SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet 测试条件 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f IGBT类型 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电流 -icm) (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic 切换能量 门充电 TD (开/关) @ 25°C 当前 -收集器截止(最大) NTC热敏电阻 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT)) (CIES) @ vce 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡
NTMFS4926NT1G onsemi NTMFS4926NT1G 0.5900
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Powertdfn,5个线索 NTMFS4926 MOSFET (金属 o化物) 5-DFN (5x6)(8-SOFL) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 30 V (9A)(ta),44A (TC) 4.5V,10V 7mohm @ 30a,10v 2.2V @ 250µA 17.3 NC @ 10 V ±20V 1004 pf @ 15 V - 920MW(TA),21.6W (TC)
NDF04N62ZG onsemi NDF04N62ZG -
RFQ
ECAD 6014 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 NDF04 MOSFET (金属 o化物) TO-220FP 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 620 v 4.4A(TC) 10V 2ohm @ 2a,10v 4.5V @ 50µA 19 nc @ 10 V ±30V 535 pf @ 25 V - 28W(TC)
FDMS7578 onsemi FDMS7578 -
RFQ
ECAD 4054 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-POWERTDFN FDMS75 MOSFET (金属 o化物) 8-pqfn(5x6) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 25 v (17a)(28a)(28a)TC) 4.5V,10V 5.8mohm @ 17a,10v 3V @ 250µA 25 NC @ 10 V ±20V 1625 PF @ 13 V - 2.5W(TA),33W(tc)
FDMS7580 onsemi FDMS7580 1.6200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-POWERTDFN FDMS75 MOSFET (金属 o化物) 8-pqfn(5x6) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 25 v (15A)(29A)(29A)(TC) 4.5V,10V 7.5MOHM @ 15A,10V 3V @ 250µA 20 nc @ 10 V ±20V 1190 pf @ 13 V - 2.5W(27W),27W(TC)
FDS4675-F085 onsemi FDS4675-F085 -
RFQ
ECAD 9539 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101,PowerTrench® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) FDS46 MOSFET (金属 o化物) 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 40 V 11a(11a) 4.5V,10V 13mohm @ 11a,10v 3V @ 250µA 56 NC @ 4.5 V ±20V 4350 PF @ 20 V - 2.4W(TA)
FDS9431A-F085 onsemi FDS9431A-F085 -
RFQ
ECAD 9595 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) FDS94 MOSFET (金属 o化物) 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 20 v 3.5A(ta) 2.5V,4.5V 130MOHM @ 3.5A,4.5V 1V @ 250µA 8.5 NC @ 4.5 V ±8V 405 pf @ 10 V - 2.5W(TA)
FDZ375P onsemi FDZ375P 2.9200
RFQ
ECAD 532 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 4-XFBGA,WLCSP FDZ37 MOSFET (金属 o化物) 4-WLCSP(1x1) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 P通道 20 v 3.7a(ta) 1.5V,4.5V 78MOHM @ 2A,4.5V 1.2V @ 250µA 15 NC @ 4.5 V ±8V 865 pf @ 10 V - 1.7W(TA)
FGH60N60SMD onsemi FGH60N60SMD 6.6800
RFQ
ECAD 2165 0.00000000 Onmi - 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 FGH60 标准 600 w TO-247-3 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 400V,60a,3ohm,15V 39 ns 现场停止 600 v 120 a 180 a 2.5V @ 15V,60a 1.26mj(在)(450µJ)上) 189 NC 18NS/104NS
NVD5803NT4G onsemi NVD5803NT4G -
RFQ
ECAD 3395 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 NVD580 MOSFET (金属 o化物) DPAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 40 V 85A(TC) 5V,10V 5.7MOHM @ 50a,10v 3.5V @ 250µA 51 NC @ 10 V ±20V 3220 PF @ 25 V - 83W(TC)
NVTP2955G onsemi NVTP2955G -
RFQ
ECAD 3278 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 过时的 - - - NVTP29 - - - (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 - - - - - -
SZMM5Z2V4T5G onsemi SZMM5Z2V4T5G 0.5100
RFQ
ECAD 1431 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±8.33% -65°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SC-79,SOD-523 SZMM5 500兆 SOD-523 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 8,000 900 mv @ 10 ma 50 µA @ 1 V 2.4 v 100欧姆
NXH100B120H3Q0PTG onsemi NXH100B120H3Q0PTG 90.1200
RFQ
ECAD 24 0.00000000 Onmi - 托盘 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 模块 NXH100 186 w 标准 22-PIM(55x32.5) 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 488-NXH100B120H3Q0PTG Ear99 8541.29.0095 24 2独立 沟渠场停止 1200 v 50 a 2.3V @ 15V,50a 200 µA 9.075 NF @ 20 V
FFSP0865B onsemi FFSP0865B 3.3300
RFQ
ECAD 205 0.00000000 Onmi - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 FFSP0865 SIC (碳化硅) TO-220-2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 488-FFSP0865B Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.7 V @ 8 A 0 ns 40 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 10.1a 336pf @ 1V,100kHz
SZ1SMB5920BT3G-VF01 onsemi SZ1SMB5920BT3G-VF01 -
RFQ
ECAD 7199 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C 〜150°C(TJ) 表面安装 DO-214AA,SMB SZ1SMB5920 3 W SMB - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 2,500 1.5 V @ 200 ma 5 µA @ 4 V 6.2 v 2欧姆
SZ1SMB5924BT3G-VF01 onsemi SZ1SMB5924BT3G-VF01 -
RFQ
ECAD 4487 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C 〜150°C(TJ) 表面安装 DO-214AA,SMB SZ1SMB5924 3 W SMB - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 2,500 1.5 V @ 200 ma 5 µA @ 7 V 9.1 v 4欧姆
SZ1SMB5933BT3G-VF01 onsemi SZ1SMB5933BT3G-VF01 -
RFQ
ECAD 4848 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C 〜150°C(TJ) 表面安装 DO-214AA,SMB SZ1SMB5933 3 W SMB - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 2,500 1.5 V @ 200 ma 1 µA @ 16.7 V 22 v 17.5欧姆
SZ1SMB5936BT3G-VF01 onsemi SZ1SMB5936BT3G-VF01 -
RFQ
ECAD 9646 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C 〜150°C(TJ) 表面安装 DO-214AA,SMB SZ1SMB5936 3 W SMB - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 2,500 1.5 V @ 200 ma 1 µA @ 22.8 V 30 V 28欧姆
SZ1SMB5937BT3G-VF01 onsemi SZ1SMB5937BT3G-VF01 -
RFQ
ECAD 7527 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C 〜150°C(TJ) 表面安装 DO-214AA,SMB SZ1SMB5937 3 W SMB - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 2156-SZ1SMB5937BT3G-VF01 Ear99 8541.10.0050 2,500 1.5 V @ 200 ma 1 µA @ 25.1 V 33 V 33欧姆
2V85-BAV23S onsemi 2V85-BAV23 -
RFQ
ECAD 3941 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BAV23 标准 SOT-23-3 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 3,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 1对系列连接 250 v 200mA 1.25 V @ 200 ma 50 ns 100 NA @ 250 V 150°C (最大)
6985-BC556B onsemi 6985-BC556B -
RFQ
ECAD 2300 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 BC556 625兆 TO-92(to-226) - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 1 65 v 100 ma 100NA PNP 650mv @ 5mA,100mA 180 @ 2mA,5v 280MHz
FQPF9P25-T onsemi FQPF9P25-T -
RFQ
ECAD 9243 0.00000000 Onmi QFET® 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 FQPF9 MOSFET (金属 o化物) TO-220F-3 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 P通道 250 v 6A(TC) 10V 620MOHM @ 3A,10V 5V @ 250µA 38 NC @ 10 V ±30V 1180 pf @ 25 V - 50W(TC)
MURHB840CTT4G onsemi MURHB840CTT4G -
RFQ
ECAD 7272 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB Murhb840 标准 D²Pak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 400 v 4a 2.2 V @ 4 A 28 ns 10 µA @ 400 V -65°C〜175°C
MM5Z3V6T5G onsemi MM5Z3V6T5G 0.2300
RFQ
ECAD 9073 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5.56% -65°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SC-79,SOD-523 MM5Z3 500兆 SOD-523 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 8,000 900 mv @ 10 ma 5 µA @ 1 V 3.6 v 90欧姆
MM5Z5V1T5G onsemi MM5Z5V1T5G 0.2300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5.88% -65°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SC-79,SOD-523 MM5Z5 500兆 SOD-523 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 8,000 900 mv @ 10 ma 2 µA @ 2 V 5.1 v 60欧姆
MM5Z6V8ST5G onsemi MM5Z6V8ST5G 0.0439
RFQ
ECAD 1245 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2.05% -65°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SC-79,SOD-523 MM5Z6 500兆 SOD-523 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 8,000 900 mv @ 10 ma 2 µA @ 4 V 6.8 v 15欧姆
NTB150N65S3HF onsemi NTB150N65S3HF 5.3700
RFQ
ECAD 3568 0.00000000 Onmi FRFET®,SuperFet®III 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB NTB150 MOSFET (金属 o化物) D²Pak-3(TO-263-3) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 650 v 24A(TC) 10V 150MOHM @ 12A,10V 5V @ 540µA 43 NC @ 10 V ±30V 1985 pf @ 400 V - 192W(TC)
NTMFS5C604NLT1G-UIL3 onsemi NTMFS5C604NLT1G-UIL3 6.6200
RFQ
ECAD 9721 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 8-Powertdfn,5个线索 NTMFS5 MOSFET (金属 o化物) 5-DFN (5x6)(8-SOFL) - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 60 V 40a(TA),287A (TC) 4.5V,10V 1.2MOHM @ 50a,10v 2V @ 250µA 120 NC @ 10 V ±20V 8900 PF @ 25 V - 3.9W(TA),200W(200W)TC)
NTTFS003N04CTAG onsemi NTTFS003N04CTAG -
RFQ
ECAD 1149 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 8-Powerwdfn NTTFS003 MOSFET (金属 o化物) 8-WDFN(3.3x3.3) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 40 V 22a(22A),103a(tc) 10V 3.5MOHM @ 50a,10v 3.5V @ 60µA 23 NC @ 10 V ±20V 1600 pf @ 25 V - 3.2W(TA),69w(tc)
NTTFS5C460NLTAG onsemi NTTFS5C460NLTAG 1.4100
RFQ
ECAD 1530 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 8-Powerwdfn NTTFS5 8-WDFN(3.3x3.3) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 (19a(ta),74a(tc) 4.8mohm @ 35A,10V 2V @ 40µA -
NVMYS2D1N04CLTWG onsemi NVMYS2D1N04CLTWG 0.9304
RFQ
ECAD 4288 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 SOT-1023,4-LFPAK NVMYS2 MOSFET (金属 o化物) LFPAK4(5x6) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 40 V 29A(ta),132a(tc) 4.5V,10V 2.5MOHM @ 50a,10v 2V @ 90µA 50 NC @ 10 V ±20V 3100 pf @ 25 V - 3.9W(TA),83W(tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库