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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	功率 -输出	获得	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）
FJY3009R	-	RFQ	7249	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				表面安装	SC-89，SOT-490		FJY300			200兆	SC-89-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																														40 V	100 ma	100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 1mA，10mA	100 @ 1mA，5V	250 MHz	4.7科姆斯
SBRD8320T4G	-	RFQ	9691	Onmi	SwitchMode™	胶带和卷轴（（tr）	过时的				表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		SBRD8320		肖特基		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																				20 v		600 mv @ 3 a		200 µA @ 20 V	-65°C〜175°C	3a	-
NRVB830MFST3G	0.2975	RFQ	5472	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				表面安装	8-Powertdfn，5个线索		NRVB830		肖特基		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																				30 V		700 mv @ 8 a		200 µA @ 30 V	-40°C〜150°C	8a	-
mpsa13rlra	-	RFQ	1552	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）		MPSA13			625兆	TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																														30 V	500 MA	100NA（ICBO）			npn-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	10000 @ 100mA，5V	125MHz
SBAS21DW5T1G	0.4600	RFQ	1	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				表面安装	5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353		SBAS21		标准		SC-88A（SC-70-5/SOT-353）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																			2独立	250 v	200ma（dc）	1.25 V @ 200 ma	50 ns	100 na @ 200 V	150°C （最大）
KST5086MTF	-	RFQ	9323	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		KST50			350兆	SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																														50 V	50 mA	50NA（iCBO）			PNP	300mv @ 1mA，10mA	150 @ 100µA，5V	40MHz
NRVHP420MFDT1G	0.4840	RFQ	5308	Onmi	汽车，AEC-Q101，SwitchMode™	胶带和卷轴（（tr）	积极的				表面安装	8-POWERTDFN		NRVHP420		标准		8-dfn（5x6）（SO8FL偶）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																			2独立	200 v	2a	1.1 V @ 6 A	30 ns	500 na @ 200 V	-55°C 〜175°C
2SD1667S	0.4600	RFQ	5	Onmi	*	大部分	积极的												下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1
FDMS86500LE	-	RFQ	9916	Onmi	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的												-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000
MPQ7051	0.9000	RFQ	8	Onmi	*	大部分	积极的												下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1
NSVBAS19LT1G	0.3500	RFQ	95	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		NSVBAS19		标准		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																				120 v		1.25 V @ 200 ma	50 ns	100 na @ 100 V	-55°C〜150°C	200mA	5pf @ 0v，1MHz
FSBS10SH60	-	RFQ	3902	Onmi	SPM®	管子	过时的				通过洞	电源模块	IGBT	FSB10					-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	60	3期						10 a	600 v	2500vrms
NSD070ALT1G	0.2700	RFQ	9	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的				表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		NSD070		标准		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																			1对公共阳极	70 v	200mA	1.25 V @ 150 mA	3 µs	5 NA @ 70 V	-65°C〜150°C
2N2906	-	RFQ	3671	Onmi	-	大部分	过时的			-	通过洞	TO-206AA，TO-18-3		2N2906			400兆	TO-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	2N2906F	Ear99	8541.21.0095	250																														40 V	600 MA	-			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10v	-
NRVBD360VT4G	-	RFQ	9752	Onmi	SwitchMode™	胶带和卷轴（（tr）	过时的				表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		NRVBD360		肖特基		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																				60 V		600 mv @ 3 a		200 µA @ 60 V	-65°C〜175°C	3a	-
BD810	-	RFQ	8243	Onmi	-	管子	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		BD810			90 W	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																														80 V	10 a	1ma（iCBO）			PNP	1.1V @ 300mA，3a	15 @ 4A，2V	1.5MHz
NTJS4405NT4G	-	RFQ	7406	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363		NTJS44		MOSFET （金属 o化物）		SC-88/SC70-6/SOT-363	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000			n通道							25 v	1A（1A）	2.7V，4.5V	350MOHM @ 600mA，4.5V	1.5V @ 250µA	1.5 NC @ 4.5 V	±8V	60 pf @ 10 V	-	630MW（TA）
FQP70N08	-	RFQ	9549	Onmi	QFET®	管子	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		FQP7		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道							80 V	70A（TC）	10V	17mohm @ 35a，10v	4V @ 250µA	98 NC @ 10 V	±25V	2700 PF @ 25 V	-	155W（TC）
EC3201C-PM-TL	0.0400	RFQ	20	Onmi	*	大部分	积极的												-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	10,000
NSVRB521S30T1G	0.4000	RFQ	26	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				表面安装	SC-79，SOD-523		NSVRB521		肖特基		SOD-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																				30 V		500 mV @ 200 ma		30 µA @ 10 V	-55°C〜125°C	200mA	-
1pmt5941bt1g	0.6900	RFQ	9942	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％		-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa		下午1点			3.2 w	Powermite	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																								1.25 V @ 200 ma		1 µA @ 35.8 V							47 V	67欧姆
NSBC143TDXV6T5	0.0500	RFQ	400	Onmi	*	大部分	积极的												下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000
tip41c	-	RFQ	6309	Onmi	-	大部分	过时的			150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		提示41			65 w	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	200																														100 v	6 a	700µA			NPN	1.5V @ 600mA，6a	15 @ 3a，4V	3MHz
J300	-	RFQ	8663	Onmi	-	大部分	过时的		25 v		通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）		J300	-	JFET		TO-92-3	-		（1 （无限）	到达不受影响	J300FS	Ear99	8541.21.0075	2,000	n通道			-	-	-														-
FDP22N50N	3.8600	RFQ	4	Onmi	Unifet™	管子	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		FDP22		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道							500 v	22a（TC）	10V	220MOHM @ 11a，10v	5V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±30V	3200 PF @ 25 V	-	312.5W（TC）
FDD050N03B	-	RFQ	6481	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		FDD050		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道							30 V	50A（TC）	4.5V，10V	5mohm @ 25a，10v	3V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±16V	2875 PF @ 15 V	-	65W（TC）
1N456ATR	0.2200	RFQ	31	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		1N456		标准		do-35	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	10,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																				30 V		1 V @ 100 ma		25 na @ 25 V	175°c （最大）	500mA	-
FQI7N10LTU	-	RFQ	1391	Onmi	QFET®	管子	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		FQI7		MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道							100 v	7.3A（TC）	5V，10V	350MOHM @ 3.65a，10V	2V @ 250µA	6 NC @ 5 V	±20V	290 pf @ 25 V	-	3.75W（ta），40W（TC）
FDS6898AZ	1.2600	RFQ	6214	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		FDS6898		MOSFET （金属 o化物）	900MW	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500	2 n 通道（双）									20V	9.4a		14mohm @ 9.4a，4.5V	1.5V @ 250µA	23nc @ 4.5V		1821pf @ 10V	逻辑级别门
BC847BS	-	RFQ	8524	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363		BC847			210MW	SC-88 （SC-70-6）	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																														45V	100mA	15NA（icbo）			2 NPN （双）	650mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²