限）	到达不受影响	NTP45N06GOS	Ear99	8541.29.0095	50			n通道				60 V	45A（TA）	10V	26mohm @ 22.5a，10v	4V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±20V	1725 PF @ 25 V	-	2.4W（ta），125W（（（（（（）
FSBB30CH60F	-	RFQ	4544	Onmi	motionspm®3	管子	过时的			通过洞	27-PowerDip 模块（1.205英寸，30.60mm）	IGBT	FSBB30				下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	60	3期			30 a	600 v	2500vrms
NTS1245MFST1G	-	RFQ	6718	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	8-Powertdfn，5个线索		NTS1245	肖特基		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）															45 v	570 mv @ 12 a	120 µA @ 45 V	-55°C〜150°C	12a	-
MM3Z3V3B	0.2300	RFQ	332	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F		MM3Z3V3		200兆	SOD-323F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																		1 V @ 10 mA	4.5 µA @ 1 V							3.3 v	89欧姆
FDPF3N50NZ	1.3800	RFQ	976	Onmi	Unifet-II™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		FDPF3	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道				500 v	3A（TC）	10V	2.5OHM @ 1.5A，10V	5V @ 250µA	9 NC @ 10 V	±25V	280 pf @ 25 V	-	27W（TC）
SZNZ8F9V1MX2WT5G	0.0456	RFQ	8811	Onmi	汽车，AEC-Q101，NZ8F	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	2-XDFN				250兆	2-x2dfnw（（1x0.6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-SZNZ8F9V1MX2WT5GTR	Ear99	8541.10.0050	8,000																		900 mv @ 10 ma	500 na @ 6 V							9.1 v	30欧姆
SZ1SMB5932BT3G	0.8300	RFQ	6	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB		SZ1SMB5932		3 W	SMB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	2,500																		1.5 V @ 200 ma	1 µA @ 15.2 V							20 v	14欧姆
FDC6561AN	0.6600	RFQ	3114	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6		FDC6561	MOSFET （金属 o化物）	700MW	SuperSot™-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）						30V	2.5a		95MOHM @ 2.5a，10V	3V @ 250µA	3.2nc @ 5V		220pf @ 15V	逻辑级别门
FQU1N60TU	-	RFQ	3915	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		FQU1	MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,040			n通道				600 v	1A（TC）	10V	11.5ohm @ 500mA，10v	5V @ 250µA	6 NC @ 10 V	±30V	150 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），30W（tc）
2SC4413-TL-E	0.3300	RFQ	174	Onmi	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
NTLUD3A50PZTAG	0.8800	RFQ	4	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫		ntlud3	MOSFET （金属 o化物）	500MW	6-udfn （2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）						20V	2.8a		50mohm @ 4A，4.5V	1V @ 250µA	10.4NC @ 4.5V		920pf @ 15V	逻辑级别门
2SJ652-1E	-	RFQ	1252	Onmi	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		2SJ652	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3SG	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			P通道				60 V	28a（28a）	4V，10V	38mohm @ 14a，10v	-	80 NC @ 10 V	±20V	4360 pf @ 20 V	-	2W（TA），30W（TC）
NTMFS4921NT1G	-	RFQ	7605	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索		NTMFS4	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道				30 V	8.8a（ta），58.5a tc）	4.5V，11.5V	6.95mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	25 NC @ 11.5 V	±20V	1400 pf @ 12 V	-	870MW（TA），38.5W（tc）
MUN2231T1G	0.0257	RFQ	1676年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MUN2231		338 MW	SC-59	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																							50 V	100 ma	500NA			npn-预先偏见	250mv @ 5mA，10mA	8 @ 5mA，10v		2.2 kohms	2.2 kohms
FSBM15SH60A	-	RFQ	5148	Onmi	SPM®		过时的			通过洞	32-PowerDip 模块（1.370英寸，34.80mm）	IGBT	FSBM15				下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	48	3期			15 a	600 v	2500vrms
FQPF19N10	1.3400	RFQ	797	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		FQPF19	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道				100 v	13.6A（TC）	10V	100mohm @ 6.8a，10v	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±25V	780 pf @ 25 V	-	38W（TC）
NTMFS4121NT3G	-	RFQ	3638	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索		NTMFS4	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	5,000			n通道				30 V	11a（11a）	4.5V，10V	5.25MOHM @ 24A，10V	2.5V @ 250µA	40 NC @ 4.5 V	±20V	2700 PF @ 24 V	-	900MW（TA）
FQI3N25TU	-	RFQ	2973	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		FQI3	MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道				250 v	2.8A（TC）	10V	2.2OHM @ 1.4A，10V	5V @ 250µA	5.2 NC @ 10 V	±30V	170 pf @ 25 V	-	3.13W（TA），45W（（（（（（（（（（

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²