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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻-RDS（（在）	（ID） - 最大
US1KFA	0.5000	RFQ	6	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOD-123W	US1K		标准		SOD-123FA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													800 v	1.7 V @ 1 A	75 ns	5 µA @ 800 V	-55°C〜150°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
NTLUS3A90PZCTBG	-	RFQ	1925年	Onmi	µ -Cool™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-Powerufdfn	ntlus3a		MOSFET （金属 o化物）		6-udfn（1.6x1.6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道		20 v	2.6a（ta）	1.5V，4.5V	62MOHM @ 4A，4.5V	1V @ 250µA	12.3 NC @ 4.5 V	±8V	950 pf @ 10 V	-	600MW（TA）
SZMM3Z68VT1G	0.3800	RFQ	6	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±6％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-76，SOD-323	SZMM3			300兆	SOD-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000															900 mv @ 10 a		50 NA @ 47.6 V																	68 v	240欧姆
SZMM3Z8V2ST1G	0.4000	RFQ	6	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-76，SOD-323	SZMM3			300兆	SOD-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000															900 mv @ 10 a		700 na @ 5 V																	8.2 v	15欧姆
NVMFS6B14NT3G	-	RFQ	8636	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS6		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		100 v	55A（TC）	10V	15mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±16V	1300 pf @ 50 V	-	3.8W（ta），94W（tc）
MM3Z62VT1G	0.4000	RFQ	8	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±6％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-76，SOD-323	MM3Z62			300兆	SOD-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000															900 mv @ 10 ma		50 NA @ 43.4 V																	62 v	215欧姆
MCH5839-TL-W	-	RFQ	3879	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	5-SMD，平坦的铅	MCH58		MOSFET （金属 o化物）		SC-88AFL/MCPH5	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道		20 v	1.5A（TA）	1.8V，4.5V	266MOHM @ 750mA，4.5V	1.4V @ 1mA	1.7 NC @ 4.5 V	±10V	120 pf @ 10 V	-	800MW（TA）
SMMSZ4689ET1G	0.3400	RFQ	429	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123	SMMSZ4689			500兆	SOD-123	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000															900 mv @ 10 ma		10 µA @ 3 V																	5.1 v
SS16FP	0.4900	RFQ	4857	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOD-123H	SS16		肖特基		SOD-123HE	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													60 V	700 mv @ 1 A		400 µA @ 60 V	-55°C〜150°C	1a	80pf @ 4V，1MHz
SS19FA	0.3900	RFQ	4651	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOD-123W	SS19		肖特基		SOD-123FA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													90 v	800 mv @ 1 A		50 µA @ 90 V	-55°C〜150°C	1a	55pf @ 4V，1MHz
FCP067N65S3	6.5000	RFQ	5063	Onmi	SuperFet®III	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FCP067		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		650 v	44A（TC）	10V	67mohm @ 22a，10v	4.5V @ 4.4mA	78 NC @ 10 V	±30V	3090 pf @ 400 V	-	312W（TC）
FDB0190N807L	5.9700	RFQ	775	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	FDB0190		MOSFET （金属 o化物）		TO-263-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	800		n通道		80 V	270a（TC）	8V，10V	1.7MOHM @ 34A，10V	4V @ 250µA	249 NC @ 10 V	±20V	19110 PF @ 40 V	-	3.8W（TA），250W（TC）
RJK5014DPK-00＃t0	-	RFQ	2815	Onmi	*	大部分	积极的					RJK5014					-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1
FDMS8350LET40	2.3785	RFQ	5032	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDMS8350		MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		40 V	49A（TA），300A（tc）	4.5V，10V	0.85MOHM @ 47A，10V	3V @ 250µA	219 NC @ 10 V	±20V	16590 pf @ 20 V	-	3.33W（TA），125W（（（（（（（（（（（
NSVJ6904DSB6T1G	1.5400	RFQ	858	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	NSVJ6904			700兆	6-CPH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000		2 n 通道（双）		25 v							6pf @ 5V																				25 v	20 ma @ 5 V	600 mV @ 100 µA			25欧姆	50 mA
FGH40T65SQD-F155	-	RFQ	3777	Onmi	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	FGH40	标准		238 w	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	30			400V，10a，6ohm，15V													31.8 ns					沟渠场停止	650 v	80 a	160 a	2.1V @ 15V，40a	138µJ（在）上，52µJ（52µJ）	80 NC	16.4NS/86.4NS
NVD5C648NLT4G	3.0400	RFQ	1431	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NVD5C648		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		60 V	18A（18A），89A （TC）	4.5V，10V	4.1MOHM @ 45A，10V	2.1V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±20V	2900 PF @ 25 V	-	3.1W（ta），72W（72W）TC）
NVMFS5113PLWFT1G	3.1100	RFQ	7634	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5113		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,500		P通道		60 V	10a（10A），64A （TC）	4.5V，10V	14mohm @ 17a，10v	2.5V @ 250µA	83 NC @ 10 V	±20V	4400 PF @ 25 V	-	3.8W（ta），150W（TC）
NVMFS5C426NLT1G	3.7300	RFQ	49	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道		40 V	41A（TA），237A （TC）	4.5V，10V	1.2MOHM @ 50a，10v	2V @ 250µA	93 NC @ 10 V	±20V	5600 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），128W（tc）
NVMFS5C456NT1G	1.6300	RFQ	6207	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道		40 V	20A（20A），80a tc（TC）	10V	4.5MOHM @ 35A，10V	3.5V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	1150 pf @ 25 V	-	3.6W（TA），55W（tc）
NVMFS5C466NWFT1G	1.6800	RFQ	9075	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道		40 V	（15A）（TA），49A （TC）	10V	8.1MOHM @ 15A，10V	3.5V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±20V	625 pf @ 25 V	-	3.5W（37W），37W（tc）
NVMFS6H800NT1G	5.2000	RFQ	1392	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS6		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道		80 V	28a（28a）（203a tc）（TC）	10V	2.1MOHM @ 50a，10v	4V @ 330µA	85 NC @ 10 V	±20V	5530 PF @ 40 V	-	3.8W（TA），200W（（tc）
NVMFS6H800NWFT1G	4.4900	RFQ	6772	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS6		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道		80 V	28a（28a）（203a tc）（TC）	10V	2.1MOHM @ 50a，10v	4V @ 330µA	85 NC @ 10 V	±20V	5530 PF @ 40 V	-	3.8W（TA），200W（（tc）
NVMFS6H801NT1G	2.8000	RFQ	5550	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS6		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道		80 V	（23A）（TA），157a （TC）	10V	2.8mohm @ 50a，10v	4V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±20V	4120 PF @ 40 V	-	3.8W（TA），166W（tc）
FCP165N65S3	4.0600	RFQ	731	Onmi	SuperFet®III	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FCP165		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		650 v	19a（tc）	10V	165MOHM @ 9.5A，10V	4.5V @ 1.9mA	39 NC @ 10 V	±30V	1500 PF @ 400 V	-	154W（TC）
FCPF360N65S3R0L	-	RFQ	9031	Onmi	SuperFet®III	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FCPF360		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		650 v	10A（TC）	10V	360MOHM @ 5A，10V	4.5V @ 1mA	18 nc @ 10 V	±30V	730 PF @ 400 V	-	27W（TC）
NVD5867NLT4G	-	RFQ	7335	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NVD586		MOSFET （金属 o化物）		DPAK-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		60 V	6a（6a），22a （TC）	4.5V，10V	39mohm @ 11a，10v	2.5V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	675 PF @ 25 V	-	3.3W（TA），43W（tc）
NSR1030QMUTWG	0.8800	RFQ	4	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		125°C（TJ）	表面安装	4-udfn裸露的垫子	NSR1030		肖特基		4-udfn （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	3,000															600 mV @ 1 A		20 µA @ 30 V		1 a										单相	30 V
mmsz3v0et1	-	RFQ	2070	Onmi	*		过时的					mmsz3v					-		（1 （无限）	到达不受影响	过时的	0000.00.0000	3,000
MMSZ51ET1	-	RFQ	7685	Onmi	*		过时的					MMSZ51					-		（1 （无限）	到达不受影响	过时的	0000.00.0000	3,000

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²