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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	功率 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	triac类型	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
afghl25t120rl	-	RFQ	4035	Onmi	汽车，AEC-Q101	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	afghl25	标准		400 w	TO-247-3	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-AFGHL25T120RL	Ear99	8541.29.0095	450					600V，25A，5OHM，15V																					159 ns					沟渠场停止	1250 v	48 a	100 a	2V @ 15V，25a	（1.94mj）（730µJ off）	277 NC	27.2NS/116NS
NVTFS040N10MCLTAG	0.2880	RFQ	5499	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn			MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NVTFS040N10MCLTAGTR	Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道			100 v	6.1a（TA），21a （TC）	4.5V，10V	38mohm @ 5A，10V	3V @ 26µA	8.6 NC @ 10 V	±20V	520 pf @ 50 V	-	3.1W（TA），36W（TC）
NTMFS002N10MCLT1G	3.3700	RFQ	961	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索			MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道			100 v	22a（22a），175a （TC）	4.5V，10V	2.8mohm @ 50a，10v	3V @ 351µA	97 NC @ 10 V	±20V	7200 PF @ 50 V	-	3W（3W），189W（tc）
NVTFWS070N10MCLTAG	0.3585	RFQ	1945年	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn			MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NVTFWS070N10MCLTAGTR	Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道			100 v	4.5A（TA），13A （TC）	4.5V，10V	65mohm @ 3a，10v	3V @ 15µA	5.5 NC @ 10 V	±20V	305 pf @ 50 V	-	2.9W（25W），25W（tc）
NXH010P120MNF1PTG	179.9900	RFQ	4791	Onmi	-	托盘	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	NXH010		（SIC）	250W（TJ）	-	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NXH010P120MNF1PTG	Ear99	8541.29.0095	28	2 n 通道（双）公共来源					1200V（1.2kV）	114a（TC）		14mohm @ 100a，20v	4.3V @ 40mA	454NC @ 20V		4707pf @ 800V	-
NXH010P90MNF1PG	-	RFQ	3288	Onmi	-	托盘	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	NXH010		（SIC）	328W（TJ）	-	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NXH010P90MNF1PG	Ear99	8541.29.0095	28	2 n 通道（双）公共来源					900V	154a（TC）		14mohm @ 100a，15v	4.3V @ 40mA	546.4NC @ 15V		7007pf @ 450V	-
NVBLS0D5N04CTXGAW	-	RFQ	2792	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powersfn			MOSFET （金属 o化物）		8-hpsof	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NVBLS0D5N04CTXGAWTR	Ear99	8541.29.0095	1			n通道			40 V	65A（TA），300A （TC）	10V	0.57MOHM @ 50a，10V	4V @ 475µA	185 NC @ 10 V	+20V，-16V	12600 PF @ 25 V	-	4.3W（TA），198.4W tc）
SURS283T3-1G-VF01	-	RFQ	6789	Onmi	-	大部分	过时的										-			到达不受影响	488-SURS283T3-1G-VF01	Ear99	8541.10.0080	1
FGD3040G2-SN00401V	-	RFQ	3958	Onmi	-	大部分	过时的					FGD3040					-			到达不受影响	488-FGD3040G2-SN00401V	Ear99	8541.29.0095	1
FDBL86366-F085AW	-	RFQ	2818	Onmi	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powersfn	FDBL86366		MOSFET （金属 o化物）		8-hpsof	-			到达不受影响	488-FDBL86366-F085AWTR	Ear99	8541.29.0095	1			n通道			80 V	220A（TC）	10V	3mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	112 NC @ 10 V	±20V	6320 PF @ 40 V	-	300W（TJ）
FDBL9403-F085T6AW	-	RFQ	4614	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powersfn			MOSFET （金属 o化物）		8-hpsof	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-FDBL9403-F085T6AWTR	Ear99	8541.29.0095	1			n通道			40 V	50a（50A），300A （TC）	10V	0.95MOHM @ 50a，10V	4V @ 250µA	108 NC @ 10 V	+20V，-16V	6985 PF @ 25 V	-	4.3W（TA），159.6W（TC）
NTMFS4935NT1G-IRH1	-	RFQ	6544	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索			MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	-			到达不受影响	488-NTMFS4935NT1G-IRH1	Ear99	8541.29.0095	1			n通道			30 V	13a（13A），93A （TC）	4.5V，10V	3.2MOHM @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	49.4 NC @ 10 V	±20V	4850 pf @ 15 V	-	930MW（TA），48W （TC）
SFGH25N120FTD	-	RFQ	1609年	Onmi	FGH	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SFGH25N	标准		313 w	TO-247-3	-			到达不受影响	488-SFGH25N120FTD	Ear99	8541.29.0095	1					600V，25a，10ohm，15V																					535 ns					沟渠场停止	1200 v	50 a	75 a	2V @ 15V，25a	1.42mj（在）上，1.16mj Off）	169 NC	26NS/151NS
sfgh30n60lsdtu	-	RFQ	6489	Onmi	FGH	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SFGH30N	标准		480 w	TO-247-3	-			到达不受影响	488-SFGH30N60LSDTU	Ear99	8541.29.0095	1					400V，30a，6.8Ohm，15V																					40 ns					pt	600 v	60 a	90 a	1.4V @ 15V，30a	1.1MJ（在）上，21MJ（21MJ）	225 NC	18NS/250NS
1SMA5930BT3G-IRH2	-	RFQ	7034	Onmi	汽车，AEC-Q101	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	do-214ac，SMA	1SMA5930			500兆	SMA	-			到达不受影响	488-1SMA5930BT3G-IRH2	Ear99	8541.10.0050	1																									1.2 V @ 200 ma		500 NA @ 12.2 V													16 V	10欧姆
SURS8360T3G-GA01	-	RFQ	1305	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	DO-214AB，SMC			标准		SMC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-SURS8360T3G-GA01TR	Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																					600 v		1.28 V @ 4 A	75 ns	10 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	4a	-
NRVUS240VT3G-GA01	-	RFQ	9062	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	DO-214AA，SMB			标准		SMB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NRVUS240VT3G-GA01TR	Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																					400 v		1.3 V @ 2 A	65 ns	5 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	2a	-
NRVUS120VT3G-GA01	-	RFQ	3807	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	DO-214AA，SMB			标准		SMB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NRVUS120VT3G-GA01TR	Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																					200 v		875 mv @ 1 a	35 ns	2 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	2a	-
NDSH40120CDN	19.4900	RFQ	7339	Onmi	-	管子	积极的			通过洞	TO-247-3	NDSH40120		SIC （碳化硅）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NDSH40120CDN	Ear99	8541.10.0080	450		没有恢复t> 500mA（IO）																				1对普通阴极	1200 v	20a	1.75 V @ 20 A	0 ns	200 µA @ 1200 V	-55°C 〜175°C
ECH8305-TL-E	0.2300	RFQ	69	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅			MOSFET （金属 o化物）		8-ech	-	不适用				Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道			60 V	4A（ta）		85MOHM @ 2A，10V	-	34 NC @ 10 V		1680 pf @ 20 V	-	1.6W（TA）
BC807-40LT1	0.0500	RFQ	21	Onmi	-	大部分	过时的					BC807					下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000
BC327-40ZL1	0.0400	RFQ	30	Onmi	-	大部分	过时的					BC327					下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000
BC337-25RL1	0.0500	RFQ	30	Onmi	-	大部分	过时的					BC337					下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000
Mac12d	-	RFQ	7575	Onmi	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-3	Mac12				TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	50	单身的			40 MA												标准	400 v	12 a	1.5 v	100A @ 60Hz	35 MA
2SB1274S	0.2000	RFQ	4	Onmi	-	大部分	过时的		-	通过洞	TO-220-3完整包				2 w	TO-220毫升	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0075	100																																60 V	3 a						100µA（ICBO）			PNP	1V @ 200mA，2a	140 @ 500mA，5V	100MHz
NRVBS260NT3G	0.5100	RFQ	5218	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	DO-214AA，SMB	NRVBS260		肖特基		SMB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																					60 V		630 mv @ 2 a		200 µA @ 60 V	-55°C〜125°C	2a	-
NTD20N03L27T4	0.3700	RFQ	1	Onmi	-	大部分	过时的			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTD20		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道			30 V	20A（TA）		27mohm @ 10a，5v	2V @ 250µA	18.9 NC @ 10 V		1260 pf @ 25 V	-
CPH6434-TL-E	0.2300	RFQ	168	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6			MOSFET （金属 o化物）		6-CPH	-	不适用				Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道			30 V	6a（6a）		41MOHM @ 3A，4V	-	7 NC @ 4 V		790 pf @ 10 V	-	1.6W（TA）
2N4401RLRP	1.0000	RFQ	8926	Onmi	-	大部分	过时的					2N4401					下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000
MJE200	-	RFQ	2648	Onmi	-	大部分	过时的		-	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	MJE200			15 W	TO-126	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500																																40 V	5 a						-			NPN	1.8V @ 1a，5a	45 @ 2a，1V	65MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²