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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
FDME820NZT	0.9600	RFQ	15	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-Powerufdfn	FDME820		MOSFET （金属 o化物）		Microfet 1.6x1.6薄	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		20 v	9a（9a）	1.8V，4.5V	18mohm @ 9a，4.5V	1V @ 250µA	8.5 NC @ 4.5 V	±12V	865 pf @ 10 V	-	2.1W（TA）
1N5365BG	0.4600	RFQ	8452	Onmi	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	T-18，轴向	1N5365			5 w	轴向	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000																	1.2 V @ 1 A		500 NA @ 27.4 V												36 V	11欧姆
MBRD660CTT4H	-	RFQ	6611	Onmi	SwitchMode™	大部分	过时的			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MBRD660		肖特基		DPAK	-	rohs3符合条件	供应商不确定	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1对普通阴极	60 V	3a	700 mv @ 3 a		100 µA @ 60 V	-65°C〜175°C
AFGY160T65SPD-B4	15.0800	RFQ	9711	Onmi	汽车，AEC-Q100	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	Afgy160	标准		882 w	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-AFGY160T65SPD-B4	Ear99	8541.29.0095	30			400V，160a，5ohm，15V															132 ns					沟渠场停止	650 v	240 a	480 a	2.05V @ 15V，160a	12.4MJ（在）上，5.7MJ off）	245 NC	53NS/98NS
NRVBBS20100CTT4G	2.4000	RFQ	6743	Onmi	SwitchMode™	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	NRVBBS20100		肖特基		D²Pak	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	800	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1对普通阴极	100 v	10a	850 mv @ 10 A		100 µA @ 100 V	-65°C〜175°C
1N5338BG	0.4900	RFQ	9549	Onmi	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	T-18，轴向	1N5338			5 w	轴向	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000																	1.2 V @ 1 A		1 µA @ 1 V												5.1 v	1.5欧姆
MTD6N20ET4	-	RFQ	8435	Onmi	-	（CT）	过时的			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	mtd6n		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		200 v	6A（TC）		700MOHM @ 3A，10V	4V @ 250µA	21 NC @ 10 V		480 pf @ 25 V	-
1N5956B	-	RFQ	4203	Onmi	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5956			3 W	轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	2,000																	1.5 V @ 200 ma		1 µA @ 152 V												200 v	1200欧姆
MM3Z62VC	-	RFQ	5051	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F	MM3Z62			200兆	SOD-323F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																	1 V @ 10 mA		45 NA @ 43.4 V												62 v	202欧姆
NRTS6100PFST3G	0.9000	RFQ	4875	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-277，3-PowerDfn			肖特基		TO-277-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														100 v		680 mv @ 6 a		50 µA @ 100 V	-55°C 〜175°C	6a	827pf @ 1V，1MHz
MBRD1045T4G	0.9300	RFQ	9389	Onmi	SwitchMode™	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MBRD1045		肖特基		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														45 v		840 mv @ 20 a		100 µA @ 45 V	-65°C〜175°C	10a	-
NVMFS5H610NLT1G	0.4103	RFQ	9812	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索			MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NVMFS5H610NLT1GTR	Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道		60 V	（13a）（ta），48a tc）	4.5V，10V	10mohm @ 8a，10v	2V @ 40µA	13.7 NC @ 10 V	±20V	880 pf @ 30 V	-	3.6W（TC），52W（tc）
MBR560MFST3G	-	RFQ	4372	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	8-Powertdfn，5个线索	MBR560		肖特基		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														60 V		780 mv @ 5 a		150 µA @ 60 V	-55°C 〜175°C	5a	-
NZ9F8V2ST5G	-	RFQ	8615	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±2％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOD-923	NZ9F			250兆	SOD-923	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	8,000																	900 mv @ 10 ma		500 na @ 5 v												8.2 v	30欧姆
NTP4302G	-	RFQ	5178	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	NTP430		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		30 V	74A（TC）	4.5V，10V	9.3MOHM @ 37A，10V	3V @ 250µA	28 NC @ 4.5 V	±20V	2400 pf @ 24 V	-	80W（TC）
NVMFS4C01NT1G	4.9900	RFQ	9844	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS4		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道		30 V	49A（ta），319A（tc）	4.5V，10V	0.9MOHM @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	139 NC @ 10 V	±20V	10144 PF @ 15 V	-	3.84W（TA），161W（tc）
NZD4V7MUT5G	0.0348	RFQ	4471	Onmi	NZD5V1MU	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	0201（0603公制）				200兆	2-x3dfn（0.6x0.3）（0201）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NZD4V7MUT5GTR	Ear99	8541.10.0050	10,000																	1.1 V @ 10 mA		2 µA @ 1 V												4.7 v	100欧姆
Murd530T4G	-	RFQ	3004	Onmi	SwitchMode™	胶带和卷轴（（tr）	上次购买			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	Murd530		标准		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														300 v		1.05 V @ 5 A	50 ns	5 µA @ 300 V	-55°C 〜175°C	5a	-
NTD78N03R-1G	0.4400	RFQ	4	Onmi	*	大部分	积极的										下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1
FQD4P25TM	-	RFQ	3879	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD4		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道		250 v	3.1A（TC）	10V	2.1OHM @ 1.55A，10V	5V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±30V	420 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），45W（（（（（（（（（（
FDMS5352	2.9300	RFQ	2	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDMS53		MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		60 V	13.6A（TA），49A （TC）	4.5V，10V	6.7MOHM @ 13.6A，10V	3V @ 250µA	131 NC @ 10 V	±20V	6940 pf @ 30 V	-	2.5W（ta），104W（tc）
BAT54SLT1	-	RFQ	6699	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAT54		肖特基		SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <<200ma（io），任何速度													1对系列连接	30 V	200ma（dc）	800 mv @ 100 ma	5 ns	2 µA @ 25 V	125°c （最大）
MTD5P06VT4G	-	RFQ	6166	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MTD5P		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道		60 V	5A（TC）	10V	450MOHM @ 2.5A，10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±15V	510 pf @ 25 V	-	2.1W（ta），40W（TC）
PCFFS08120AF	5.1847	RFQ	6572	Onmi	-	托盘	积极的			表面安装	死	PCFFS08120		SIC （碳化硅）		死	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-PCFFS08120AF	Ear99	8541.10.0080	1	没有恢复t> 500mA（IO）														1200 v		1.723 V @ 20 A	0 ns	200 µA @ 1200 V	175°c （最大）	8a	-
NTD78N03R-035	0.2100	RFQ	2	Onmi	*	大部分	积极的										下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
SS34FA	0.4700	RFQ	92	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOD-123W	SS34		肖特基		SOD-123FA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														40 V		500 mv @ 3 a		500 µA @ 40 V	-55°C〜125°C	3a	170pf @ 4V，1MHz
MTP75N06HD	1.0700	RFQ	9803	Onmi	*	大部分	积极的										-	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	2156-MTP75N06HD	Ear99	8541.29.0095	1
NTTFS5826NLTAG	0.8500	RFQ	7800	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NTTFS5826		MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道		60 V	8a（8a）	4.5V，10V	24mohm @ 7.5a，10v	3V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	850 pf @ 25 V	-	3.1W（TA），19w（（（（（（（（
SZMM5Z3V9T5G	0.4900	RFQ	8	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±6.41％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-79，SOD-523	SZMM5			500兆	SOD-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	8,000																	900 mv @ 10 ma		3 µA @ 1 V												3.9 v	90欧姆
PCISL9R860W	-	RFQ	1386	Onmi	-	大部分	过时的										-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²