SIC
close
参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 功率 -最大 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet 测试条件 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f IGBT类型 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电流 -icm) (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic 切换能量 门充电 TD (开/关) @ 25°C 当前 -收集器截止(最大) NTC热敏电阻 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT)) (CIES) @ vce 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡
NRTS6100PFST3G onsemi NRTS6100PFST3G 0.9000
RFQ
ECAD 4875 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-277,3-PowerDfn 肖特基 TO-277-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 680 mv @ 6 a 50 µA @ 100 V -55°C 〜175°C 6a 827pf @ 1V,1MHz
FFSH30120A-F155 onsemi FFSH30120A-F155 17.1800
RFQ
ECAD 440 0.00000000 Onmi - 托盘 积极的 通过洞 TO-247-2 SIC (碳化硅) TO-247-2 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 488-FFSH30120A-F155 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 1200 v 1.75 V @ 30 A 0 ns 200 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 46a 1740pf @ 1V,100kHz
SZMM5Z4702T5G onsemi SZMM5Z4702T5G 0.0574
RFQ
ECAD 5137 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101,SZMM5Z4XXXTXG 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SC-79,SOD-523 500兆 SOD-523 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 488-SZMM5Z4702T5GTR Ear99 8541.10.0050 8,000 900 mv @ 10 ma 50 NA @ 11.4 V 15 v
NTTFD021N08C onsemi NTTFD021N08C 3.2800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 12-PowerWQFN NTTFD021 MOSFET (金属 o化物) 1.7W(ta),26W(26W)TC) 12-wqfn(3.3x3.3) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道(双) 80V 6a(6A),24A (TC) 21MOHM @ 7.8A,10V 4V @ 44µA 8.4nc @ 10V 572pf @ 40V -
NZ8F4V3SMX2WT5G onsemi NZ8F4V3SMX2WT5G 0.0456
RFQ
ECAD 4387 0.00000000 Onmi NZ8F 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±3.37% -65°C 〜150°C(TJ) 表面安装,可润湿的侧面 2-XDFN 250兆 2-x2dfnw((1x0.6) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 488-NZ8F4V3SMX2WT5GTR Ear99 8541.10.0050 8,000 900 mv @ 10 ma 5 µA @ 1 V 4.3 v 100欧姆
BC848CLT3G onsemi BC848CLT3G 0.0163
RFQ
ECAD 2818 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BC848 225兆 SOT-23-3(TO-236) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 488-BC848CLT3GTR Ear99 8541.21.0075 10,000 30 V 100 ma 15NA(icbo) NPN 600mv @ 5mA,100mA 420 @ 2mA,5V 100MHz
NVTYS029N08HTWG onsemi NVTYS029N08HTWG 0.3818
RFQ
ECAD 6625 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 SOT-12205,8-LFPAK56 MOSFET (金属 o化物) 8-lfpak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 488-NVTYS029N08HTWGTR Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 80 V 6.4a(TA),21a (TC) 10V 32.4mohm @ 5A,10V 4V @ 20µA 6.3 NC @ 10 V ±20V 369 pf @ 40 V - 3.1W(TA),33W(tc)
NZ8F22VSMX2WT5G onsemi NZ8F22VSMX2WT5G 0.0754
RFQ
ECAD 6046 0.00000000 Onmi NZ8F 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2.32% -65°C 〜150°C(TJ) 表面安装,可润湿的侧面 2-XDFN 250兆 2-x2dfnw((1x0.6) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 488-NZ8F22VSMX2WT5GTR Ear99 8541.10.0050 8,000 900 mv @ 10 ma 100 na @ 16.8 V 22 v 55欧姆
NZD4V7MUT5G onsemi NZD4V7MUT5G 0.0348
RFQ
ECAD 4471 0.00000000 Onmi NZD5V1MU 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 0201(0603公制) 200兆 2-x3dfn(0.6x0.3)(0201) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 488-NZD4V7MUT5GTR Ear99 8541.10.0050 10,000 1.1 V @ 10 mA 2 µA @ 1 V 4.7 v 100欧姆
NRTS6100TFSTAG onsemi NRTS6100TFSTAG 0.2636
RFQ
ECAD 1921年 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 8-Powerwdfn 肖特基 8-WDFN(3.3x3.3) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 488-NRTS6100TFSTAGTR Ear99 8541.10.0080 1,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 680 mv @ 6 a 50 µA @ 100 V -55°C 〜175°C 6a 782pf @ 1V,1MHz
SZNZ8F9V1SMX2WT5G onsemi SZNZ8F9V1SMX2WT5G 0.0691
RFQ
ECAD 5516 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101,NZ8F 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2.31% -65°C 〜150°C(TJ) 表面安装,可润湿的侧面 2-XDFN 250兆 2-x2dfnw((1x0.6) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 8,000 900 mv @ 10 ma 500 na @ 6 V 9.1 v 30欧姆
NTTBC070NP10M5L onsemi NTTBC070NP10M5L 1.1000
RFQ
ECAD 8078 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Powerwdfn NTTBC070 MOSFET (金属 o化物) 1.9W(14W),14W tc),1.9W(ta(10W ta)(10W tc) 8-wdfn (3x3) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 100V 3.5a(ta),9.5a tc),2.2a(ta(5a ta)(5a tc) 70MOHM @ 1.3A,10V,186MOHM @ 2.2A,10V 3V @ 24µA,4V @ 40µA 5.6nc @ 10V,7.3nc @ 10V 252pf @ 50V,256pf @ 50V -
SZNZ8F6V8MX2WT5G onsemi SZNZ8F6V8MX2WT5G 0.0691
RFQ
ECAD 2366 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101,NZ8F 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C 〜150°C(TJ) 表面安装,可润湿的侧面 2-XDFN 250兆 2-x2dfnw((1x0.6) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 488-SZNZ8F6V8MX2WT5GTR Ear99 8541.10.0050 8,000 900 mv @ 10 ma 500 NA @ 3.5 V 6.8 v 40欧姆
HBL2050RP onsemi HBL2050RP -
RFQ
ECAD 3619 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 - rohs3符合条件 到达不受影响 488-HBL2050RP 过时的 1
BCV27-SN00397 onsemi BCV27-SN00397 -
RFQ
ECAD 7130 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 BCV27 - rohs3符合条件 到达不受影响 488-BCV27-SN00397 过时的 1
NTMFS4C13NBT1G onsemi NTMFS4C13NBT1G 0.2100
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Powertdfn,5个线索 MOSFET (金属 o化物) 5-DFN (5x6)(8-SOFL) 下载 Rohs不合规 供应商不确定 2156-NTMFS4C13NBT1G Ear99 8541.29.0095 1 n通道 30 V 7.2A(ta),38a tc) 4.5V,10V 9.1mohm @ 30a,10v 2.1V @ 250µA 15.2 NC @ 10 V ±20V 770 pf @ 15 V - 750MW(TA),21.6W (TC)
SMSZ1010T1G onsemi SMSZ1010T1G 0.0200
RFQ
ECAD 54 0.00000000 Onmi * 大部分 过时的 - Rohs不合规 供应商不确定 2156-SMSZ1010T1G Ear99 8542.39.0001 1
SBC847BWT1G-M02 onsemi SBC847BWT1G-M02 0.0600
RFQ
ECAD 243 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 150°C(TJ) 表面安装 SC-70,SOT-323 310 MW SC-70-3(SOT323) - Rohs不合规 供应商不确定 2156-SBC847BWT1G-M02 Ear99 8541.21.0095 1 45 v 100 ma 15NA(icbo) NPN 600mv @ 5mA,100mA 200 @ 2mA,5V 300MHz
SBC846BWT1G-M02 onsemi SBC846BWT1G-M02 -
RFQ
ECAD 4814 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 150°C(TJ) 表面安装 SC-70,SOT-323 310 MW SC-70-3(SOT323) - Rohs不合规 供应商不确定 Ear99 8541.21.0095 1 65 v 100 ma 15NA(icbo) NPN 600mv @ 5mA,100mA 200 @ 2mA,5V 300MHz
NXH300B100H4Q2F2PG onsemi NXH300B100H4Q2F2PG 203.4500
RFQ
ECAD 3103 0.00000000 Onmi - 托盘 积极的 -40°C〜175°C(TJ) 底盘安装 模块 194 w 标准 27-PIM (71x37.4) 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 488-NXH300B100H4Q2F2PG Ear99 8541.29.0095 12 双重,共同来源 沟渠场停止 1118 v 73 a 2.25V @ 15V,100a 800 µA 是的 6.323 NF @ 20 V
FGHL75T65MQDTL4 onsemi FGHL75T65MQDTL4 6.9100
RFQ
ECAD 450 0.00000000 Onmi - 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-4 标准 375 w TO-247-4L 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 488-FGHL75T65MQDTL4 Ear99 8541.29.0095 30 400V,75A,10欧姆,15V 107 ns 沟渠场停止 650 v 80 a 300 a 1.8V @ 15V,75a 1.2MJ(在)上,1.1MJ off) 149 NC 32NS/181NS
NTD5C632NLT4G onsemi NTD5C632NLT4G 4.8200
RFQ
ECAD 1936年 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 MOSFET (金属 o化物) DPAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 60 V 29a(ta),155a(tc) 4.5V,10V 2.5MOHM @ 50a,10v 2.1V @ 250µA 34 NC @ 4.5 V ±20V 5700 PF @ 25 V - (4W)(115W(ta)(TC)
NTTFS012N10MDTAG onsemi NTTFS012N10MDTAG 1.7000
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Powerwdfn MOSFET (金属 o化物) 8-WDFN(3.3x3.3) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 100 v 9.2A(ta),45a tc) 6V,10V 14.4mohm @ 15a,10v 4V @ 78µA 13 NC @ 10 V ±20V 965 PF @ 50 V - 2.7W(TA),62W(tc)
NVMFWS040N10MCLT1G onsemi NVMFWS040N10MCLT1G 0.4010
RFQ
ECAD 5090 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装,可润湿的侧面 8-Powertdfn,5个线索 MOSFET (金属 o化物) 5-DFNW(4.9x5.9)(8-SOFL-WF) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 488-NVMFWS040N10MCLT1GTR Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 100 v 6.5A(TA),21a (TC) 4.5V,10V 38mohm @ 5A,10V 3V @ 26µA 8.3 NC @ 10 V ±20V 500 pf @ 50 V - 3.5W(TA),36W(TC)
NTHL060N065SC1 onsemi NTHL060N065SC1 16.9800
RFQ
ECAD 560 0.00000000 Onmi - 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 sicfet (碳化硅) TO-247-3 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 488-NTHL060N065SC1 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 650 v 47A(TC) 15V,18V 70mohm @ 20a,18v 4.3V @ 6.5mA 74 NC @ 18 V +22V,-8V 1473 PF @ 325 V - 176W(TC)
MM5Z4678T5G onsemi MM5Z4678T5G 0.0534
RFQ
ECAD 3521 0.00000000 Onmi MM5Z4XXXTXG 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SC-79,SOD-523 MM5Z4678 500兆 SOD-523 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 488-MM5Z4678T5GTR Ear99 8541.10.0050 8,000 900 mv @ 10 ma 7.5 µA @ 1 V 1.8 v
NXH75M65L4Q1SG onsemi NXH75M65L4Q1SG 79.5100
RFQ
ECAD 3647 0.00000000 Onmi - 托盘 积极的 -40°C〜175°C(TJ) 底盘安装 模块 86 W 标准 56-PIM(93x47) 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 488-NXH75M65L4Q1SG Ear99 8541.29.0095 21 半桥 沟渠场停止 650 v 59 a 2.22V @ 15V,75a 300 µA 是的 5.665 NF @ 30 V
NXH040F120MNF1PG onsemi NXH040F120MNF1PG -
RFQ
ECAD 5736 0.00000000 Onmi - 托盘 积极的 -40°C〜175°C(TJ) 底盘安装 模块 NXH040 (SIC) 74W(TJ) 22-PIM (33.8x42.5) 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 488-NXH040F120MNF1PG Ear99 8541.29.0095 28 4 n通道 1200V(1.2kV) 30A(TC) 56mohm @ 25a,20v 4.3V @ 10mA 122.1NC @ 20V 1505pf @ 800V -
NTMFS3D2N10MDT1G onsemi NTMFS3D2N10MDT1G 3.2600
RFQ
ECAD 807 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Powertdfn,5个线索 MOSFET (金属 o化物) 5-DFN (5x6)(8-SOFL) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 100 v (19a(ta),142a(tc) 6V,10V 3.5MOHM @ 50a,10v 4V @ 316µA 71.3 NC @ 10 V ±20V 3900 PF @ 50 V - 2.8W(ta),155W(tc)
AFGHL25T120RL onsemi afghl25t120rl -
RFQ
ECAD 4035 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 afghl25 标准 400 w TO-247-3 - rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 488-AFGHL25T120RL Ear99 8541.29.0095 450 600V,25A,5OHM,15V 159 ns 沟渠场停止 1250 v 48 a 100 a 2V @ 15V,25a (1.94mj)(730µJ off) 277 NC 27.2NS/116NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库