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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
MBRB3030CTG	-	RFQ	2811	Onmi	SwitchMode™	管子	过时的			表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	MBRB3030		肖特基		D²Pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1对普通阴极	30 V	15a	540 mv @ 15 A		600 µA @ 30 V	-55°C 〜175°C
NTMFD0D9N02P1E	-	RFQ	2807	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NTMFD0D9		MOSFET （金属 o化物）	（960MW）（1.04W）	8-pqfn（5x6）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	根据要求获得可用的信息	2832-NTMFD0D9N02P1ETR	Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）				30V，25V	14a（TA），30a（ta）		3mohm @ 20a，10v，720µHomm @ 41a，10v	2V @ 340µA，2V @ 1mA	9NC @ 4.5V，30nc @ 4.5V		1400pf @ 15V，5050pf @ 13V	-
SFT1423-E	-	RFQ	5401	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	SFT142		MOSFET （金属 o化物）		IPAK/TP	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道		500 v	2A（TA）	4V，10V	4.9ohm @ 1A，10V	-	8.7 NC @ 10 V	±20V	175 pf @ 30 V	-	1W（ta），20W（20W）TC）
MMSZ5263BT1G	0.2200	RFQ	4	Onmi	mmsz52xxxt1g	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123	MMSZ526			500兆	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																		900 mv @ 10 ma		100 na @ 43 V													56 v	150欧姆
SZBZX84C7V5ET1G	0.2800	RFQ	37	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SZBZX84			225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																		900 mv @ 10 ma		1 µA @ 5 V													7.5 v	15欧姆
MTP27N06L	0.3300	RFQ	2	Onmi	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1
NTMFS6H852NT1G	0.9600	RFQ	8162	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索			MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道		80 V	10A（10A），40A （TC）	6V，10V	14.2MOHM @ 10A，10V	4V @ 45µA	13 NC @ 10 V	±20V	760 pf @ 40 V	-	3.6W（ta），54W（tc）
1N5383B	-	RFQ	5958	Onmi	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	T-18，轴向	1N5383			5 w	轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000																		1.2 V @ 1 A		500 NA @ 114 V													150 v	330欧姆
KSB810YTA	-	RFQ	5683	Onmi	-	（TB）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	KSB81			350兆	TO-92S	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																									25 v	700 MA						100NA（ICBO）			PNP	400mv @ 70mA，700mA	120 @ 100mA，1V	160MHz
SZ1SMB5924BT3G-VF01	-	RFQ	4487	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	DO-214AA，SMB	SZ1SMB5924			3 W	SMB	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	2,500																		1.5 V @ 200 ma		5 µA @ 7 V													9.1 v	4欧姆
SCH2408-TL-E	-	RFQ	3762	Onmi	-	大部分	过时的		150°C	表面安装	6-SMD，平坦的铅			MOSFET （金属 o化物）	600MW（TA）	6-SCH	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-SCH2408-TL-E-488			1	2 n通道				30V	350mA（ta）		1欧姆 @ 200ma，4V	1.3V @ 100µA	0.87NC @ 4V		28pf @ 10V	逻辑级别门，1.5V
MM3Z5V6T1	-	RFQ	7856	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±7％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-76，SOD-323	MM3Z5			200兆	SOD-323	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																		900 mv @ 10 ma		1 µA @ 2 V													5.6 v	40欧姆
1N5386BRLG	0.4600	RFQ	7137	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	T-18，轴向	1N5386			5 w	轴向	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000																		1.2 V @ 1 A		500 NA @ 137 V													180 v	430欧姆
TLC530TU	-	RFQ	9396	Onmi	-	管子	过时的		-	通过洞	TO-220-3	TLC530		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道		330 v	7a（ta）		-	-				-	-
FQPF13N50CF	3.0200	RFQ	5786	Onmi	FRFET®	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF13		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道		500 v	13A（TC）	10V	540MOHM @ 6.5A，10V	4V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±30V	2055 PF @ 25 V	-	48W（TC）
NTD3055L170G	-	RFQ	6268	Onmi	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTD30		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道		60 V	9a（9a）	5V	170MOHM @ 4.5A，5V	2V @ 250µA	10 NC @ 5 V	±15V	275 pf @ 25 V	-	1.5W（TA），28.5W（tj）
SZMMSZ4714T1G	0.3200	RFQ	2	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123	SZMMSZ4714			500兆	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																		900 mv @ 10 ma		10 na @ 25 V													33 V
NTLUS3A39PZCTBG	-	RFQ	4799	Onmi	µ -Cool™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-Powerufdfn	ntlus3a		MOSFET （金属 o化物）		6-udfn（1.6x1.6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道		20 v	3.4a（ta）	1.5V，4.5V	39mohm @ 4A，4.5V	1V @ 250µA	10.4 NC @ 4.5 V	±8V	920 PF @ 15 V	-	600MW（TA）
MMBF4392LT1	-	RFQ	1285	Onmi	*	（CT）	过时的					MMBF43					下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
下午1点	-	RFQ	1574年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点			3.2 w	Powermite	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	1pmt5921bt1os	Ear99	8541.10.0050	3,000																		1.25 V @ 200 ma		5 µA @ 5.2 V													6.8 v	2.5欧姆
FAM04V18DT1	-	RFQ	4903	Onmi	-	大部分	过时的					FAM04		-			下载				488-FAM04V18DT1	过时的		1													-
NZ8F22VSMX2WT5G	0.0754	RFQ	6046	Onmi	NZ8F	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2.32％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	2-XDFN				250兆	2-x2dfnw（（1x0.6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NZ8F22VSMX2WT5GTR	Ear99	8541.10.0050	8,000																		900 mv @ 10 ma		100 na @ 16.8 V													22 v	55欧姆
MMSZ12T3G	-	RFQ	3694	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123	MMSZ12			500兆	SOD-123	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000																		900 mv @ 10 ma		100 na @ 8 V													12 v	25欧姆
BZX55C43	-	RFQ	4934	Onmi	-	大部分	过时的	±7％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	BZX55C43			500兆	do-35	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000																		1.3 V @ 100 mA		100 na @ 32 V													43 V	90欧姆
afghl40t120rhd	-	RFQ	1619年	Onmi	-	托盘	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	afghl40	标准		400 w	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-AFGHL40T120RHD	Ear99	8541.29.0095	30				600V，40a，5ohm，15V															195 ns					沟渠场停止	1200 v	48 a	160 a	2.4V @ 15V，40a	3.7mj（在）上，1.2MJ off）	277 NC	37NS/150NS
BZX84C4V7LT3G	0.1400	RFQ	76	Onmi	BZX84CXXXLT1G	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±6％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZX84C4			225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000																		900 mv @ 10 ma		3 µA @ 2 V													4.7 v	80欧姆
MBRM120ET3G	0.6500	RFQ	2800	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-216aa	MBRM120		肖特基		Powermite	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	12,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														20 v		530 MV @ 1 A		10 µA @ 20 V	-65°C〜150°C	1a	-
MCH6353-TL-W	0.5100	RFQ	18	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，平坦的铅	MCH6353		MOSFET （金属 o化物）		6-MCPH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道		12 v	6a（6a）	1.5V，4.5V	35mohm @ 3A，4.5V	-	12 nc @ 4.5 V	±10V	1250 pf @ 6 V	-	1.4W（TA）
1N5333BG	0.4900	RFQ	1304	Onmi	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	T-18，轴向	1N5333			5 w	轴向	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000																		1.2 V @ 1 A		300 µA @ 1 V													3.3 v	3欧姆
NTMFS5C677NLT1G	4.8059	RFQ	5192	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS5		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道		60 V	11a（11a），36a （TC）	4.5V，10V	15mohm @ 10a，10v	2V @ 25µA	9.7 NC @ 10 V	±20V	620 pf @ 25 V	-	3.5W（37W），37W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²