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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 fet (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 二极管类型 电压 -峰值反向(最大) 当前 -收集器截止(最大) 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT)) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡
CPH5614-TL-E-ON onsemi CPH5614-TL-E-ON 0.3200
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 CPH5614 - - 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.21.0095 3,000 -
SZNZ8F8V2MX2WT5G onsemi SZNZ8F8V2MX2WT5G 0.0456
RFQ
ECAD 3097 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101,NZ8F 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C 〜150°C(TJ) 表面安装,可润湿的侧面 2-XDFN 250兆 2-x2dfnw((1x0.6) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 488-SZNZ8F8V2MX2WT5GTR Ear99 8541.10.0050 8,000 900 mv @ 10 ma 500 na @ 5 v 8.2 v 30欧姆
SURS8360T3 onsemi SURS8360T3 -
RFQ
ECAD 9543 0.00000000 Onmi - 大部分 积极的 表面安装 DO-214AB,SMC 标准 SMC - 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.25 V @ 3 A 75 ns 10 µA @ 600 V -65°C〜175°C 3a -
MMSZ13T1 onsemi MMSZ13T1 -
RFQ
ECAD 4995 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±5% -55°C〜150°C 表面安装 SOD-123 MMSZ13 500兆 SOD-123 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 900 mv @ 10 ma 100 na @ 8 V 13 V 30欧姆
1N979B_T50A onsemi 1N979B_T50A -
RFQ
ECAD 6127 0.00000000 Onmi - (TB) 过时的 ±5% -65°C 〜200°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N979 500兆 do-35 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 42.6 V 56 v 150欧姆
NRVBD660CTT4 onsemi NRVBD660CTT4 0.4500
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 - Rohs不合规 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500
NVD5C434NT4G onsemi NVD5C434NT4G 3.5700
RFQ
ECAD 5248 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 NVD5C434 MOSFET (金属 o化物) DPAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 40 V 163a(TC) 10V 2.1MOHM @ 50a,10v 4V @ 250µA 80.6 NC @ 10 V ±20V 5400 PF @ 25 V - 117W(TC)
NRVUS2MA onsemi NRVUS2MA 0.4800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-214ac,SMA NRVUS2 标准 DO-214AC(SMA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 7,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1000 v 1.7 V @ 1.5 A 75 ns 5 µA @ 1000 V -55°C〜150°C 1.5a 30pf @ 4V,1MHz
3N250 onsemi 3N250 -
RFQ
ECAD 8227 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C〜165°C(TJ) 通过洞 4-sip,kbpm 3N25 标准 kbpm 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 30 1 V @ 1 A 5 µA @ 600 V 1.5 a 单相 600 v
NZ8F3V6MX2WT5G onsemi NZ8F3V6MX2WT5G 0.0428
RFQ
ECAD 1935年 0.00000000 Onmi NZ8F 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±6.94% -65°C 〜150°C(TJ) 表面安装,可润湿的侧面 2-XDFN 250兆 2-x2dfnw((1x0.6) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 8,000 900 mv @ 10 ma 10 µA @ 1 V 3.6 v 100欧姆
FQPF10N60CF onsemi FQPF10N60CF -
RFQ
ECAD 1871年 0.00000000 Onmi FRFET® 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 FQPF1 MOSFET (金属 o化物) TO-220F-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 9A(TC) 10V 800MOHM @ 4.5A,10V 4V @ 250µA 57 NC @ 10 V ±30V 2040 pf @ 25 V - 50W(TC)
NTMFS4927NT3G onsemi NTMFS4927NT3G 0.5700
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Powertdfn,5个线索 NTMFS4927 MOSFET (金属 o化物) 5-DFN (5x6)(8-SOFL) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 30 V 7.9a(ta),38a tc) 4.5V,10V 7.3mohm @ 30a,10v 2.2V @ 250µA 16 NC @ 10 V ±20V 913 PF @ 15 V - (920MW)(TA),20.8W tc)
BZX55C7V5_T50R onsemi BZX55C7V5_T50R -
RFQ
ECAD 3300 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±6% -65°C 〜200°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 BZX55C7 500兆 do-35 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 5,000 1.3 V @ 100 mA 100 na @ 5 V 7.5 v 7欧姆
2SK4099LS onsemi 2SK4099L -
RFQ
ECAD 5656 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 2SK4099 MOSFET (金属 o化物) TO-220FI(LS) - (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 100 n通道 600 v 6.9a(TC) 10V 940MOHM @ 4A,10V 5V @ 1mA 29 NC @ 10 V ±30V 750 pf @ 30 V - 2W(TA),35W(tc)(TC)
NTMFS5844NLT1G onsemi NTMFS5844NLT1G -
RFQ
ECAD 1647年 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 8-Powertdfn,5个线索 NTMFS5844 MOSFET (金属 o化物) 5-DFN (5x6)(8-SOFL) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 60 V 11.2a(ta) 4.5V,10V 12mohm @ 10a,10v 2.3V @ 250µA 30 NC @ 10 V ±20V 1460 pf @ 25 V - 3.7W(TA),107W(tc)
MMBF170 onsemi MMBF170 0.4000
RFQ
ECAD 4063 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MMBF17 MOSFET (金属 o化物) SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 60 V 500mA(ta) 10V 5ohm @ 200mA,10v 3V @ 1mA ±20V 40 pf @ 10 V - 300MW(TA)
CPH5513-TL-E onsemi CPH5513-TL-E 0.2700
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000
NZ8F6V8SMX2WT5G onsemi NZ8F6V8SMX2WT5G 0.0456
RFQ
ECAD 2131 0.00000000 Onmi NZ8F 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2.35% -65°C 〜150°C(TJ) 表面安装,可润湿的侧面 2-XDFN 250兆 2-x2dfnw((1x0.6) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 488-NZ8F6V8SMX2WT5GTR Ear99 8541.10.0050 8,000 900 mv @ 10 ma 500 NA @ 3.5 V 6.8 v 40欧姆
BZX55C4V3 onsemi BZX55C4V3 -
RFQ
ECAD 6771 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 ±7% -65°C 〜200°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 BZX55C4 500兆 do-35 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,000 1.3 V @ 100 mA 1 µA @ 1 V 4.3 v 75欧姆
MPSA42RLRP onsemi MPSA42RLRP -
RFQ
ECAD 8329 0.00000000 Onmi - (TB) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3) MPSA42 625兆 TO-92(to-226) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,000 300 v 500 MA 100NA(ICBO) NPN 500mv @ 2mA,20mA 25 @ 1mA,10v 50MHz
SMSZ1010T1G onsemi SMSZ1010T1G 0.0200
RFQ
ECAD 54 0.00000000 Onmi * 大部分 过时的 - Rohs不合规 供应商不确定 2156-SMSZ1010T1G Ear99 8542.39.0001 1
MMSZ2V4T3G onsemi mmsz2v4t3g -
RFQ
ECAD 9445 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±5% -55°C〜150°C 表面安装 SOD-123 mmsz2v 500兆 SOD-123 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 900 mv @ 10 ma 50 µA @ 1 V 2.4 v 100欧姆
NRVS3JB onsemi NRVS3JB 0.1502
RFQ
ECAD 6569 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 表面安装 DO-214AA,SMB NRVS3 标准 DO-214AA(SMB) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 1.15 V @ 3 A 1.5 µs 10 µA @ 600 V -55°C〜150°C 3a 40pf @ 4V,1MHz
NSVPZTA92T1G onsemi NSVPZTA92T1G 0.4700
RFQ
ECAD 7932 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-261-4,TO-261AA NSVPZTA92 1.5 w SOT-223(TO-261) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 1,000 300 v 500 MA 250NA PNP 500mv @ 2mA,20mA 40 @ 30mA,10V 50MHz
2SA1371D onsemi 2SA1371D 0.1000
RFQ
ECAD 16 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 1
RGP10K onsemi RGP10K 0.4100
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 RGP10 标准 do-41 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 800 v 1.3 V @ 1 A 500 ns 5 µA @ 800 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
MMSZ5255ET1 onsemi MMSZ5255ET1 -
RFQ
ECAD 7070 0.00000000 Onmi * 过时的 MMSZ52 - (1 (无限) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 3,000
NTMFS4C06NBT1G onsemi NTMFS4C06NBT1G 1.3500
RFQ
ECAD 2515 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Powertdfn,5个线索 NTMFS4 MOSFET (金属 o化物) 5-DFN (5x6)(8-SOFL) - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 30 V 20A(20A),69A (TC) 4.5V,10V 4mohm @ 30a,10v 2.1V @ 250µA 26 NC @ 10 V ±20V 1683 PF @ 15 V - 2.55W(TA),30.5W(tc)
MTAJ3055EL onsemi MTAJ3055EL 0.4700
RFQ
ECAD 36 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 - 不适用 3(168)) 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 1
NVMFS5C442NLWFAFT1G onsemi NVMFS5C442NLWFAFT1G 2.3000
RFQ
ECAD 7857 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 8-Powertdfn,5个线索 NVMFS5 MOSFET (金属 o化物) 5-DFN (5x6)(8-SOFL) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 40 V 29A(ta),130a (TC) 4.5V,10V 2.5MOHM @ 50a,10v 2V @ 250µA 50 NC @ 10 V ±20V 3100 pf @ 25 V - 3.7W(TA),83W(tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库