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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
MCH6344-TL-H	-	RFQ	4484	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，平坦的铅	MCH6344		MOSFET （金属 o化物）		6-MCPH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道		30 V	2A（TA）	4V，10V	150MOHM @ 1A，10V	-	3.9 NC @ 10 V	±20V	172 PF @ 10 V	-	800MW（TA）
MMSZ5231ET1	-	RFQ	1494	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123	MMSZ523			500兆	SOD-123	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	MMSZ5231ET1OS	Ear99	8541.10.0050	3,000																		900 mv @ 10 ma		5 µA @ 2 V														5.1 v	17欧姆
FCH22N60N	-	RFQ	8788	Onmi	Supremos™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	FCH22N60		MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	1990-FCH22N60N	Ear99	8541.29.0095	30			n通道		600 v	22a（TC）	10V	165mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±30V	1950 pf @ 100 V	-	205W（TC）
FX504-TL-E	0.5100	RFQ	11	Onmi	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	1,000
NTD4904N-35G	-	RFQ	9831	Onmi	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	NTD49		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道		30 V	13a（TA），79A （TC）	4.5V，10V	3.7MOHM @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±20V	3052 PF @ 15 V	-	1.4W（ta），52W（tc）
DF10S2	-	RFQ	8678	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼	DF10		标准		4-SDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,500																		1.1 V @ 2 A		3 µA @ 1000 V		2 a										单相	1 kV
NTMFS4C906NBT1G	0.5868	RFQ	4036	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的					NTMFS4					-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NTMFS4C906NBT1GTR	Ear99	8541.29.0095	1,500
NVTFS5820NLTWG	-	RFQ	2605	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NVTFS5820		MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道		60 V	11a（11a）	4.5V，10V	11.5MOHM @ 8.7A，10V	2.3V @ 250µA	28 NC @ 10 V	±20V	1462 PF @ 25 V	-	3.2W（21W），21W（（（（（（（
CPH6202-TL-E	0.1400	RFQ	12	Onmi	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	3,000
NTHL125N65S3H	6.7900	RFQ	285	Onmi	SuperFet®III	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NTHL125N65S3H	Ear99	8541.29.0095	30			n通道		650 v	24A（TC）	10V	125mohm @ 12a，10v	4V @ 2.1mA	44 NC @ 10 V	±30V	2200 PF @ 400 V	-	171W（TC）
FQA90N08	-	RFQ	3710	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FQA90		MOSFET （金属 o化物）		to-3pn	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	450			n通道		80 V	90A（TC）	10V	16mohm @ 45a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±25V	3250 pf @ 25 V	-	214W（TC）
MTA15N06	0.5200	RFQ	33	Onmi	*	大部分	积极的										下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
MCH3382-TL-H	-	RFQ	9469	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-3平线	MCH33		MOSFET （金属 o化物）		SC-70FL/MCPH3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道		12 v	2A（TA）	1.8V，4.5V	198mohm @ 1A，4.5V	-	2.3 NC @ 4.5 V	±9V	170 pf @ 6 V	-	800MW（TA）
DBD250G	-	RFQ	9337	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	底盘安装	4平方	DBD2		标准		-	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	250																		1.05 V @ 12.5 A		10 µA @ 600 V		6 a										单相	600 v
FQU3P20TU	-	RFQ	5314	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	FQU3		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	70			P通道		200 v	2.4A（TC）	10V	2.7OHM @ 1.2A，10V	5V @ 250µA	8 nc @ 10 V	±30V	250 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），37W（TC）
NSVMBD54DWT1G	0.1988	RFQ	6444	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	NSVMBD54		肖特基		SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													2独立	30 V	200mA	1 V @ 100 ma	5 ns	2 µA @ 25 V	125°c （最大）
FQB19N20LTM	1.7000	RFQ	1221	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FQB19N20		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道		200 v	21a（TC）	5V，10V	140mohm @ 10.5a，10v	2V @ 250µA	35 NC @ 5 V	±20V	2200 PF @ 25 V	-	3.13W（TA），140W（tc）
FGA90N30TU	-	RFQ	4984	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FGA90	标准		219 w	to-3p	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				-																				-	300 v	90 a	220 a	1.4V @ 15V，20A	-	87 NC	-
NVMFS024N06CT1G	1.2900	RFQ	6600	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS024		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道		60 V	8a（8a ta），25a tc）（TC）	10V	22mohm @ 3a，10v	4V @ 20µA	5.7 NC @ 10 V	±20V	333 pf @ 30 V	-	3.4W（ta），28W（tc）
NDD02N60Z-1G	-	RFQ	4607	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	NDD02		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道		600 v	2.2A（TC）	10V	4.8OHM @ 1A，10V	4.5V @ 50µA	10.1 NC @ 10 V	±30V	274 PF @ 25 V	-	57W（TC）
MMBZ5236BLT1	-	RFQ	7978	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBZ52			225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																		900 mv @ 10 ma		3 µA @ 6 V														7.5 v	6欧姆
SNSM3005NZTAG	0.1200	RFQ	159	Onmi	*	大部分	积极的										-		供应商不确定	供应商不确定				1
NTMD4184PFR2G	-	RFQ	4194	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NTMD4184		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500			P通道		30 V	2.3a（ta）	4.5V，10V	95MOHM @ 3A，10V	3V @ 250µA	4.2 NC @ 4.5 V	±20V	360 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	770MW（TA）
EFC4C012NLTDG	2.5200	RFQ	5	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，没有铅	EFC4C012		MOSFET （金属 o化物）	2.5W（TA）	6-WLCSP（3.5x1.9）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（双）公共排水				-	-		-	2.2V @ 1mA	18NC @ 4.5V		-	-
NGTD17R120F2SWK	-	RFQ	3596	Onmi	-	罐	过时的			表面安装	死	NGTD17		标准		死	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		-														1200 v		1.8 V @ 35 A		1 µA @ 1200 V	175°c （最大）	-	-
NTB30N06LT4	-	RFQ	9952	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	NTB30		MOSFET （金属 o化物）		D²Pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	NTB30N06LT4OS	Ear99	8541.29.0095	800			n通道		60 V	30a（TA）	5V	46mohm @ 15a，5v	2V @ 250µA	32 NC @ 5 V	±15V	1150 pf @ 25 V	-	88.2W（TC）
FQB11N40TM	-	RFQ	3947	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FQB1		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道		400 v	11.4A（TC）	10V	480MOHM @ 5.7A，10V	5V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±30V	1400 pf @ 25 V	-	3.13W（ta），147W（tc）
SVD14N03RT4G	0.2313	RFQ	8971	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SVD14N		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		25 v	2.5a（ta）	4.5V，10V	95MOHM @ 5A，10V	2V @ 250µA	1.8 NC @ 5 V	±20V	115 pf @ 20 V	-	1.04W（ta），20.8W（tc）
NTS4409NT1G	0.4300	RFQ	1447	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	NTS4409		MOSFET （金属 o化物）		SC-70-3（SOT323）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道		25 v	700mA（TA）	2.7V，4.5V	350MOHM @ 600mA，4.5V	1.5V @ 250µA	1.5 NC @ 4.5 V	±8V	60 pf @ 10 V	-	280MW（TJ）
NVD4809NT4G	-	RFQ	4891	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NVD480		MOSFET （金属 o化物）		DPAK-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		30 V	9.6a（ta），58a tc）	4.5V，11.5V	9mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	25 NC @ 11.5 V	±20V	1456 pf @ 12 V	-	1.4W（ta），52W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²