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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
NGTB40N65FL2WG	5.7000	RFQ	4535	Onmi	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		NGTB40	标准		366 w		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				400V，40a，10ohm，15V																		72 ns			沟渠场停止	650 v	80 a	160 a	2V @ 15V，40a	（970µJ）（在440µJ上）	170 NC	84NS/177NS
NXH450B100H4Q2F2PG	225.0600	RFQ	35	Onmi	-	托盘	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块					234 w	标准	56-PIM（93x47）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NXH450B100H4Q2F2PG	Ear99	8541.29.0095	12	2独立																								-	1000 v	101 a		2.25V @ 15V，150a				600 µA	是的			9.342 NF @ 20 V
FDMS9410-F085	-	RFQ	1214	Onmi	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		FDMS94		MOSFET （金属 o化物）			Power56	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道					40 V	50A（TC）	10V	4.4mohm @ 50a，10v	4V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±20V	1790 pf @ 20 V	-	75W（TJ）
FQU20N06TU	-	RFQ	8559	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		FQU2		MOSFET （金属 o化物）			我帕克	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,040			n通道					60 V	16.8A（TC）	10V	63mohm @ 8.4a，10v	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±25V	590 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），38W（tc）
FQAF6N90	-	RFQ	8075	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3		FQAF6		MOSFET （金属 o化物）			to-3pf	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	360			n通道					900 v	4.5A（TC）	10V	1.9OHM @ 2.3a，10V	5V @ 250µA	52 NC @ 10 V	±30V	1880 pf @ 25 V	-	96W（TC）
FDPF14N30T	-	RFQ	4193	Onmi	Unifet™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		FDPF1		MOSFET （金属 o化物）			TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道					300 v	14A（TC）	10V	290MOHM @ 7A，10V	5V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±30V	1060 pf @ 25 V	-	35W（TC）
FAM65CR51DZ2	-	RFQ	4956	Onmi	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	12-SSIP裸露的垫，形成的导线		FAM65			160 w	标准	APMCD-B16	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	12	2独立																								-	650 v	33 a		-					不			4.86 NF @ 400 V
NFA50460R47	7.4000	RFQ	7413	Onmi	MOTIONSPM®5	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装		IGBT							下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	450	3相逆变器				4 a	600 v	1500vrms
NTLGF3501NT2G	-	RFQ	3857	Onmi	Fetky™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-vdfn裸露的垫子		NTLGF3501		MOSFET （金属 o化物）			6-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道					20 v	2.8A（ta）	2.5V，4.5V	90MOHM @ 3.4A，4.5V	2V @ 250µA	10 NC @ 4.5 V	±12V	275 PF @ 10 V	-	1.14W（TA）
PN2369A_D26Z	-	RFQ	5958	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		PN236			350兆		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																										15 v	200 ma						400NA（ICBO）					NPN	500mv @ 10mA，100mA	40 @ 10mA，1V	-
FFPF12UP20DNTU	-	RFQ	8681	Onmi	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-3完整包		FFPF12		标准			TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																1对普通阴极	200 v	6a	1.15 V @ 6 A	12 ns	100 µA @ 200 V	-65°C〜150°C
NXV65HR82DZ2	28.8349	RFQ	8179	Onmi	汽车，AEC-Q101	管子	积极的			通过洞	16-SSIP裸露的垫，形成铅	MOSFET							下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NXV65HR82DZ2	Ear99	8542.39.0001	72	H桥				26 a	650 v	5000vrm
NVTFS5C673NLWFTAG	1.6500	RFQ	1640年	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn		NVTFS5		MOSFET （金属 o化物）			8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道					60 V	（13A）（TA），50A（tc）	4.5V，10V	9.8mohm @ 25a，10v	2V @ 250µA	9.5 NC @ 10 V	±20V	880 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），46W（tc）
BZX84C6V2LT3G	0.1400	RFQ	3	Onmi	BZX84CXXXLT1G	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±6％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		BZX84C6			225兆		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000																					900 mv @ 10 ma		3 µA @ 4 V												6.2 v	10欧姆
ISL9V5036S3ST_SB82170	-	RFQ	1580	Onmi	Ecospark®	大部分	过时的		-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		ISL9	逻辑		250 w		d²pak（to-263）	-		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1				300V，1KOHM，5V																					-	390 v	46 a		1.6V @ 4V，10a	-	32 NC	- /10.8µs
NVTFS5C471NLWFTAG	1.6200	RFQ	4474	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn		NVTFS5		MOSFET （金属 o化物）			8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道					40 V	41A（TC）	4.5V，10V	9mohm @ 10a，10v	2.2V @ 20µA	5.5 NC @ 4.5 V	±20V	660 pf @ 25 V	-	30W（TC）
NTMFS4849NT3G	-	RFQ	8977	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索		NTMFS4		MOSFET （金属 o化物）			5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道					30 V	10.2A（ta），71a（tc）	4.5V，11.5V	5.1MOHM @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	22 NC @ 4.5 V	±16V	2040 pf @ 12 V	-	870MW（TA），42.4W（tc）
NGTB45N60S1WG	-	RFQ	3579	Onmi	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		NGTB45	标准		300 w		TO-247-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				400V，45A，10OHM，15V																		70 ns			沟	600 v	90 a	180 a	2.4V @ 15V，45a	1.25mj（在）上，530µJ off）	125 NC	72NS/132NS
NGTG50N60FLWG	-	RFQ	4783	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		NGTG50	标准		223 w		TO-247-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				400V，50a，10ohm，15V																					沟	600 v	100 a	200 a	1.9V @ 15V，50a	1.1mj（在）上，600µJ（600µJ）	310 NC	116NS/292NS
DSB15TG	0.2000	RFQ	13	Onmi	*	大部分	积极的												下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	1
KSA642GBU	-	RFQ	9480	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）		KSA642			400兆		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,000																										25 v	300 MA						100NA（ICBO）					PNP	600mv @ 30mA，300mA	200 @ 50mA，1V	-
FNB41560	19.1000	RFQ	2369	Onmi	MOTIONSPM®45	管子	不适合新设计			通过洞	26-PowerDip 模块（1.024英寸，26.00mm）	IGBT	FNB41						下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	72	3期				15 a	600 v	2000vrms
NTMFS4D8N02HT1G	-	RFQ	2270	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索				MOSFET （金属 o化物）			5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NTMFS4D8N02HT1GTR	Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道					25 v	21a（21A），75A（tc）	4.5V，10V	4.2MOHM @ 20A，10V	2.1V @ 250µA	13.4 NC @ 10 V	±20V	780 pf @ 12 V	-	3.2W（ta），41W（TC）
ATP101-V-TL-H	-	RFQ	7760	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	atpak （2+选项卡）		ATP101		-			Atpak	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道						25A（TJ）		-	-				-	-
NTB30N20T4G	-	RFQ	8670	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		NTB30		MOSFET （金属 o化物）			D²Pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道					200 v	30a（TA）	10V	81MOHM @ 15A，10V	4V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±30V	2335 PF @ 25 V	-	2W（2W），214W（tc）
NVMFS5C468NLAFT3G	0.4424	RFQ	4579	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索		NVMFS5		MOSFET （金属 o化物）			5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道					40 V	（13A）（TA），37A （TC）	4.5V，10V	10.3MOHM @ 20A，10V	2V @ 250µA	7.3 NC @ 10 V	±20V	570 pf @ 25 V	-	3.5W（ta），28W（28W）TC）
FDG6320C_D87Z	-	RFQ	8642	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363		FDG6320		MOSFET （金属 o化物）	300MW		SC-88 （SC-70-6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000	n和p通道							25V	220mA，140mA		4ohm @ 220mA，4.5V	1.5V @ 250µA	0.4NC @ 4.5V		9.5pf @ 10V	逻辑级别门
KSC945LBU	-	RFQ	2153	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）		KSC945			250兆		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000																										50 V	150 ma						100NA（ICBO）					NPN	300mv @ 10mA，100mA	350 @ 1mA，6v	300MHz
FGPF70N30TDTU	-	RFQ	7458	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		FGPF7	标准		49.2 w		TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50				-																		21 ns			沟	300 v		160 a	1.5V @ 15V，20A	-	125 NC	-
1N4738A-T50R	-	RFQ	7532	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向		1N4738			1 w		do-41	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																							10 µA @ 6 V												8.2 v	4.5欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²