RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
2SA2205-E	-	RFQ	9152	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	2SA2205			800兆	TP	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	500																		100 v	2 a						1µA（ICBO）			PNP	240mv @ 100mA，1a	200 @ 100mA，5V	300MHz
KSC1008RTA	-	RFQ	8054	Onmi	-	（TB）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	KSC1008			800兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																		60 V	700 MA						100NA（ICBO）			NPN	400mv @ 50mA，500mA	40 @ 50mA，2V	50MHz
BC858AWT1G	0.2100	RFQ	12	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC858			150兆	SC-70-3（SOT323）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																		30 V	100 ma						15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	125 @ 2mA，5V	100MHz
MMSZ5242BT1G	0.2100	RFQ	1423	Onmi	mmsz52xxxt1g	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123	MMSZ524			500兆	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000														900 mv @ 10 ma		1 µA @ 9.1 V										12 v	30欧姆
1N5242BTR	0.1700	RFQ	60	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5242			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000														1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 9.1 V										12 v	30欧姆
FDN360P-NBGT003B	-	RFQ	4886	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	FDN360		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道		30 V	2A（TA）	4.5V，10V	80mohm @ 2a，10v	3V @ 250µA	9 NC @ 10 V	±20V	298 pf @ 15 V	-	500MW（TA）
FJPF13007TTU	-	RFQ	3315	Onmi	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FJPF13007			40 W	TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																		400 v	8 a						-			NPN	3V @ 2a，8a	8 @ 2a，5v	4MHz
NVMFS5C456NLAFT1G	1.5800	RFQ	3948	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道		40 V	87A（TC）	4.5V，10V	3.7MOHM @ 20A，10V	2V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	1600 pf @ 25 V	-	55W（TC）
NDF08N50ZH	-	RFQ	3258	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	NDF08		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-2完整包	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		500 v	8.5A（TC）	10V	850MOHM @ 3.6A，10V	4.5V @ 100µA	46 NC @ 10 V	±30V	1095 pf @ 25 V	-	35W（TC）
NSVMUN531335DW1T3G	0.1034	RFQ	9698	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	NSVMUN531335			385MW	SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2832-NSVMUN531335DW1T3GTR	Ear99	8541.21.0095	10,000																		50V	100mA						500NA			1 npn，1 pnp- 预偏（二）	250mv @ 300µA，10mA	80 @ 5mA，10v	-	47KOHM，2.2KOHM	47KOHM，47KOHM
FDR840P	-	RFQ	7839	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-lsop （0.130英寸，宽3.30mm）	FDR84		MOSFET （金属 o化物）		Supersot™-8	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道		20 v	10a（10a）	2.5V，4.5V	12mohm @ 10a，4.5V	1.5V @ 250µA	60 NC @ 4.5 V	±12V	4481 PF @ 10 V	-	1.8W（TA）
PZTA92T1G	0.4900	RFQ	8	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	PZTA92			1.5 w	SOT-223（TO-261）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																		300 v	500 MA						250NA（ICBO）			PNP	500mv @ 2mA，20mA	40 @ 30mA，10V	50MHz
NTHD2110T1G	-	RFQ	1799年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	NTHD21		MOSFET （金属 o化物）		chipfet™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道		12 v	4.5A（ta）	1.8V，4.5V	40mohm @ 6.4a，4.5V	850mv @ 250µA	14 NC @ 4.5 V	±8V	1072 PF @ 6 V	-	1.1W（TA）
MMBT6429LT1	-	RFQ	8074	Onmi	-	（CT）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBT6429			225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																		45 v	200 ma						100NA			NPN	600mv @ 5mA，100mA	500 @ 100µA，5V	700MHz
NSBC115EDXV6T1	-	RFQ	8680	Onmi	*	大部分	积极的					NSBC11					-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			0000.00.0000	4,000
FDAF75N28	-	RFQ	3443	Onmi	Unifet™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	FDAF75		MOSFET （金属 o化物）		to-3pf	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	360		n通道		280 v	46A（TC）	10V	41MOHM @ 23A，10V	5V @ 250µA	144 NC @ 10 V	±30V	6700 PF @ 25 V	-	215W（TC）
smmun2211lt1g	0.3300	RFQ	13	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SMMUN2211			246兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																		50 V	100 ma						500NA			npn-预先偏见	250mv @ 300µA，10mA	35 @ 5mA，10v		10 kohms	10 kohms
FQD5P20TF	-	RFQ	5905	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD5		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道		200 v	3.7A（TC）	10V	1.4OHM @ 1.85a，10V	5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±30V	430 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），45W（（（（（（（（（（
2SD2261-TD-E	0.2400	RFQ	9	Onmi	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1,000
MUR3040	2.8500	RFQ	17	Onmi	*	大部分	积极的										下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	1
SZMM5Z4686T1G	0.0574	RFQ	4843	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5.13％	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-79，SOD-523	SZMM5			500兆	SOD-523	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000														900 mv @ 10 ma		5 µA @ 2 V										3.9 v
NDS8947	-	RFQ	5974	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NDS894		MOSFET （金属 o化物）	900MW	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500	2（p 通道（双）			30V	4a		65MOHM @ 4A，10V	2.8V @ 250µA	30nc @ 10V		690pf @ 15V	逻辑级别门
FGP20N6S2D	-	RFQ	2180	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FGP2	标准		125 w	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400			390V，7a，25ohm，15V												31 ns		-	600 v	28 a	40 a	2.7V @ 15V，7a	25µJ（在）（58µJ）（OFF）上）	30 NC	7.7NS/87NS
BC847BWT1	0.0200	RFQ	465	Onmi	-	大部分	过时的					BC847					下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
NTR4502PT3G	-	RFQ	7930	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	NTR450		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000		P通道		30 V	1.13A（TA）	4.5V，10V	200mohm @ 1.95a，10V	3V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±20V	200 pf @ 15 V	-	400MW（TJ）
FJPF13007H1	-	RFQ	1177	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FJPF13007			40 W	TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	200																		400 v	8 a						-			NPN	3V @ 2a，8a	15 @ 2a，5v	4MHz
SMMBTA56WT3G	0.0396	RFQ	7859	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	SMMBTA56			150兆	SC-70-3（SOT323）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000																		80 V	500 MA						100NA			PNP	250mv @ 10mA，100mA	100 @ 100mA，1V	50MHz
BC848CDXV6T1	0.0200	RFQ	28	Onmi	*	大部分	积极的										下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	15,000
NTMFS5C670NLT1G	2.0100	RFQ	125	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS5		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道		60 V	（17a）（ta），71a（tc）	4.5V，10V	6.1MOHM @ 35A，10V	2V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	3.6W（61W），61W（tc）
FDD850N10L	1.1800	RFQ	14	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD850		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		100 v	15.7A（TC）	5V，10V	75mohm @ 12a，10v	2.5V @ 250µA	28.9 NC @ 10 V	±20V	1465 PF @ 25 V	-	50W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²