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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）
MPSA56_D75Z	-	RFQ	7182	Onmi	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	MPSA56		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																						80 V	500 MA			100NA			PNP	200mv @ 10mA，100mA	100 @ 100mA，1V	50MHz
NSL12AWT1	-	RFQ	1348	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	NSL12A		450兆	SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	NSL12AWT1OS	Ear99	8541.21.0075	3,000																						12 v	2 a			100NA			PNP	290mv @ 20mA，1a	100 @ 800mA，1.5 V	100MHz
MBR0530	-	RFQ	7100	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SOD-123	MBR0530	肖特基		SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													30 V		430 MV @ 500 mA		130 µA @ 30 V	-65°C〜125°C	500mA	-
1HP04CH-TL-W	-	RFQ	2506	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	1HP04	MOSFET （金属 o化物）		3-CPH	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	100 v	170mA（TA）	4V，10V	18ohm @ 80mA，10v	2.6V @ 100µA	0.9 NC @ 10 V	±20V	14 pf @ 20 V	-	-
BAV99_S00Z	-	RFQ	5038	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SOT-563，SOT-666	BAV99	标准		SOT-563	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度												1对系列连接	70 v	200mA	1.25 V @ 150 mA	60 ns	2.5 µA @ 70 V	-55°C〜150°C
BC212_J35Z	-	RFQ	1387	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC212		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																						50 V	300 MA			15NA（icbo）			PNP	600mv @ 5mA，100mA	60 @ 2mA，5V	-
NTSJ3080CTG	-	RFQ	2977	Onmi	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-3完整包	NTSJ30	肖特基		TO-220-2完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	80 V	15a	850 MV @ 15 A		700 µA @ 80 V	-40°C〜150°C
FQPF6N25	-	RFQ	2541	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF6	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	250 v	4A（TC）	10V	1欧姆 @ 2A，10V	5V @ 250µA	8.5 NC @ 10 V	±30V	300 pf @ 25 V	-	37W（TC）
SMSZ1600-18T3	0.0200	RFQ	160	Onmi	*	大部分	积极的									-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000
MJ11021	-	RFQ	2266	Onmi	-	托盘	过时的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3	MJ110		175 w	TO-204（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100																						250 v	15 a			1ma			pnp-达灵顿	3.4V @ 150mA，15a	400 @ 10a，5v	-
MMBT5401	-	RFQ	4877	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBT5401		350兆	SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																						150 v	600 MA			50NA（iCBO）			PNP	500mv @ 5mA，50mA	60 @ 10mA，5V	300MHz
Mur480erlg	0.8100	RFQ	20	Onmi	SwitchMode™	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-201aa，do-27，轴向	MUR480	标准		轴向	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													800 v		1.85 V @ 4 A	100 ns	25 µA @ 800 V	-65°C〜175°C	4a	-
2n6519rlra	0.1000	RFQ	12	Onmi	*	大部分	积极的									下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000
KSC2518O	-	RFQ	3298	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	KSC2518		40 W	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1200																						400 v	4 a			10µA（ICBO）			NPN	1V @ 300mA，1.5a	30 @ 300mA，5V	-
SAC782LFVC	0.2100	RFQ	6	Onmi	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.30.0080	1
MMBZ5266ELT1G	0.0200	RFQ	48	Onmi	*	大部分	积极的									-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000
MBR760	1.5800	RFQ	176	Onmi	-	管子	不适合新设计			通过洞	TO-220-2	MBR760	肖特基		TO-220-2L	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													60 V		750 MV @ 7.5 A		500 µA @ 60 V	-65°C〜150°C	7.5a	-
mpsa42zl1g	-	RFQ	5398	Onmi	-	（CT）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	MPSA42		625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																						300 v	500 MA			100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 2mA，20mA	40 @ 30mA，10V	50MHz
1N4745A_S00Z	-	RFQ	5943	Onmi	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4745		1 w	do-41	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000																		5 µA @ 12.2 V									16 V	16欧姆
MB8	0.5100	RFQ	9606	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-269AA，4-Besop	MB8	标准		4-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000																1 V @ 500 MA		5 µA @ 800 V		500 MA				单相	800 v
2N4403BU	0.3700	RFQ	38	Onmi	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	2N4403		625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																						40 V	600 MA			-			PNP	750mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	200MHz
2n4403rlrmg	-	RFQ	7151	Onmi	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	2N4403		625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																						40 V	600 MA			-			PNP	750mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	200MHz
SZ2570-18T3	1.0000	RFQ	3600	Onmi	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0050	2,500
FJX3011RTF	-	RFQ	7919	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SC-70，SOT-323	FJX301		200兆	SOT-323	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																						40 V	100 ma			100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 1mA，10mA	100 @ 1mA，5V	250 MHz	22 KOHMS
FDMS8662	-	RFQ	9116	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDMS86	MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	28a（28a），49a （TC）	4.5V，10V	2mohm @ 28a，10v	3V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V	6420 PF @ 15 V	-	2.5W（ta），83W（tc）
FDD8876	1.5400	RFQ	2	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD887	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	（15A）（ta），73a（tc）	4.5V，10V	8.2MOHM @ 35A，10V	2.5V @ 250µA	47 NC @ 10 V	±20V	1700 pf @ 15 V	-	70W（TC）
2N5088	-	RFQ	5410	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2N5088		625兆	TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	5,000																						30 V	50 mA			50NA（iCBO）			NPN	500mv @ 1mA，10mA	300 @ 100µA，5V	50MHz
SZMMBZ5232BLT1G	0.1800	RFQ	3	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SZMMBZ5232		225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																900 mv @ 10 ma		5 µA @ 3 V									5.6 v	11欧姆
FDPF680N10T	1.6500	RFQ	821	Onmi	PowerTrench®	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FDPF680	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	12A（TC）	10V	68mohm @ 6a，10v	4.5V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	1000 pf @ 50 V	-	24W（TC）
BD13710STU	-	RFQ	2584	Onmi	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD13710		1.25 w	TO-126-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	60																						60 V	1.5 a			100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 50mA，500mA	63 @ 150mA，2V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²