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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
NTTFS115P10M5	0.9800	RFQ	3	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn			MOSFET （金属 o化物）			8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道		100 v	2A（TA），13A （TC）	6V，10V	120MOHM @ 2.4a，10V	4V @ 45µA	9.2 NC @ 10 V	±20V	637 PF @ 50 V	-	900MW（TA），41W（tc）
NZ8F20VSMX2WT5G	0.0754	RFQ	6078	Onmi	NZ8F	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2.3％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	2-XDFN				250兆		2-x2dfnw（（1x0.6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NZ8F20VSMX2WT5GTR	Ear99	8541.10.0050	8,000																900 mv @ 10 ma		100 na @ 15.4 V														20 v	55欧姆
NTC040N120SC1	20.2120	RFQ	7383	Onmi	-	托盘	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	死			sicfet （碳化硅）			死	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NTC040N120SC1	Ear99	8541.29.0095	1			n通道		1200 v	60a（TC）	20V	56mohm @ 35a，20v	4.3V @ 10mA	106 NC @ 20 V	+25V，-15V	1781 PF @ 800 V	-	348W（TC）
NVMFS025P04M8LT1G	0.9500	RFQ	8451	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索			MOSFET （金属 o化物）			5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			P通道		40 V	9.4A（TA），34.6a （TC）	4.5V，10V	23mohm @ 15a，10v	2.4V @ 255µA	16.3 NC @ 10 V	±20V	1058 PF @ 20 V	-	3.5W（TA），44.1W（TC）
NZ8F20VMX2WT5G	0.4100	RFQ	7	Onmi	NZ8F	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	2-XDFN				250兆		2-x2dfnw（（1x0.6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	8,000																900 mv @ 10 ma		100 na @ 15.4 V														20 v	55欧姆
SZNZ8F16VSMX2WT5G	0.0818	RFQ	8410	Onmi	汽车，AEC-Q101，NZ8F	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2.31％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	2-XDFN				250兆		2-x2dfnw（（1x0.6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-SZNZ8F16VSMX2WT5GTR	Ear99	8541.10.0050	8,000																900 mv @ 10 ma		100 na @ 12 V														16 V	50欧姆
NVMYS008N08LHTWG	0.7201	RFQ	3500	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-1023，4-LFPAK			MOSFET （金属 o化物）			LFPAK4（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道		80 V	13a（13A），59a （TC）	4.5V，10V	8.8mohm @ 10a，10v	2V @ 70µA	25 NC @ 10 V	±20V	1420 PF @ 40 V	-	3.7W（ta），73W（tc）
SZNZ8F3V3MX2WT5G	0.4100	RFQ	2874	Onmi	汽车，AEC-Q101，NZ8F	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±7.58％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	2-XDFN				250兆		2-x2dfnw（（1x0.6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	8,000																900 mv @ 10 ma		10 µA @ 1 V														3.3 v	100欧姆
BSS138-F169	-	RFQ	1749年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			MOSFET （金属 o化物）			SOT-23-3（TO-236）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	根据要求获得可用的信息	2832-BSS138-F169TR	Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道		50 V	220mA（ta）	4.5V，10V	3.5OHM @ 220mA，10V	1.5V @ 1mA	2.4 NC @ 10 V	±20V	27 PF @ 25 V	-	360MW（TA）
SSVPZT75111G	-	RFQ	5548	Onmi	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的											-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-SSVPZT75111GTR	过时的		1,000
GFA00GK-L08H-PRD	-	RFQ	6645	Onmi	-	大部分	过时的											-	rohs3符合条件		到达不受影响	488-GFA00GK-L08H-PRD	过时的		1
GFA0033-L029-PRD	-	RFQ	7400	Onmi	-	大部分	过时的											-	rohs3符合条件		到达不受影响	488-GFA0033-L029-PRD	过时的		1
GFA007T-L058-PRD	-	RFQ	9157	Onmi	-	大部分	过时的											-	rohs3符合条件		到达不受影响	488-GFA007T-L058-PRD	过时的		1
NXH50M65L4C2SG	71.7400	RFQ	1484	Onmi	-	管子	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	27-PowerDip 模块（1.858“，47.20毫米）				20兆	单相桥梁整流器	27浸	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NXH50M65L4C2SG	Ear99	8541.29.0095	6	三相逆变器																					-	650 v	50 a		2.2V @ 15V，75A				250 µA	是的			4.877 NF @ 20 V
SMUN5237DW1T1G	0.3700	RFQ	2	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	Smun5			187MW		SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																							50V	100mA						500NA					2 NPN- 预偏（双重）	250mv @ 5mA，10mA	80 @ 5mA，10v	-	47kohms	22KOHMS
FDS4465-PG	-	RFQ	2489	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-SOIC	-		（1 （无限）	到达不受影响	488-FDS4465-PGTR	Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道		20 v	13.5A（TA）	1.8V，4.5V	8.5MOHM @ 13.5A，4.5V	1.5V @ 250µA	120 NC @ 4.5 V	±8V	8237 PF @ 10 V	-	1.2W（TA）
FDC638P-P	-	RFQ	7160	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	FDC638		MOSFET （金属 o化物）			SuperSot™-6	-		（1 （无限）	到达不受影响	488-FDC638P-PTR	Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道		20 v	4.5A（ta）	2.5V，4.5V	48mohm @ 4.5A，4.5V	1.5V @ 250µA	14 NC @ 4.5 V	±8V	1160 pf @ 10 V	-	1.6W（TA）
PCFC041N60EW	-	RFQ	7465	Onmi	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的											-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-PCFC041N60EWTR	过时的		3,000
NTMFS4983NBFT1G	-	RFQ	4386	Onmi	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的											-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NTMFS4983NBFT1GTR	过时的		1,500
SZMM5Z43VT1G	0.0598	RFQ	1169	Onmi	汽车，AEC-Q101，SZMM5ZXXXT1G	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±6.98％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-79，SOD-523				500兆		SOD-523	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-SZMM5Z43VT1GTR	Ear99	8541.10.0050	3,000																900 mv @ 10 ma		50 NA @ 30.1 V														43 V	150欧姆
nrvs1jhe	0.4900	RFQ	5415	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	2-SMD，平坦的铅			标准			SOD-323HE	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													600 v	1.1 V @ 1 A	782 ns	1 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	1a	3pf @ 4V，1MHz
NZ8F13VSMX2WT5G	0.4500	RFQ	8	Onmi	NZ8F	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2.31％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	2-XDFN				250兆		2-x2dfnw（（1x0.6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	8,000																900 mv @ 10 ma		100 na @ 10 V														13 V	37欧姆
NVD260N65S3T4G	1.2401	RFQ	2546	Onmi	SuperFet®III	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			DPAK	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NVD260N65S3T4GTR	Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		650 v	12A（TC）	10V	260MOHM @ 6A，10V	4.5V @ 290µA	23.5 NC @ 10 V	±30V	1042 PF @ 400 V	-	90W（TC）
afghl40t120rhd	-	RFQ	1619年	Onmi	-	托盘	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	afghl40	标准		400 w		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-AFGHL40T120RHD	Ear99	8541.29.0095	30				600V，40a，5ohm，15V													195 ns					沟渠场停止	1200 v	48 a	160 a	2.4V @ 15V，40a	3.7mj（在）上，1.2MJ off）	277 NC	37NS/150NS
FDMA410NZT-F130	0.9100	RFQ	3	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫			MOSFET （金属 o化物）			6-udfn （2.05x2.05）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道		20 v	9.5A（TA）	1.5V，4.5V	23mohm @ 9.5a，4.5V	1V @ 250µA	14 NC @ 4.5 V	±8V	1310 PF @ 10 V	-	900MW（TA）
SZNZ9F7V5ST5G	0.0840	RFQ	1107	Onmi	汽车，AEC-Q101，SZNZ9F2V4ST5G	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2.13％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOD-923				250兆		SOD-923	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-SZNZ9F7V5ST5GTR	Ear99	8541.10.0050	8,000																900 mv @ 10 ma		500 na @ 4 V														7.5 v	30欧姆
SZNZ8F3V9MX2WT5G	0.0456	RFQ	4163	Onmi	汽车，AEC-Q101，NZ8F	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±6.41％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	2-XDFN				250兆		2-x2dfnw（（1x0.6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-SZNZ8F3V9MX2WT5GTR	Ear99	8541.10.0050	8,000																900 mv @ 10 ma		5 µA @ 1 V														3.9 v	100欧姆
NVTYS014P04M8LTWG	0.7453	RFQ	2298	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-12205，8-LFPAK56			MOSFET （金属 o化物）			8-lfpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NVTYS014P04M8LTWGTR	Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道		40 V	10.4a（ta），53a（tc）	4.5V，10V	13.5MOHM @ 25A，10V	3V @ 420µA	27 NC @ 10 V	±20V	16900 PF @ 25 V	-	3.1W（TA），88W（TC）
STD5406NT4G-VF01	0.5114	RFQ	3200	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-STD5406NT4G-VF01TR	Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		40 V	12.2a（ta），70a tc）	5V，10V	10mohm @ 30a，10v	3.5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	2500 PF @ 32 V	-	（3W）（100W）（100W）TC）
NTTFS4C025NTAG	0.7091	RFQ	7686	Onmi	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的											-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NTTFS4C025NTAGTR	Ear99	8541.29.0095	1,500

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²