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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	测试条件	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	scr	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻-RDS（（在）
BZX55C3V0_T50R	-	RFQ	8444	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±7％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		BZX55C3			500兆	do-35	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000																											1.3 V @ 100 mA		4 µA @ 1 V														3 V	85欧姆
FGB3440G2-F085	-	RFQ	7505	Onmi	汽车，AEC-Q101，Ecospark®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		FGB3440	逻辑		166 w	d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800					-																												-	400 v	26.9 a	1.2V @ 4V，6A	-	24 NC	1µs/5.3µs
NVJD5121NT1G-M06	0.3900	RFQ	6448	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363		NVJD5121		MOSFET （金属 o化物）	250MW（TA）	SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）								60V	295ma（ta）		1.6ohm @ 500mA，10v	2.5V @ 250µA	0.9NC @ 4.5V		26pf @ 20V	-
FDI8442	-	RFQ	8484	Onmi	PowerTrench®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		FDI8442		MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400			n通道						40 V	23A（23A），80a tc（TC）	10V	2.9MOHM @ 80A，10V	4V @ 250µA	235 NC @ 10 V	±20V	12200 PF @ 25 V	-	254W（TC）
NTB22N06LT4	-	RFQ	7256	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		NTB22		MOSFET （金属 o化物）		D²Pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道						60 V	22a（22a）	5V	65mohm @ 11a，5v	2V @ 250µA	20 nc @ 5 V	±10V	690 pf @ 25 V	-	60W（TJ）
HUFA76413D3	-	RFQ	1890年	Onmi	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		HUFA76		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道						60 V	20A（TC）	4.5V，10V	49mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±16V	645 pf @ 25 V	-	60W（TC）
MM3Z47VT1G	0.0300	RFQ	64	Onmi	*	大部分	积极的											下载		供应商不确定	到达不受影响				1
FDPF10N50FT	1.7000	RFQ	165	Onmi	Unifet™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		FDPF10		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道						500 v	9A（TC）	10V	850MOHM @ 4.5A，10V	5V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±30V	1170 pf @ 25 V	-	42W（TC）
NTMFS5834NLT1G	-	RFQ	9836	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索		NTMFS5		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道						40 V	（14a）（ta），75a（tc）	4.5V，10V	9.3MOHM @ 20A，10V	3V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±20V	1231 PF @ 20 V	-	3.6W（TA），107W（tc）
MCR69-003	0.3400	RFQ	1	Onmi	-	大部分	过时的			通过洞	TO-220-3		MCR69				TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	500				50 mA															100 v	25 a	1.5 v	300A @ 60Hz	30 ma	16 a	标准恢复
FDMC8651	1.5500	RFQ	5558	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		FDMC86		MOSFET （金属 o化物）		Power33	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道						30 V	（15A）（TA），20A （TC）	2.5V，4.5V	6.1MOHM @ 15A，4.5V	1.5V @ 250µA	27.2 NC @ 4.5 V	±12V	3365 pf @ 15 V	-	2.3W（TA），41W（（（（TC）
TF009F-AC	0.0700	RFQ	320	Onmi	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	1
CPH6350-TL-W	0.4700	RFQ	2	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6		CPH6350		MOSFET （金属 o化物）		6-CPH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道						30 V	6a（6a）	4V，10V	43mohm @ 3a，10v	-	13 NC @ 10 V	±20V	600 pf @ 10 V	-	1.6W（TA）
NVMFS5C673NLT1G	-	RFQ	1452	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索		NVMFS5		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道						60 V	50A（TC）	4.5V，10V	9.2MOHM @ 25A，10V	2V @ 35µA	9.5 NC @ 10 V	±20V	880 pf @ 25 V	-	3.6W（ta），46W（tc）
NVHL027N65S3F	21.0200	RFQ	270	Onmi	汽车，AEC-Q101，SuperFet®III，FRFET®	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		NVHL027		MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道						650 v	75A（TC）	10V	27.4mohm @ 35a，10v	5V @ 3mA	227 NC @ 10 V	±30V	7780 pf @ 400 V	-	595W（TC）
BFL4004-1E	-	RFQ	9808	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		BFL40		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3F	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道						800 v	4.3A（TC）	10V	2.5OHM @ 3.25A，10V	-	36 NC @ 10 V	±30V	710 PF @ 30 V	-	2W（TA），36W（tc）
FSB50325T	-	RFQ	7331	Onmi	MOTIONSPM®5	管子	过时的			通过洞	23-PowerDip 模块（ 0.748“，19.00mm）	MOSFET	FSB503					下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	180	3期					1.5 a	250 v	1500vrms
MMBZ5248ELT3G	-	RFQ	4590	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MMBZ52			225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000																											900 mv @ 10 ma		100 na @ 14 V														18 V	21欧姆
NVMFS4C05NT3G	1.7100	RFQ	8703	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索		NVMFS4		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道						30 V	24.7a（TA），116a （TC）	4.5V，10V	3.4mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	1972 pf @ 15 V	-	3.61W（TA），79W（tc）
FDMC7692_F126	-	RFQ	9366	Onmi	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn		FDMC76		MOSFET （金属 o化物）		8-mlp（3.3x3.3）	-		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道						30 V	13.3a（TA），16a （TC）	4.5V，10V	8.5mohm @ 13.3a，10v	3V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V	1680 pf @ 15 V	-	2.3W（29W），29W（tc）
FCP099N60E	6.3300	RFQ	40	Onmi	SuperFet®II	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		FCP099		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道						600 v	37A（TC）	10V	99mohm @ 18.5a，10v	3.5V @ 250µA	114 NC @ 10 V	±20V	3465 PF @ 380 V	-	357W（TC）
FFPF30U20STU	-	RFQ	7827	Onmi	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-2完整包		FFPF30		标准		TO-220F-2L	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																								200 v	1.2 V @ 30 A	40 ns	30 µA @ 200 V	-65°C〜150°C	30a	-
MTP52N06VLG	-	RFQ	1617年	Onmi	*		过时的						MTP52					-		不适用	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	50
2SA1785E-AN	0.2400	RFQ	7	Onmi	*	大部分	积极的											下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1
NZ3F9V1T1G	-	RFQ	4825	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±6.04％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-90，SOD-323F		NZ3F9			800兆	SOD-323FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																											1.3 V @ 10 mA		200 na @ 7 V														9.1 v	45欧姆
2SA1469R-MBS-LA9	0.3000	RFQ	1	Onmi	*	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	1
NVTFS5811NLWFTAG	-	RFQ	9130	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn		NVTFS5		MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道						40 V	16A（TA）	4.5V，10V	6.7MOHM @ 20A，10V	2.2V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	1570 pf @ 25 V	-	3.2W（21W），21W（（（（（（（
FSB50660SFT	-	RFQ	6863	Onmi	motionspm®5Superfet®	管子	过时的			通过洞	23-PowerDip 模块（ 0.748“，19.00mm）	MOSFET	FSB50660					下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2832-FSB50660SFT	Ear99	8542.39.0001	180	3期					3.1 a	600 v	1500vrms
EMH2408-TL-H	-	RFQ	6914	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅		EMH2408		MOSFET （金属 o化物）	1.2W	8-emh	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）								20V	4a		45mohm @ 4A，4.5V	-	4.7nc @ 4.5V		345pf @ 10V	逻辑级别门
J174_D74Z	-	RFQ	8006	Onmi	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		J174			350兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000			P通道													-																								30 V	20 ma @ 15 V	5 V @ 10 na			85欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²