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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	（ID） - 最大
MJE5740G	1.0000	RFQ	9167	Onmi	*	大部分	积极的										下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1
NTMFS4926NT3G	-	RFQ	4773	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索		NTMFS4926	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道				30 V	（9A）（ta），44A （TC）	4.5V，10V	7mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	17.3 NC @ 10 V	±20V	1004 pf @ 15 V	-	920MW（TA），21.6W （TC）
NVMFS5844NLT3G	-	RFQ	3327	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索		NVMFS5844	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道				60 V	11.2a（ta）	4.5V，10V	12mohm @ 10a，10v	2.3V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	1460 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），107W（tc）
1N5236B_S00Z	-	RFQ	2593	Onmi	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		1N5236		500兆	do-35	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000																				1.2 V @ 200 ma		3 µA @ 6 V												7.5 v	6欧姆
HUF753373	-	RFQ	6992	Onmi	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		HUF75	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400			n通道				55 v	75A（TC）	10V	14mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	109 NC @ 20 V	±20V	1775 PF @ 25 V	-	175W（TC）
BZX55C13	-	RFQ	6832	Onmi	-	大部分	过时的	±6％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		BZX55C13		500兆	do-35	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000																				1.3 V @ 100 mA		100 na @ 10 V												13 V	26欧姆
mbrp30060ctg	-	RFQ	8083	Onmi	SwitchMode™	托盘	过时的			底盘安装	POWERTAP II		mbrp3006	肖特基		POWERTAP II	下载		（1 （无限）	到达不受影响	mbrp30060ctgos	Ear99	8541.10.0080	25		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）															1对普通阴极	60 V	150a	790 mv @ 150 A		800 µA @ 60 V
SMMBT6520LT1	0.0700	RFQ	6	Onmi	*	大部分	积极的										-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000
SZ2570-18T3	1.0000	RFQ	3600	Onmi	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0050	2,500
NSR0140P2T5H	0.0200	RFQ	990	Onmi	-	大部分	积极的			表面安装	SOD-923			肖特基		SOD-923	-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0070	8,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																30 V		350 mv @ 1 mA		500 NA @ 30 V	-55°C〜125°C	70mA	2.5pf @ 1V，1MHz
kbu6g	-	RFQ	7436	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbu		KBU6	标准		KBU	下载		（1 （无限）	到达不受影响	kbu6gfs	Ear99	8541.10.0080	200																				1 V @ 6 A		5 µA @ 400 V		6 a				单相	400 v
US1AFA	0.4400	RFQ	3	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOD-123W		US1A	标准		SOD-123FA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																50 V		950 MV @ 1 A	50 ns	5 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	1a	20pf @ 4V，1MHz
KSK596CBU	-	RFQ	7639	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3		KSK59		100兆	TO-92S	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000			n通道											3.5pf @ 5V																20 v	100 µA @ 5 V	600 mV @ 1 µA									1 MA
NTD65N03R-35G	0.1400	RFQ	524	Onmi	-	管子	过时的			通过洞	TO-251-3存根线，IPAK		NTD65	MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道				25 v	65A（TC）		8.4mohm @ 30a，10v	2V @ 250µA	16 NC @ 5 V		1400 pf @ 20 V	-
SVC342L-V-AA	1.0000	RFQ	1531年	Onmi	*	大部分	积极的										-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8541.59.0080	1
GBPC3504	6.3200	RFQ	7514	Onmi	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	QC终端	4平方英尺，GBPC		GBPC35	标准		GBPC	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50																						5 µA @ 400 V		35 a				单相	400 v
2SA1345	0.0700	RFQ	9	Onmi	*	大部分	积极的										下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	1
MTP3055VL	1.5700	RFQ	5789	Onmi	-	管子	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MTP3055	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道				60 V	12A（TC）	5V	180mohm @ 6a，5v	2V @ 250µA	10 NC @ 5 V	±15V	570 pf @ 25 V	-	48W（TC）
BZX85C4V7	-	RFQ	6387	Onmi	-	大部分	过时的	±6％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向		BZX85C4		1 w	do-41	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																				1.2 V @ 200 ma		3 µA @ 1.5 V												4.7 v	13欧姆
FSB50450TB2	-	RFQ	3925	Onmi	SPM®	管子	过时的			表面安装	模块	Fet	FSB504				-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	180	3期			1.5 a	500 v	1500vrms
2N5190G	1.5100	RFQ	713	Onmi	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3		2N5190		40 W	TO-126	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500																										40 V	4 a						1ma				NPN	1.4V @ 1A，4A	25 @ 1.5A，2V	2MHz
FSB50450US	7.5700	RFQ	450	Onmi	MOTIONSPM®5	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计			表面安装	23-powersmd模块，鸥翼	MOSFET	FSB50450				下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	450	3期			1.5 a	500 v	1500vrms
FBR130	-	RFQ	9232	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SOD-123F		FBR130	肖特基		SOD-123F	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																30 V		500 mv @ 1 A		200 µA @ 30 V	-65°C〜125°C	1a	-
MMSF7N03ZR2	0.1900	RFQ	3	Onmi	*	大部分	积极的										下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1
PN4092_D74Z	-	RFQ	8859	Onmi	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		PN409		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000			n通道											16pf @ 20V																40 V	15 ma @ 20 V	2 V @ 1 na				50欧姆
2SC5488A-TL-HX	1.0000	RFQ	7407	Onmi	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	8,000
2SA1552T-TL-H	0.8100	RFQ	452	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		2SA1552		1 w	TP-FA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	700																										160 v	1.5 a						1µA（ICBO）				PNP	500mv @ 50mA，500mA	200 @ 100mA，5V	120MHz
BZX55C3V3	-	RFQ	8037	Onmi	-	大部分	过时的	±6％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		BZX55C3		500兆	do-35	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000																				1.3 V @ 100 mA		2 µA @ 1 V												3.3 v	85欧姆
MBR20100CTTU	-	RFQ	6480	Onmi	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-3		MBR20100	肖特基		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）															1对普通阴极	100 v	10a	800 mv @ 10 a		200 µA @ 100 V	150°C （最大）
NVMFS6H800NT1G	5.2000	RFQ	1392	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索		NVMFS6	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道				80 V	28a（28a）（203a tc）（TC）	10V	2.1MOHM @ 50a，10v	4V @ 330µA	85 NC @ 10 V	±20V	5530 PF @ 40 V	-	3.8W（TA），200W（（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²