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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
MMSZ5229ET1	-	RFQ	7827	Onmi	*		过时的					MMSZ52					-		（1 （无限）	到达不受影响	过时的	0000.00.0000	3,000
2SK2394-7-FRD-TB-E	-	RFQ	1399年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的					2SK2394					-		（1 （无限）	到达不受影响	过时的	0000.00.0000	3,000
mmsz5v6cf	-	RFQ	8493	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	150°C（TJ）	表面安装	SOD-123F	mmsz5v			1 w	SOD-123F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000																1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 2 V												5.6 v	4欧姆
FES10J	1.3200	RFQ	586	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-277，3-PowerDfn	FES10		标准		TO-277-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	5,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													600 v	1.8 V @ 10 A	30 ns	5 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	10a	140pf @ 4V，1MHz
NVMFD5C650NLWFT1G	5.0300	RFQ	5861	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	NVMFD5		MOSFET （金属 o化物）	3.5W（TA），125W（tc）	8-dfn（5x6）（SO8FL偶）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,500	2 n 通道（双）				60V	21a（21a），111a（tc（TC）		4.2MOHM @ 20A，10V	2.2V @ 98µA	16nc @ 4.5V		2546pf @ 25V	-
NVMFD5C680NLT1G	1.7500	RFQ	8997	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	NVMFD5		MOSFET （金属 o化物）	3W（TA），19w（tc）	8-dfn（5x6）（SO8FL偶）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,500	2 n 通道（双）				60V	7.5a（ta），26a（tc）		28mohm @ 5a，10v	2.2V @ 13µA	2NC @ 4.5V		350pf @ 25V	-
NVMFS4C310NT1G	1.3600	RFQ	1179	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS4		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道		30 V	（17a）（ta），51a（tc）	4.5V，10V	6mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	18.6 NC @ 10 V	±20V	1000 pf @ 15 V	-	3.5W（TA），32W（tc）
FCB260N65S3	3.4100	RFQ	6528	Onmi	SuperFet®III	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FCB260		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	800			n通道		650 v	12A（TC）	10V	260MOHM @ 6A，10V	4.5V @ 1.2mA	24 NC @ 10 V	±30V	1010 PF @ 400 V	-	90W（TC）
ECH8601M-TL-HP	-	RFQ	7817	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	ECH8601		MOSFET （金属 o化物）		8-ech	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）公共排水				24V	8a（8a）		23mohm @ 4A，4.5V	1.3V @ 1mA	7.5NC @ 4.5V			逻辑水平门，2.5V
FDBL86062-F085	7.0900	RFQ	4	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powersfn	FDBL86062		MOSFET （金属 o化物）		8-hpsof	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道		100 v	300A（TC）	10V	2mohm @ 80a，10v	4.5V @ 250µA	124 NC @ 10 V	±20V	6970 pf @ 50 V	-	429W（TC）
FDMC8010DC	1.3100	RFQ	749	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	FDMC8010		MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道		30 V	37a（ta）	4.5V，10V	1.28mohm @ 37A，10V	3V @ 250µA	94 NC @ 15 V	±20V	7080 pf @ 15 V	标准	（3W）（TA）
FDMS8050	4.7200	RFQ	7730	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDMS80		MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道		30 V	55A（TC）	4.5V，10V	0.65MOHM @ 55A，10V	3V @ 750µA	285 NC @ 10 V	±20V	22610 PF @ 15 V	-	156W（TC）
FGH50T65SQD-F155	5.7500	RFQ	7344	Onmi	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	FGH50	标准		268 w	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	30				400V，12.5a，4.7Ohm，15V													31 ns					沟渠场停止	650 v	100 a	200 a	2.1V @ 15V，50a	180µJ（在）上，45µJ（45µJ）	99 NC	22NS/105NS
FGH75T65UPD-F155	4.2327	RFQ	1001	Onmi	-	管子	不适合新设计		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	FGH75	标准		375 w	TO-247	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	30				400V，75a，3ohm，15V													85 ns					沟渠场停止	650 v	150 a	225 a	2.3V @ 15V，75a	3.68mj（在）上，1.6MJ off）	68 NC	42NS/216NS
LY85_BZ84C8V2	-	RFQ	8235	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	-	表面安装	死	BZ84C8				死	-		（1 （无限）	到达不受影响	过时的	0000.00.0000	3,000
NVTFS5C670NLTAG	1.6300	RFQ	3446	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NVTFS5		MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道		60 V	16A（16A），70A （TC）	4.5V，10V	6.8mohm @ 35a，10v	2V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	3.2W（TA），63W（tc）
NZ3F33VT1G	-	RFQ	4906	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±6.06％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-90，SOD-323F	NZ3F33			800兆	SOD-323FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000																1.3 V @ 10 mA		50 NA @ 23.2 V												33 V	140欧姆
NZ3F4V7T1G	-	RFQ	1508	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±6.38％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-90，SOD-323F	NZ3F4			800兆	SOD-323FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000																1.3 V @ 10 mA		3 µA @ 2 V												4.7 v	100欧姆
SZNZ3F33VT1G	-	RFQ	7622	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±6.06％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-90，SOD-323F	SZNZ3			800兆	SOD-323FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000																1.3 V @ 10 mA		50 NA @ 23.2 V												33 V	140欧姆
SZNZ3F9V1T1G	-	RFQ	6370	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±6.04％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-90，SOD-323F	SZNZ3			800兆	SOD-323FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000																1.3 V @ 10 mA		200 na @ 7 V												9.1 v	45欧姆
NGTB40N65IHRWG	-	RFQ	4756	Onmi	-	管子	过时的		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	NGTB40	标准		405 w	TO-247-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	30				400V，40a，10ohm，15V																		现场停止	650 v	80 a	160 a	1.7V @ 15V，40a	420µJ（离）	190 NC	-
NRVUA110VT3G	0.4200	RFQ	8724	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-214ac，SMA	NRVUA110		标准		SMA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	5,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													100 v	875 mv @ 1 a	30 ns	2 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	2a	-
NTMFS4C06NBT3G	-	RFQ	7409	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道		30 V	20A（20A），69A （TC）	4.5V，10V	4mohm @ 30a，10v	2.1V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±20V	1683 PF @ 15 V	-	2.55W（TA），30.5W（tc）
NTMFS5C426NT3G	2.3066	RFQ	7501	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS5		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道		40 V	41A（ta），235a （TC）	10V	1.3MOHM @ 50a，10V	3.5V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±20V	4300 PF @ 25 V	-	3.8W（TA），128W（tc）
NVMFS5C442NWFAFT3G	-	RFQ	4212	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道		40 V	29A（ta），140a（tc）	10V	2.3MOHM @ 50a，10v	4V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±20V	2100 PF @ 25 V	-	3.7W（TA），83W（tc）
NVMFS6B85NLWFT3G	-	RFQ	4715	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS6		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道		100 v	5.6A（ta），19a（tc）	4.5V，10V	46mohm @ 10a，10v	2.4V @ 250µA	7.9 NC @ 10 V	±16V	480 pf @ 25 V	-	3.5W（ta），42W（tc）
SZ1SMA5935BT3G-VF01	-	RFQ	3857	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	do-214ac，SMA	SZ1SMA5935			1.5 w	SMA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	5,000																1.2 V @ 200 ma		500 NA @ 20.6 V												27 V	23欧姆
SZ1SMB5934BT3G-VF01	-	RFQ	4853	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	DO-214AA，SMB	SZ1SMB5934			3 W	SMB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	2,500																1.5 V @ 200 ma		1 µA @ 18.2 V												24 V	19欧姆
NGTD13R120F2WP	-	RFQ	7150	Onmi	-	大部分	过时的			表面安装	死	NGTD13		标准		死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1		-													1200 v	2.6 V @ 25 A		1 µA @ 1200 V	175°c （最大）	-	-
NGTD14T65F2WP	2.0201	RFQ	9218	Onmi	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	死	NGTD14	标准			死	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1				-																		沟渠场停止	650 v		120 a	2V @ 15V，35a	-		-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²