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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
MCH6305-H-TL-E	0.1500	RFQ	279	Onmi	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	3,000
1SMB5918BT3	-	RFQ	5434	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	1SMB5918		3 W	SMB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	2,500																	1.5 V @ 200 ma		5 µA @ 2 V							5.1 v	4欧姆
SZMMSZ4690T3G	0.3700	RFQ	2673	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123	SZMMSZ4690		500兆	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000																	900 mv @ 10 ma		10 µA @ 4 V							5.6 v
NTJS3151PT2G	0.5000	RFQ	3	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	NTJS3151	MOSFET （金属 o化物）		SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道	12 v	2.7a（ta）	1.8V，4.5V	60mohm @ 3.3a，4.5V	1.2V @ 100µA	8.6 NC @ 4.5 V	±12V	850 pf @ 12 V	-	625MW（TA）
US1KFA	0.5000	RFQ	6	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOD-123W	US1K	标准		SOD-123FA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													800 v		1.7 V @ 1 A	75 ns	5 µA @ 800 V	-55°C〜150°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
MMSZ4713T1G	0.2200	RFQ	70	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123	MMSZ4713		500兆	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																	900 mv @ 10 ma		10 na @ 22.8 V							30 V
MSB709	0.0200	RFQ	1642	Onmi	*	大部分	积极的									下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	12,000
BZX55C10	-	RFQ	3030	Onmi	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	BZX55C10		500兆	do-35	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000																	1.3 V @ 100 mA		100 NA @ 7.5 V							10 v	15欧姆
2SK3816-DL-E	-	RFQ	4454	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	2SK3816	MOSFET （金属 o化物）		SMP-FD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道	60 V	40a（ta）	4V，10V	26mohm @ 20a，10v	2.6V @ 1mA	40 NC @ 10 V	±20V	1780 pf @ 20 V	-	1.65W（TA），50W（TC）
3LP01S-TL-E	-	RFQ	4930	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416	3LP01	MOSFET （金属 o化物）		SMCP	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道	30 V	（100mA）（TA）	1.5V，4V	10.4ohm @ 50mA，4V	-	1.43 NC @ 10 V	±10V	7.5 pf @ 10 V	-	150MW（TA）
KSA812OMTF	-	RFQ	3968	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	KSA812		150兆	SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																							50 V	100 ma	100NA（ICBO）			PNP	300mv @ 10mA，100mA	90 @ 1mA，6v	180MHz
NTHD3101FT1G	1.2700	RFQ	4	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	NTHD3101	MOSFET （金属 o化物）		chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道	20 v	3.2A（TJ）	1.8V，4.5V	80MOHM @ 3.2a，4.5V	1.5V @ 250µA	7.4 NC @ 4.5 V	±8V	680 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	1.1W（TA）
HUF75652G3	10.2100	RFQ	3176	Onmi	Ultrafet™	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	HUF75652	MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道	100 v	75A（TC）	10V	8mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	475 NC @ 20 V	±20V	7585 pf @ 25 V	-	515W（TC）
NRVB10100MFST1G	0.9600	RFQ	9106	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NRVB10100	肖特基		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													100 v		950 MV @ 10 A		100 µA @ 100 V	-55°C 〜175°C	10a	-
SURB1660CTT4	1.3000	RFQ	800	Onmi	*	大部分	积极的									-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	800
NTDV20N06LT4G-VF01	0.6260	RFQ	5981	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTDV20	MOSFET （金属 o化物）		DPAK	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	60 V	20A（TA）	10V	46mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	1015 PF @ 25 V	-	1.88W（TA）
2SC4270-4-TB-E	0.0800	RFQ	18	Onmi	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000
1N5934BRNG	-	RFQ	5022	Onmi	-	（TB）	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5934		3 W	do-41	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	2832-1N5934BRNG-488	Ear99	8541.10.0050	3,000																	1.5 V @ 200 ma		1 µA @ 18.2 V							24 V	19欧姆
MUR460RL	-	RFQ	4553	Onmi	SwitchMode™	胶带和卷轴（（tr）	过时的			通过洞	do-201aa，do-27，轴向	Mur46	标准		轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													600 v		1.28 V @ 4 A	75 ns	10 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	4a	-
NRVHP260SFT3G	0.1460	RFQ	4209	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOD-123F	NRVHP260	标准		SOD-123FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NRVHP260SFT3GTR	Ear99	8541.10.0080	10,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													600 v		4.2 V @ 2 A	50 ns	1 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	2a	-
FQB7P20TM-F085P	-	RFQ	6716	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-FQB7P20TM-F085PTR	Ear99	8541.29.0095	800			P通道	200 v	7.3A（TC）	10V	690MOHM @ 3.65A，10V	5V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±30V	770 pf @ 25 V	-	3.13W（ta），90W（tc）
FQP6N70	-	RFQ	8425	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FQP6	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道	700 v	6.2A（TC）	10V	1.5OHM @ 3.1a，10v	5V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±30V	1400 pf @ 25 V	-	142W（TC）
NTLJD3181PZTAG	-	RFQ	7416	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	NTLJD31	MOSFET （金属 o化物）	710MW	6-WDFN（2x2）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）			20V	2.2a		100mohm @ 2A，4.5V	1V @ 250µA	7.8NC @ 4.5V		450pf @ 10V	逻辑级别门
MMSZ5248T1	0.1400	RFQ	8	Onmi	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0050	3,000
1N958B_T50A	-	RFQ	8268	Onmi	-	（TB）	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N958		500兆	do-35	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000																			75 µA @ 5.7 V							7.5 v	5.5欧姆
MCH3406-P-TL-E	0.0500	RFQ	18	Onmi	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	3,000
NZ3F33VT1G	-	RFQ	4906	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±6.06％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-90，SOD-323F	NZ3F33		800兆	SOD-323FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																	1.3 V @ 10 mA		50 NA @ 23.2 V							33 V	140欧姆
MBRF20100CTG	1.6400	RFQ	1	Onmi	SwitchMode™	管子	积极的			通过洞	TO-220-3完整包	MBRF20100	肖特基		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	100 v	10a	850 mv @ 10 A		150 µA @ 100 V	-65°C〜175°C
SURS5664T3	-	RFQ	6823	Onmi	*	大部分	积极的									-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	2,500
SZ1SMB5926BT3G-VF01	-	RFQ	7338	Onmi	汽车，AEC-Q101	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	DO-214AA，SMB			550兆	SMB	-			到达不受影响	488-SZ1SMB5926BT3G-VF01	Ear99	8541.10.0050	1																	1.5 V @ 200 ma		1 µA @ 8.4 V							11 V	5.5欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²