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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
MBRD835LT4G	0.9300	RFQ	6845	Onmi	SwitchMode™	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MBRD835		肖特基		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														35 v		510 MV @ 8 A		1.4 mA @ 35 V	-65°C〜150°C	8a	-
flz33vc	-	RFQ	6862	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80	FLZ33			500兆	SOD-80	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	2,500																	1.2 V @ 200 ma		133 na @ 25 V												31.7 v	55欧姆
MURHB840CTT4	0.7700	RFQ	3	Onmi	-	大部分	积极的			表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	Murhb8		标准		D²Pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	800	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1对普通阴极	400 v	4a	2.2 V @ 4 A	28 ns	10 µA @ 400 V	-65°C〜175°C
2SK3495	-	RFQ	7024	Onmi	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	20
NRVBAF2H100T3G	-	RFQ	3243	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的					NRVBAF2H100					-				488-NRVBAF2H100T3GTR	Ear99	8541.10.0080	1
SBR50-16JS	1.1300	RFQ	2	Onmi	*	大部分	积极的										下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-SBR50-16JS-488			1
NRVTS5100ETFSTWG	0.2004	RFQ	8234	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	上次购买			表面安装	8-Powerwdfn	NRVTS5100		肖特基		8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														100 v		1 V @ 5 A		50 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	5a	26.5pf @ 100V，1MHz
FQB32N12V2TM	-	RFQ	1365	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FQB3		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		120 v	32A（TC）	10V	50mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±30V	1860 pf @ 25 V	-	3.75W（TA），150W（tc）
NTTFS4C13NTAG	1.0400	RFQ	176	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NTTFS4		MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道		30 V	7.2A（ta）	4.5V，10V	9.4mohm @ 30a，10v	2.1V @ 250µA	7.8 NC @ 4.5 V	±20V	770 pf @ 15 V	-	（780MW）（TA），21.5W（tc）
SZBZX84C9V1LT1G	0.1900	RFQ	201	Onmi	汽车，AEC-Q101，SZBZX84CXXXLT1G	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SZBZX84			225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																	900 mv @ 10 ma		500 na @ 6 V												9.1 v	15欧姆
IRFN214BTA_FP001	-	RFQ	8399	Onmi	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	IRFN2		MOSFET （金属 o化物）		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道		250 v	600mA（TA）	10V	2ohm @ 300mA，10v	4V @ 250µA	10.5 NC @ 10 V	±30V	275 pf @ 25 V	-	1.8W（TA）
NVD5805NT4G	-	RFQ	4518	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NVD580		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		40 V	51A（TC）	5V，10V	9.5Mohm @ 15a，10v	3.5V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±20V	1725 PF @ 25 V	-	47W（TC）
NSR0520V2T1G	0.4400	RFQ	48	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-79，SOD-523	NSR0520		肖特基		SOD-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														20 v		480 mv @ 500 mA	12 ns	75 µA @ 20 V	-55°C〜125°C	500mA	35pf @ 1V，1MHz
1SMB5944BT3G	0.3800	RFQ	4	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	1SMB5944			3 W	SMB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	2,500																	1.5 V @ 200 ma		1 µA @ 47.1 V												62 v	100欧姆
ISL9R18120G2	-	RFQ	9667	Onmi	Stealth™	管子	过时的			通过洞	TO-247-2	ISL9R18120		标准		TO-247-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	450	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														1200 v		3.3 V @ 18 A	70 ns	100 µA @ 1200 V	-55°C〜150°C	18a	-
SZ1SMB5933BT3G	0.6900	RFQ	6410	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SZ1SMB5933			3 W	SMB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	2,500																	1.5 V @ 200 ma		1 µA @ 16.7 V												22 v	17.5欧姆
MR856	-	RFQ	3053	Onmi	-	大部分	过时的			通过洞	do-201aa，do-27，轴向	MR85		标准		轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														600 v		1.25 V @ 3 A	300 ns	10 µA @ 600 V	-65°C〜125°C	3a	-
SMBF1046LT1	0.0200	RFQ	18	Onmi	*	大部分	积极的										-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000
2SK536-MTK-TB-E	-	RFQ	8288	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		125°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2SK536		-		3-CP	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		-			100mA（TJ）	10V	-	-		±12V		-	-
FGP10N60UNDF	1.9200	RFQ	181	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FGP10N60	标准		139 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			400V，10a，10ohm，15V															37.7 ns					npt	600 v	20 a	30 a	2.45V @ 15V，10a	（150µJ）（在50µJ）上（50µJ）	37 NC	8NS/52.2NS
SZMMBZ5248BLT1G	0.2000	RFQ	12	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SZMMBZ5248			225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																	900 mv @ 10 ma		100 na @ 14 V												18 V	21欧姆
NZ8F6V8MX2WT5G	0.0486	RFQ	7748	Onmi	NZ8F	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	2-XDFN				250兆	2-x2dfnw（（1x0.6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NZ8F6V8MX2WT5GTR	Ear99	8541.10.0050	8,000																	900 mv @ 10 ma		500 NA @ 3.5 V												6.8 v	40欧姆
3LN01SS-TL-E	-	RFQ	3609	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SC-81	3LN01		MOSFET （金属 o化物）		3-SSFP	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000		n通道		30 V	150mA（ta）	1.5V，4V	3.7OHM @ 80mA，4V	-	1.58 NC @ 10 V	±10V	7 pf @ 10 V	-	150MW（TA）
FDME820NZT	0.9600	RFQ	15	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-Powerufdfn	FDME820		MOSFET （金属 o化物）		Microfet 1.6x1.6薄	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		20 v	9a（9a）	1.8V，4.5V	18mohm @ 9a，4.5V	1V @ 250µA	8.5 NC @ 4.5 V	±12V	865 pf @ 10 V	-	2.1W（TA）
1N5365BG	0.4600	RFQ	8452	Onmi	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	T-18，轴向	1N5365			5 w	轴向	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000																	1.2 V @ 1 A		500 NA @ 27.4 V												36 V	11欧姆
MBRD660CTT4H	-	RFQ	6611	Onmi	SwitchMode™	大部分	过时的			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MBRD660		肖特基		DPAK	-	rohs3符合条件	供应商不确定	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1对普通阴极	60 V	3a	700 mv @ 3 a		100 µA @ 60 V	-65°C〜175°C
AFGY160T65SPD-B4	15.0800	RFQ	9711	Onmi	汽车，AEC-Q100	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	Afgy160	标准		882 w	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-AFGY160T65SPD-B4	Ear99	8541.29.0095	30			400V，160a，5ohm，15V															132 ns					沟渠场停止	650 v	240 a	480 a	2.05V @ 15V，160a	12.4MJ（在）上，5.7MJ off）	245 NC	53NS/98NS
NRVBBS20100CTT4G	2.4000	RFQ	6743	Onmi	SwitchMode™	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	NRVBBS20100		肖特基		D²Pak	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	800	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1对普通阴极	100 v	10a	850 mv @ 10 A		100 µA @ 100 V	-65°C〜175°C
1N5338BG	0.4900	RFQ	9549	Onmi	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	T-18，轴向	1N5338			5 w	轴向	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000																	1.2 V @ 1 A		1 µA @ 1 V												5.1 v	1.5欧姆
MTD6N20ET4	-	RFQ	8435	Onmi	-	（CT）	过时的			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	mtd6n		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		200 v	6A（TC）		700MOHM @ 3A，10V	4V @ 250µA	21 NC @ 10 V		480 pf @ 25 V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²