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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
MMBZ5228BLT1	-	RFQ	3607	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBZ52			225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																			900 mv @ 10 ma		10 µA @ 1 V													3.9 v	23欧姆
BZX85C16	0.3200	RFQ	6	Onmi	-	大部分	积极的	±6％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	BZX85C16			1 w	do-41	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																			1.2 V @ 200 ma		500 na @ 11 V													16 V	15欧姆
NTND31015NZTAG	0.4200	RFQ	44	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-xflga	NTND31015		MOSFET （金属 o化物）	125MW	6-xllga（0.9x0.65）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000	2 n 通道（双）					20V	200mA		1.5OHM @ 100mA，4.5V	1V @ 250µA	-		12.3pf @ 15V	-
szmmsz5247bt1g	0.3700	RFQ	29	Onmi	汽车，AEC-Q101，SZMMSZ52XXXT1G	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123	SZMMSZ52			500兆	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																			900 mv @ 10 ma		100 na @ 13 V													17 V	19欧姆
MPSA42	0.4300	RFQ	39	Onmi	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	MPSA42			625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000																										300 v	500 MA						100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 2mA，20mA	40 @ 30mA，10V	50MHz
MMSZ4689T1G	0.2300	RFQ	5564	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123	MMSZ4689			500兆	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																			900 mv @ 10 ma		10 µA @ 3 V													5.1 v
FDMC15N06	0.7788	RFQ	6654	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	FDMC15		MOSFET （金属 o化物）		8-mlp（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道			55 v	2.4A（TA），15a （TC）	10V	900mohm @ 15a，10v	4V @ 250µA	11.5 NC @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	2.3W（35W），35W（tc）
mur1660ctg	2.1600	RFQ	3676	Onmi	SwitchMode™	管子	积极的			通过洞	TO-220-3	Mur1660		标准		TO-220	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	MUR1660CTGOS	Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														1对普通阴极	600 v	8a	1.5 V @ 8 A	60 ns	10 µA @ 600 V	-65°C〜175°C
BAS35	0.3900	RFQ	5	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAS35		标准		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度														1对公共阳极	120 v	200mA	1 V @ 200 MA	50 ns	100 NA @ 90 V	150°C （最大）
BAT54C_D87Z	-	RFQ	1711年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAT54		肖特基		SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	10,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度														1对普通阴极	30 V	200mA	800 mv @ 100 ma	5 ns	2 µA @ 25 V	-55°C〜150°C
MMUN2113LT3	-	RFQ	1237	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMUN2113			246兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000																										50 V	100 ma						500NA			pnp-预先偏见	250mv @ 300µA，10mA	80 @ 5mA，10v		47科姆斯	47科姆斯
提示42	-	RFQ	6291	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	提示42			2 w	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	200																										40 V	6 a						700µA			PNP	1.5V @ 600mA，6a	15 @ 3a，4V	3MHz
HUF756313	-	RFQ	6815	Onmi	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	HUF75		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400			n通道			100 v	33A（TC）	10V	40mohm @ 33a，10v	4V @ 250µA	79 NC @ 20 V	±20V	1220 pf @ 25 V	-	120W（TC）
2N6038G	-	RFQ	2428	Onmi	-	大部分	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	2N6038			40 W	TO-126	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500																										60 V	4 a						100µA			npn-达灵顿	3V @ 40mA，4a	750 @ 2a，3v	-
NTD4815N-1G	-	RFQ	3669	Onmi	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	NTD48		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道			30 V	6.9a（ta），35a（tc）	4.5V，11.5V	15mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	6.6 NC @ 4.5 V	±20V	770 pf @ 12 V	-	1.26W（TA），32.6W（tc）
BZX84C20LT3	-	RFQ	6907	Onmi	BZX84CXXXLT1G	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±6％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZX84C20			225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000																			900 mv @ 10 ma		50 na @ 14 V													20 v	55欧姆
FGD3040G2-F085D	-	RFQ	1620年	Onmi	-	大部分	过时的					FGD3040					-					Ear99	8541.29.0095	1
SBZBZX84C10LT3	0.0200	RFQ	650	Onmi	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0050	10,000
But11a	1.7800	RFQ	1	Onmi	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	But11			100 W	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	200																										450 v	5 a						1ma			NPN	1.5V @ 500mA，2.5a	-	-
BC849CLT1G	0.1400	RFQ	4	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC849			300兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																										30 V	100 ma						15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	100MHz
NSVBC848CDW1T1G	0.0735	RFQ	2439	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	NSVBC848			380MW	SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																										30V	100mA						15NA（icbo）			2 NPN （双）	600mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	100MHz
NSR05201MX4T5G	0.0709	RFQ	8225	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			-		NSR05201		-			-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			0000.00.0000	10,000		-																				-	-	-
kse182stu	-	RFQ	9910	Onmi	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	KSE18			1.5 w	TO-126-3	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	60																										80 V	3 a						100NA（ICBO）			NPN	1.7V @ 600mA，3a	50 @ 100mA，1V	50MHz
MR2502	-	RFQ	3958	Onmi	-	大部分	过时的			表面安装	微型按钮	MR25		标准		微型按钮	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	MR2502OS	Ear99	8541.10.0080	5,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）															200 v		1.18 V @ 78.5 A		100 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	25a	-
MM5Z7V5T1	-	RFQ	4268	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±6％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523	MM5Z7			200兆	SOD-523	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																			900 mv @ 10 ma		1 µA @ 5 V													7.5 v	15欧姆
PCFG40T65SQF	-	RFQ	2037	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	死		标准			晶圆	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	488-PCFG40T65SQFTR	Ear99	8541.29.0040	2,500				-																					现场停止	650 v		160 a	2.1V @ 15V，40a	-	80 NC	-
NSVMMBTH10LT1G	0.4200	RFQ	6	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	NSVMMBTH10			225MW	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000					-																					25V	-									NPN		60 @ 4mA，10v	650MHz			-
FDD9509L	-	RFQ	3302	Onmi	-	大部分	过时的										-			到达不受影响	488-FDD9509L	过时的		1
RB520S30	-	RFQ	5946	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SC-79，SOD-523F	RB520		肖特基		SOD-523F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	8,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度															30 V		600 mv @ 200 ma		1 µA @ 10 V	-55°C〜125°C	200mA	-
FDB3652	2.2200	RFQ	5895	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FDB365		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道			100 v	（9A）（61A）（61a tc）	6V，10V	16mohm @ 61a，10v	4V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±20V	2880 pf @ 25 V	-	150W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²