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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -故障（ v br（br）GSS）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	（CIES） @ vce	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
FDG6301N_D87Z	-	RFQ	4763	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	FDG6301		MOSFET （金属 o化物）	300MW		SC-88 （SC-70-6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000	2 n 通道（双）				25V	220mA		4ohm @ 220mA，4.5V	1.5V @ 250µA	0.4NC @ 4.5V		9.5pf @ 10V	逻辑级别门
MM5Z27VT1G	-	RFQ	4349	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±7％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523	MM5Z2			500兆		SOD-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																		900 mv @ 10 ma		50 na @ 18.9 V													27 V	80欧姆
CPH5614-TL-E-ON	0.3200	RFQ	6	Onmi	*	大部分	积极的					CPH5614		-				-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000													-
FDMS7560S	-	RFQ	6376	Onmi	PoterTrench®，SyncFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDMS7560		MOSFET （金属 o化物）			8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道		25 v	30a（30a），49a （TC）	4.5V，10V	1.45MOHM @ 30a，10V	3V @ 1mA	93 NC @ 10 V	±20V	5945 pf @ 13 V	-	2.5W（ta），89W（89W）TC）
SZMMSZ5259BT1	0.0500	RFQ	30	Onmi	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123				500兆		SOD-123	-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0050	3,000																		900 mv @ 10 ma		100 na @ 30 V													39 v	80欧姆
NTMFS5C404NT3G	-	RFQ	6714	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS5		MOSFET （金属 o化物）			5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道		40 V	53A（ta），378a （TC）	10V	0.7MOHM @ 50a，10V	4V @ 250µA	128 NC @ 10 V	±20V	8400 PF @ 25 V	-	3.9W（TA），200W（200W）TC）
NVMFD5C650NLT1G	4.8000	RFQ	9892	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	NVMFD5		MOSFET （金属 o化物）	3.5W（TA），125W（tc）		8-dfn（5x6）（SO8FL偶）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	2 n 通道（双）				60V	21a（21a），111a（tc（TC）		4.2MOHM @ 20A，10V	2.2V @ 98µA	16nc @ 4.5V		2546pf @ 25V	-
FDP047N08-F102	1.7431	RFQ	6802	Onmi	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FDP047		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道		75 v	164a（TC）	10V	4.7ohm @ 80a，10v	4.5V @ 250µA	152 NC @ 10 V	±20V	9415 PF @ 25 V	-	268W（TC）
NTMFS4846NT1G	-	RFQ	2944	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4		MOSFET （金属 o化物）			5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道		30 V	12.7A（TA），100A（tc）	4.5V，11.5V	3.4mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	53 NC @ 11.5 V	±20V	3250 pf @ 12 V	-	890MW（TA），55.5W（tc）
SZ1SMB5923BT3G	0.8300	RFQ	6383	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SZ1SMB5923			3 W		SMB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	2,500																		1.5 V @ 200 ma		5 µA @ 6.5 V													8.2 v	3.5欧姆
NZD3V6MUT5G	0.3500	RFQ	4757	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	0201（0603公制）	NZD3V6			300兆		2-x3dfn（0.6x0.3）（0201）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000																		1.1 V @ 10 mA		10 µA @ 1 V													3.6 v	100欧姆
FGPF50N30TTU	1.2620	RFQ	1949年	Onmi	-	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FGPF50	标准		46.8 w		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50				-																		沟	300 v		120 a	1.5V @ 15V，15a	-	97 NC	-
NXH50M65L4Q1PTG	-	RFQ	5583	Onmi	-	托盘	积极的		175°C（TJ）	底盘安装	模块				86 W	标准	53-pim/q2pack（93x47）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NXH50M65L4Q1PTG	Ear99	8541.29.0095	21	全桥																					沟渠场停止	650 v	48 a		2.22V @ 15V，50a					300 µA	是的			3.137 NF @ 20 V
5185-2N4392	-	RFQ	8520	Onmi	-	大部分	过时的		-	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N4392					-	-		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1			n通道									-																		40 V						60欧姆
FGA6560WDF	4.8600	RFQ	421	Onmi	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FGA6560	标准		306 w		to-3pn	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				400V，60a，6ohm，15V															110 ns			沟渠场停止	650 v	120 a	180 a	2.3V @ 15V，60a	2.46mj（在）上，520µJ off）	84 NC	25.6NS/71NS
NTH4L080N120SC1	14.6600	RFQ	7940	Onmi	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	NTH4L080		sicfet （碳化硅）			TO-247-4L	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道		1200 v	29A（TC）	20V	110mohm @ 20a，20v	4.3V @ 5mA	56 NC @ 20 V	+25V，-15V	1670 PF @ 800 V	-	170W（TC）
FDMT800152DC	3.4450	RFQ	4985	Onmi	Dual Cool™，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	FDMT800152		MOSFET （金属 o化物）			8 Dual Cool™88	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道		150 v	13a（13a），72a（tc）	6V，10V	9MOHM @ 13A，10V	4V @ 250µA	83 NC @ 10 V	±20V	5875 PF @ 75 V	-	3.2W（ta），113W（tc）
MPS2907AG	-	RFQ	2192	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	MPS290			625兆		TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	5,000																							60 V	600 MA							10NA（ICBO）						PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	200MHz
1N5935BG	-	RFQ	3841	Onmi	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5935			3 W		轴向	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	2,000																		1.5 V @ 200 ma		1 µA @ 20.6 V													27 V	23欧姆
MCH3444-TL-E	0.0700	RFQ	12	Onmi	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
BC850BLT1	-	RFQ	3406	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC850			225兆		SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																							45 v	100 ma							15NA（icbo）						NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5V	100MHz
FCD5N60TM	1.7700	RFQ	1614年	Onmi	SuperFet™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FCD5N60		MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		600 v	4.6A（TC）	10V	950MOHM @ 2.3a，10V	5V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±30V	600 pf @ 25 V	-	54W（TC）
mbrf2060cth	-	RFQ	4360	Onmi	SwitchMode™	大部分	过时的			通过洞	TO-220-3完整包	MBRF2060		肖特基			TO-220-3 FULLPACK	-	rohs3符合条件	供应商不确定	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1对普通阴极	60 V	10a	850 mv @ 10 A		150 µA @ 60 V	-65°C〜175°C
Murd620cth	-	RFQ	7438	Onmi	-	托盘	过时的			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	Murd62		标准			DPAK	-	rohs3符合条件	供应商不确定	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1对普通阴极	200 v	3a	1 V @ 3 A	35 ns	5 µA @ 200 V	-65°C〜175°C
KSD1020YBU	-	RFQ	7960	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	KSD1020			350兆		TO-92S	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																							25 v	700 MA							100NA（ICBO）						NPN	400mv @ 70mA，700mA	120 @ 100mA，1V	170MHz
BFL4001-1E	-	RFQ	6632	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	BFL40		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3 FULLPACK/TO-220F-3SG	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道		900 v	4.1A（TC）	10V	2.7OHM @ 3.25A，10V	-	44 NC @ 10 V	±30V	850 pf @ 30 V	-	2W（TA），37W（tc）
NTD250N65S3H	2.8600	RFQ	3509	Onmi	SuperFet®III	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			D-pak（TO-252）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		650 v	13A（TC）	10V	250mohm @ 6.5a，10v	4V @ 1.1mA	24 NC @ 10 V	±30V	1261 PF @ 400 V	-	106W（TC）
MZP4735ARL	-	RFQ	1602	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	MZP47			3 W		轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	6,000																		1.5 V @ 200 ma		10 µA @ 3 V													6.2 v	2欧姆
FDD5614P	-	RFQ	5259	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD5614		MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道		60 V	15A（TA）	4.5V，10V	100mohm @ 4.5A，10V	3V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±20V	759 pf @ 30 V	-	3.8W（ta），42W（tc）
SBC846BDW1T1G-M01	-	RFQ	2453	Onmi	汽车，AEC-Q101	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SBC846			380MW		SC-88/SC70-6/SOT-363	-			到达不受影响	488-SBC846BDW1T1G-M01	Ear99	8541.21.0095	1																							65V	100mA							15NA（icbo）							600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²