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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
SS9015CTA	-	RFQ	5753	Onmi	-	（TB）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		SS9015		450兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																							45 v	100 ma	50NA（iCBO）			PNP	700mv @ 5mA，100mA	200 @ 1mA，5V	190MHz
FNB41060	18.7900	RFQ	2843	Onmi	MOTIONSPM®45	管子	积极的			通过洞	26-PowerDip 模块（1.024英寸，26.00mm）	IGBT	FNB41				下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	12	3期			10 a	600 v	2000vrms
BBS3002-DL-1E	-	RFQ	3180	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		BBS3002	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			P通道				60 V	100A（TA）	4V，10V	5.8mohm @ 50a，10v	-	280 NC @ 10 V	±20V	13200 PF @ 20 V	-	90W（TC）
MJD2955-1G	-	RFQ	2461	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MJD29		1.75 w	我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75																							60 V	10 a	50µA			PNP	8V @ 3.3a，10a	20 @ 4A，4V	2MHz
2SC6017-E	0.8900	RFQ	974	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		2SC6017		950兆	TP	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	500																							50 V	10 a	10µA（ICBO）			NPN	360mv @ 250mA，5a	200 @ 1A，2V	200MHz
EFC8811R-TF	1.0400	RFQ	9	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，没有铅		EFC8811	MOSFET （金属 o化物）	2.5W	6-CSP（1.77x3.54）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（双）公共排水						-	-		-	-	-		-	逻辑水平门，2.5V
BCP69T1G	0.4500	RFQ	11	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		BCP69		1.5 w	SOT-223（TO-261）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																							20 v	1 a	10µA（ICBO）			PNP	500mv @ 100mA，1a	85 @ 500mA，1V	60MHz
NSBA113EF3T5G	0.0598	RFQ	6750	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-1123		NSBA113		254兆	SOT-1123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000																							50 V	100 ma	500NA			pnp-预先偏见	250mv @ 5mA，10mA	3 @ 5mA，10v		1 kohms	1 kohms
MJD210T4	0.4100	RFQ	12	Onmi	-	大部分	积极的		-	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MJD21		1.4 w	DPAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500																							25 v	5 a	100NA（ICBO）			PNP	1.8V @ 1a，5a	45 @ 2a，1V	65MHz
1SMB5913BT3G	0.4900	RFQ	2448	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB		1SMB5913		3 W	SMB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	2,500																		1.5 V @ 200 ma	100 µA @ 1 V							3.3 v	10欧姆
MBR10100G	1.5900	RFQ	6187	Onmi	SwitchMode™	管子	积极的			通过洞	TO-220-2		MBR1010	肖特基		TO-220-2	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）															100 v	800 mv @ 10 a	100 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	10a	-
NTMFS4C10NBT3G	-	RFQ	4259	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索		NTMFS4	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道				30 V	16.4a（TA），46A （TC）	4.5V，10V	6.95mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	18.6 NC @ 10 V	±20V	987 PF @ 15 V	-	2.51W（TA），23.6W（tc）
FDN327N	0.4900	RFQ	9795	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		FDN327	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道				20 v	2A（TA）	1.8V，4.5V	70MOHM @ 2A，4.5V	1.5V @ 250µA	6.3 NC @ 4.5 V	±8V	423 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
NTP6410ANG	3.3800	RFQ	119	Onmi	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		NTP6410	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道				100 v	76A（TC）	10V	13mohm @ 76a，10v	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	4500 PF @ 25 V	-	188W（TC）
NSBA115TF3T5G	0.0598	RFQ	7235	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-1123		NSBA115		254兆	SOT-1123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000																							50 V	100 ma	500NA			pnp-预先偏见	250mv @ 300µA，10mA	160 @ 5mA，10v		100 kohms
NSBC115TPDP6T5G	0.0672	RFQ	1199	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-963		NSBC115		339MW	SOT-963	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000																							50V	100mA	500NA			1 npn，1 pnp- 预偏（二）	250mv @ 1mA，10mA	160 @ 5mA，10v	-	100kohms	-
SZBZX84C27ET1G	0.2400	RFQ	6788	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±7％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		SZBZX84		225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																		900 mv @ 10 ma	50 na @ 18.9 V							27 V	80欧姆
NTD4815N-1G	-	RFQ	3669	Onmi	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		NTD48	MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道				30 V	6.9a（ta），35a（tc）	4.5V，11.5V	15mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	6.6 NC @ 4.5 V	±20V	770 pf @ 12 V	-	1.26W（TA），32.6W（tc）
KSH112TM	-	RFQ	8891	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		KSH11		1.75 w	D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500																							100 v	2 a	20µA			npn-达灵顿	3V @ 40mA，4a	1000 @ 2a，3v	25MHz
CPH3144-TL-E	-	RFQ	4308	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-96		CPH3144		900兆	3-CPH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																							30 V	2 a	100NA（ICBO）			PNP	260mv @ 75mA，1.5a	200 @ 100mA，2V	440MHz
BC337-16RL1	-	RFQ	6631	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）		BC337		625兆	TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																							45 v	800 MA	100NA			NPN	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	210MHz
FQD19N10LTF	-	RFQ	4594	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		FQD1	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道				100 v	15.6A（TC）	5V，10V	100mohm @ 7.8A，10V	2V @ 250µA	18 nc @ 5 V	±20V	870 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），50W（50W）（TC）
BC327-25ZL1	-	RFQ	7204	Onmi	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）		BC327		625兆	TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																							45 v	800 MA	100NA			PNP	700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，1V	260MHz
FDS6892AZ	-	RFQ	7342	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		FDS68	MOSFET （金属 o化物）	900MW	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500	2 n 通道（双）						20V	7.5a		18mohm @ 7.5a，4.5V	1.5V @ 250µA	17nc @ 4.5V		1286pf @ 10V	逻辑级别门
NVD5C464NT4G	1.8700	RFQ	2	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		NVD5C464	MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道				40 V	16a（16a），59a（tc）	10V	5.8mohm @ 30a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	（3W）（40W）（40W）TC）
NTS4001NT1	-	RFQ	7904	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323		NTS400	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-3（SOT323）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	NTS4001NT1OS	Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道				30 V	270mA（ta）	2.5V，4V	1.5OHM @ 10mA，4V	1.5V @ 100µA	1.3 NC @ 5 V	±20V	33 pf @ 5 V	-	330MW（TA）
tip111tu	-	RFQ	8335	Onmi	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		提示111		2 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1200																							80 V	2 a	2mA			npn-达灵顿	2.5V @ 8mA，2a	1000 @ 1A，4V	-
FJP13007	-	RFQ	5753	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		FJP13007		80 W	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	200																							400 v	8 a	-			NPN	3V @ 2a，8a	8 @ 2a，5v	4MHz
NSS60100DMTTBG	0.6700	RFQ	2	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫		NSS60100		2.27W	6-WDFN（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	3,000																							60V	1a	100NA（ICBO）			2 PNP （双）	300mv @ 100mA，1a	120 @ 500mA，2V	155MHz
MMUN2138LT1G	0.1900	RFQ	15	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MMUN2138		246兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																							50 V	100 ma	500NA			pnp-预先偏见	250mv @ 300µA，10mA	160 @ 5mA，10v		2.2 kohms

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²