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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	（CIES） @ vce	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
5HN02N	-	RFQ	9035	Onmi	-	大部分	过时的		150°C	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			MOSFET （金属 o化物）			3-np	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-5HN02N-488			1			n通道		50 V	200ma（ta）	4V，10V	2.3OHM @ 100mA，10V	2.4V @ 100µA	1.86 NC @ 10 V	±20V	22 pf @ 10 V	-	400MW（TA）
mmsz2v4t3g	-	RFQ	9445	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123	mmsz2v			500兆		SOD-123	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000																		900 mv @ 10 ma		50 µA @ 1 V																	2.4 v	100欧姆
NRVS3JB	0.1502	RFQ	6569	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计			表面安装	DO-214AA，SMB	NRVS3		标准			DO-214AA（SMB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）														600 v		1.15 V @ 3 A	1.5 µs	10 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	3a	40pf @ 4V，1MHz
NSVPZTA92T1G	0.4700	RFQ	7932	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	NSVPZTA92			1.5 w		SOT-223（TO-261）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																									300 v	500 MA									250NA						PNP	500mv @ 2mA，20mA	40 @ 30mA，10V	50MHz
2SA1371D	0.1000	RFQ	16	Onmi	*	大部分	积极的											下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1
RGP10K	0.4100	RFQ	6	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向	RGP10		标准			do-41	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														800 v		1.3 V @ 1 A	500 ns	5 µA @ 800 V	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
MMSZ5255ET1	-	RFQ	7070	Onmi	*		过时的					MMSZ52						-		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	3,000
NTMFS4C06NBT1G	1.3500	RFQ	2515	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4		MOSFET （金属 o化物）			5-DFN （5x6）（8-SOFL）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道		30 V	20A（20A），69A （TC）	4.5V，10V	4mohm @ 30a，10v	2.1V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±20V	1683 PF @ 15 V	-	2.55W（TA），30.5W（tc）
MTAJ3055EL	0.4700	RFQ	36	Onmi	*	大部分	积极的											-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1
NVMFS5C442NLWFAFT1G	2.3000	RFQ	7857	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5		MOSFET （金属 o化物）			5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道		40 V	29A（ta），130a （TC）	4.5V，10V	2.5MOHM @ 50a，10v	2V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V	3100 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），83W（tc）
FQD7P20TM_F080	-	RFQ	5063	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD7		MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道		200 v	5.7A（TC）	10V	690MOHM @ 2.85a，10V	5V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±30V	770 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），55W（tc）
FGPF30N30	-	RFQ	5295	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FGPF3	标准		46 W		TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1				-																				-	300 v		80 a	1.5V @ 15V，10A	-	39 NC	-
TM3055-TL-E-ON	0.2000	RFQ	59	Onmi	*	大部分	积极的					TM3055		-				-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	700													-
SBT150-04Y-DL-E	-	RFQ	3662	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SBT150		肖特基			SMP-FD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1对普通阴极	40 V	15a	550 mv @ 6 a		200 µA @ 20 V	-55°C〜150°C
FQB27P06TM	2.0600	RFQ	9234	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FQB27		MOSFET （金属 o化物）			d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			P通道		60 V	27a（TC）	10V	70MOHM @ 13.5A，10V	4V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±25V	1400 pf @ 25 V	-	3.75W（TA），120W（tc）
NXH35C120L2C2S1G	60.6317	RFQ	7919	Onmi	-	管子	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	26-PowerDip 模块（1.199英寸，47.20mm）	NXH35			20兆	三相桥梁整流器	26浸	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NXH35C120L2C2S1G	Ear99	8541.29.0095	6	三期逆变器																							-	1200 v	35 a		2.4V @ 15V，35a							250 µA	是的			8.33 NF @ 20 V
SFH9240	-	RFQ	7431	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	SFH924		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SFH9240FS	Ear99	8541.29.0095	30			P通道		200 v	11A（TC）	10V	500MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	59 NC @ 10 V	±30V	1585 pf @ 25 V	-	126W（TC）
TIS75	-	RFQ	4675	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	TIS75			350兆		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000			n通道									18pf @ 10V（vgs）																				30 V	8 ma @ 15 V	800 mv @ 4 na						60欧姆
PCFG40T65SQF	-	RFQ	2037	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	死		标准				晶圆	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	488-PCFG40T65SQFTR	Ear99	8541.29.0040	2,500				-																				现场停止	650 v		160 a	2.1V @ 15V，40a	-	80 NC	-
SZ1SMA5939BT3G	0.8800	RFQ	3	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	do-214ac，SMA	SZ1SMA5939			1.5 w		SMA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000																		1.5 V @ 200 ma		500 NA @ 29.7 V																	39 v	45欧姆
NRVBA210LT3G	-	RFQ	1786年	Onmi	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			表面安装	do-214ac，SMA			肖特基			SMA	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-NRVBA210LT3G-488			1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														10 v		350 mv @ 2 a		700 µA @ 10 V	-55°C〜125°C	2a	-
NTD4810NHT4G	-	RFQ	8302	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTD48		MOSFET （金属 o化物）			DPAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		30 V	（9A）（ta），54a（tc）	4.5V，11.5V	10mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	12 nc @ 4.5 V	±20V	1225 pf @ 12 V	-	1.28W（TA），50W（TC）
HUFA753093	-	RFQ	7527	Onmi	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	HUFA75		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400			n通道		55 v	19a（tc）	10V	70mohm @ 19a，10v	4V @ 250µA	24 NC @ 20 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	55W（TC）
NTMS4503NR2G-001	1.0800	RFQ	108	Onmi	*	大部分	积极的					NTMS4503		-				-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	2,500													-
EFC6604R-Tr	-	RFQ	8346	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	6-XFBGA	EFC6604		MOSFET （金属 o化物）	1.6W		6-EFCP（1.9x1.46）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（双）				-	-		-	-	29nc @ 4.5V		-	逻辑水平门，2.5V
NRVHP420MFDT3G	0.4291	RFQ	5734	Onmi	汽车，AEC-Q101，SwitchMode™	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	8-POWERTDFN	NRVHP420		标准			8-dfn（5x6）（SO8FL偶）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													2独立	200 v	2a	1.1 V @ 6 A	30 ns	500 na @ 200 V	-55°C 〜175°C
2N5457_L99Z	-	RFQ	7846	Onmi	-	大部分	过时的		135°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2N5457			310 MW		TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000			n通道		25 v							7pf @ 15V																				25 v	5 ma @ 15 V	500 mv @ 10 na
NTMFS5C410NLT3G	4.2635	RFQ	8853	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS5		MOSFET （金属 o化物）			5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道		40 V	46A（TA），302A （TC）	4.5V，10V	0.9MOHM @ 50a，10v	2V @ 250µA	143 NC @ 10 V	±20V	8862 PF @ 25 V	-	3.2W（TA），139w（tc）
SZMM3Z18VST1G	0.5000	RFQ	1101	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-76，SOD-323	SZMM3Z18			300兆		SOD-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																		900 mv @ 100 ma		50 NA @ 12.6 V																	18 V	45欧姆
HUF75639G3	3.5200	RFQ	8370	Onmi	Ultrafet™	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	HUF75639		MOSFET （金属 o化物）			TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道		100 v	56A（TC）	10V	25mohm @ 56a，10v	4V @ 250µA	130 nc @ 20 V	±20V	2000 pf @ 25 V	-	200W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²