RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电容比	电容比条件	q @ vr，f
1SMB5917BT3	-	RFQ	1220	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％		-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	1SMB5917				3 W	SMB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	2,500																							1.5 V @ 200 ma		5 µA @ 1.5 V																4.7 v	5欧姆
EC4301C-TL	0.0600	RFQ	350	Onmi	*	大部分	积极的												-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	10,000
MMBZ5229BLT3	-	RFQ	6591	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％		-55°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBZ52				225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000																							900 mv @ 10 ma		5 µA @ 1 V																4.3 v	22欧姆
SZNZ8F16VSMX2WT5G	0.0818	RFQ	8410	Onmi	汽车，AEC-Q101，NZ8F	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2.31％		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	2-XDFN					250兆	2-x2dfnw（（1x0.6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-SZNZ8F16VSMX2WT5GTR	Ear99	8541.10.0050	8,000																							900 mv @ 10 ma		100 na @ 12 V																16 V	50欧姆
FQPF27N25	2.6500	RFQ	978	Onmi	QFET®	管子	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF27			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道						250 v	14A（TC）	10V	110MOHM @ 7A，10V	5V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±30V	2450 pf @ 25 V	-	55W（TC）
IRLR110ATF	-	RFQ	2605	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRLR11			MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道						100 v	4.7A（TC）	5V	440MOHM @ 2.35a，5V	2V @ 250µA	8 nc @ 5 V	±20V	235 pf @ 25 V	-	2.5W（22W），22W（tc）
1N5338B	-	RFQ	2715	Onmi	-	大部分	过时的	±5％		-65°C 〜200°C	通过洞	T-18，轴向	1N5338				5 w	轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	1N5338BOS	Ear99	8541.10.0050	1,000																							1.2 V @ 1 A		1 µA @ 1 V																5.1 v	1.5欧姆
MBRP40030CTL	-	RFQ	3965	Onmi	*	大部分	过时的												下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	21
NTNUS3171PZT5G	0.3700	RFQ	27	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-1123	NTNUS3171			MOSFET （金属 o化物）		SOT-1123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000			P通道						20 v	150mA（ta）	1.2V，4.5V	3.5OHM @ 100mA，4.5V	1V @ 250µA		±8V	13 pf @ 15 V	-	125MW（TA）
FDD86081-F085	-	RFQ	1977年	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		D-pak（TO-252）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道						100 v	6.7a（ta），21.4A（TC）	10V	31.5mohm @ 6a，10v	4.5V @ 36µA	6.8 NC @ 10 V	±20V	493 PF @ 50 V	-	3W（3），31.3W（tc）
MPSA56_D27Z	-	RFQ	3696	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	MPSA56				625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																														80 V	500 MA									100NA			PNP	200mv @ 10mA，100mA	100 @ 100mA，1V	50MHz
SZNZ8F9V1MX2WT5G	0.0456	RFQ	8811	Onmi	汽车，AEC-Q101，NZ8F	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	2-XDFN					250兆	2-x2dfnw（（1x0.6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-SZNZ8F9V1MX2WT5GTR	Ear99	8541.10.0050	8,000																							900 mv @ 10 ma		500 na @ 6 V																9.1 v	30欧姆
NTMFD1D4N02P1E	2.5300	RFQ	2	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NTMFD1			MOSFET （金属 o化物）	（960MW）（1W）（1W）	8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）								25V	（13A）（ta），74a（tc），24a（ta（155a tc）（TC）		3.3MOHM @ 20a，10v，1.1MOHM @ 37A，10V	2V @ 250µA，2V @ 800µA	7.2nc @ 4.5V，21.5nc @ 4.5V		1180pf @ 13v，3603pf @ 13V	-
SZNZ8F24VMX2WT5G	-	RFQ	2833	Onmi	汽车，AEC-Q101，NZ8F	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	2-XDFN					250兆	2-x2dfnw（（1x0.6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-SZNZ8F24VMX2WT5GTR	Ear99	8541.10.0050	8,000																							900 mv @ 10 ma		100 na @ 18.9 V																24 V	70欧姆
J309_D27Z	-	RFQ	6563	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		25 v		通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	J309		450MHz	JFET		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000	n通道			30mA		10 MA	-	12DB											3DB																		10 v
NTD65N03RT4	-	RFQ	5191	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTD65			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道						25 v	9.5A（TA），32a （TC）	4.5V，10V	8.4mohm @ 30a，10v	2V @ 250µA	16 NC @ 5 V	±20V	1400 pf @ 20 V	-	1.3W（TA），50W（TC）
SZMMSZ4694T1G	0.3700	RFQ	8	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％		-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123	SZMMSZ4694				500兆	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																							900 mv @ 10 ma		1 µA @ 6.2 V																8.2 v
FEP16HTD	-	RFQ	3203	Onmi	-	管子	过时的				通过洞	TO-220-3	FEP16			标准		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																		1对系列连接	500 v	16a	1.5 V @ 8 A	50 ns	10 µA @ 500 V	-55°C〜150°C
MUR115	-	RFQ	4283	Onmi	SwitchMode™	大部分	过时的				通过洞	do-204al，do-41，轴向	mur11			标准		轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																			150 v		875 mv @ 1 a	35 ns	2 µA @ 150 V	-65°C〜175°C	1a	-
mv2109rlrag	-	RFQ	1961年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-	通过洞	TO-226-2，TO-92-2 to-226ac）	MV210					到92	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,000																												36.3pf @ 4V，1MHz										单身的	30 V								3.2	C2/C30	200 @ 4V，50MHz
SZBZX84C12LT1	0.0600	RFQ	54	Onmi	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±5％		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SZBZX84				250兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																							900 mv @ 10 ma		100 na @ 8 V																12 v	25欧姆
ES1JAF	0.6100	RFQ	31	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				表面安装	do-214ad，Smaf	ES1			标准		DO-214AD（SMAF）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	10,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																			600 v		1.7 V @ 1 A	34 ns	1 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
NTB52N10G	-	RFQ	3680	Onmi	-	管子	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	NTB52			MOSFET （金属 o化物）		D²Pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道						100 v	52A（TC）	10V	30mohm @ 26a，10v	4V @ 250µA	135 NC @ 10 V	±20V	3150 pf @ 25 V	-	2W（TA），178W（tc）
J309G	-	RFQ	4396	Onmi	-	大部分	过时的		25 v		通过洞	TO-226-3，TO-92-3	J309		100MHz	JFET		TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-J309G-ON	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道			30mA		10 MA	-	16dB											-																		10 v
SZMMSZ4685T1G	0.3700	RFQ	12	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％		-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123	SZMMSZ4685				500兆	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																							900 mv @ 10 ma		7.5 µA @ 2 V																3.6 v
SMBZ1444LT3G	0.0700	RFQ	20	Onmi	*	大部分	积极的												-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0050	10,000
FCD5N60TM	1.7700	RFQ	1614年	Onmi	SuperFet™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FCD5N60			MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道						600 v	4.6A（TC）	10V	950MOHM @ 2.3a，10V	5V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±30V	600 pf @ 25 V	-	54W（TC）
2N4125RLM	0.0200	RFQ	7123	Onmi	*	大部分	积极的												下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1
FGL60N100BNTD	-	RFQ	6574	Onmi	-	管子	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	FGL60N100	标准			180 w	TO-264-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25					600V，60a，51Ohm，15V																			1.2 µs					腐败和战战trench	1000 v	60 a	120 a	2.9V @ 15V，60a	-	275 NC	140NS/630NS
SZMMBZ5226BLT1G	0.2000	RFQ	7	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％		-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SZMMBZ5226				225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																							900 mv @ 10 ma		25 µA @ 1 V																3.3 v	28欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²