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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	测试条件	功率 -输出	获得	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	TD （开/关） @ 25°C	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
FFSB2065B	6.1800	RFQ	8455	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		FFSB2065			SIC （碳化硅）		D²Pak-2 to-263-2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	800		没有恢复t> 500mA（IO）																				650 v	1.7 V @ 20 A	0 ns	40 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C	22.8a	866pf @ 1V，100kHz
BZX85C36-T50R	-	RFQ	2681	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±6％		-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向		BZX85C36				1 w	do-41	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000																							1.2 V @ 200 ma		500 na @ 25 V															36 V	40欧姆
SZMMBZ5243BLT1G	0.1800	RFQ	6	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％		-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		SZMMBZ5243				225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000																							900 mv @ 10 ma		500 NA @ 9.9 V															13 V	13欧姆
NTD4959N-1G	-	RFQ	4938	Onmi	-	管子	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		NTD49			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	75			n通道								30 V	（9A）（ta），58a tc（TC）	4.5V，11.5V	9mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	25 NC @ 11.5 V	±20V	1456 pf @ 12 V	-	1.3W（ta），52W（（ta）
kse802stu	-	RFQ	4850	Onmi	-	管子	过时的			150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3		KSE80				40 W	TO-126-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,920																														80 V	4 a								100µA				npn-达灵顿	2.5V @ 30mA，1.5a	750 @ 1.5A，3V	-
FDT457N	1.0000	RFQ	14	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		FDT457			MOSFET （金属 o化物）		SOT-223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道								30 V	5A（5A）	4.5V，10V	60mohm @ 5a，10v	3V @ 250µA	5.9 NC @ 5 V	±20V	235 pf @ 15 V	-	（3W）（TA）
FQD20N06TF	-	RFQ	8278	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		FQD2			MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道								60 V	16.8A（TC）	10V	63mohm @ 8.4a，10v	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±25V	590 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），38W（tc）
NFAL5065L4B	57.0900	RFQ	2519	Onmi	SPM®	管子	积极的				通过洞	30-PowerDip 模块（1.385英寸，35.17毫米）	IGBT	NFAL5065						下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	Ear99	8542.39.0001	24	3相逆变器							50 a	650 v	2500vrms
NGB8207ANT4G	-	RFQ	6670	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		NGB820	逻辑			165 w	D²Pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	800					-																								-	365 v	20 a	50 a	2.2V @ 3.7V，10a	-	-
1H85-MMBD3070	-	RFQ	1901年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				-	-		MMBD30			-		-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	过时的	0000.00.0000	3,000		-																								-	-	-
BC639_D75Z	-	RFQ	2966	Onmi	-	（TB）	过时的			150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		BC639				1 w	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	2,000																														80 V	1 a								100NA（ICBO）				NPN	500mv @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，2V	100MHz
FSBB15CH120DF	40.1000	RFQ	5624	Onmi	motionspm®3	管子	不适合新设计				通过洞	27-PowerDip 模块（1.205英寸，30.60mm）	IGBT	FSBB15						下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	Ear99	8542.39.0001	60	3相逆变器							15 a	1.2 kV	2500vrms
2N5245_J35Z	-	RFQ	6193	Onmi	-	大部分	过时的		30 V		通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		2N5245		-	JFET		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	2,000	n通道			15mA		-	-														-
FDB8870	-	RFQ	5304	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		FDB887			MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	800			n通道								30 V	（23A）（TA），160a （TC）	4.5V，10V	3.9mohm @ 35a，10v	2.5V @ 250µA	132 NC @ 10 V	±20V	5200 PF @ 15 V	-	160W（TC）
2SC536NG-NPA-AT	-	RFQ	9658	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）		2SC536				500兆	TO-92（to-226）	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	1,500																														50 V	150 ma								100NA（ICBO）				NPN	300mv @ 10mA，100mA	280 @ 1mA，6v	200MHz
1N5349BG	0.4900	RFQ	3752	Onmi	-	大部分	积极的	±5％		-65°C 〜200°C	通过洞	T-18，轴向		1N5349				5 w	轴向	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1,000																							1.2 V @ 1 A		2 µA @ 9.1 V															12 v	2.5欧姆
NTB23N03RT4G	-	RFQ	2137	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		NTB23			MOSFET （金属 o化物）		D²Pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	800			n通道								25 v	23a（23A）	4.5V，10V	45mohm @ 6a，10v	2V @ 250µA	3.76 NC @ 4.5 V	±20V	225 pf @ 20 V	-	37.5W（TJ）
FDG6303N_D87Z	-	RFQ	6047	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363		FDG6303			MOSFET （金属 o化物）	300MW	SC-88 （SC-70-6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	10,000	2 n 通道（双）										25V	500mA		450MOHM @ 500mA，4.5V	1.5V @ 250µA	2.3nc @ 4.5V		50pf @ 10V	逻辑级别门
KST24MTF	-	RFQ	4617	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		KST24				350兆	SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	3,000																														30 V	100 ma								50NA（iCBO）				NPN	-	30 @ 8mA，10v	620MHz
FJV42MTF	0.3700	RFQ	471	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		FJV42				350兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000																														350 v	500 MA								100NA（ICBO）				NPN	500mv @ 2mA，20mA	40 @ 30mA，10V	50MHz
BC636TF	-	RFQ	7811	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		BC636				1 w	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	2,000																														45 v	1 a								100NA（ICBO）				PNP	500mv @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，2V	100MHz
BC548C_J35Z	-	RFQ	6027	Onmi	-	大部分	过时的			150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		BC548				500兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	2,000																														30 V	100 ma								15NA（icbo）				NPN	600mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	300MHz
MM5Z6V2T5G	0.2300	RFQ	15	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±6.45％		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-79，SOD-523		MM5Z6				500兆	SOD-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	8,000																							900 mv @ 10 ma		3 µA @ 4 V															6.2 v	10欧姆
nths4166nt1g	0.8600	RFQ	1	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅		NTHS4166			MOSFET （金属 o化物）		chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道								30 V	4.9a（ta）	4.5V，10V	22mohm @ 4.9A，10V	2.3V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	900 pf @ 15 V	-	800MW（TA）
2SC3649T-TD-H	-	RFQ	1832年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA		2SC3649				500兆	pcp	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	1,000																														160 v	1.5 a								1µA（ICBO）				NPN	450mv @ 50mA，500mA	200 @ 100mA，5V	120MHz
J174_D75Z	-	RFQ	7826	Onmi	-	（TB）	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		J174				350兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	2,000			P通道															-																		30 V	20 ma @ 15 V	5 V @ 10 na				85欧姆
MCH6431-TL-H	-	RFQ	4208	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，平坦的铅		MCH64			MOSFET （金属 o化物）		6-MCPH	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道								30 V	5A（5A）	4V，10V	55mohm @ 2.5a，10v	-	5.6 NC @ 10 V	±20V	280 pf @ 10 V	-	1.5W（TA）
MMBT3416	-	RFQ	6345	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MMBT3416				350兆	SOT-23-3	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000																														50 V	500 MA								-				NPN	-	-	-
J111-D74Z	0.3800	RFQ	24	Onmi	-	（CT）	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		J111				625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	2,000			n通道															-																		35 v	20 ma @ 15 V	3 V @ 1 µA				30欧姆
U1897	-	RFQ	6726	Onmi	-	大部分	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）		U1897				625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	2,000			n通道															16pf @ 20V																		40 V	30 ma @ 20 V	5 V @ 1 na				30欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²