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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电容比	电容比条件	q @ vr，f
NTTFS4937NTWG	-	RFQ	9761	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NTTFS4937	MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	30 V	（11A）（ta），75a tc（75a））	4.5V，10V	4.5MOHM @ 20A，10V	2.2V @ 250µA	35.5 NC @ 10 V	±20V	2540 pf @ 15 V	-	860MW（TA），43.1W（tc）
NVMFS024N06CT1G	1.2900	RFQ	6600	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS024	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道	60 V	8a（8a ta），25a tc）（TC）	10V	22mohm @ 3a，10v	4V @ 20µA	5.7 NC @ 10 V	±20V	333 pf @ 30 V	-	3.4W（ta），28W（tc）
DBD250G	-	RFQ	9337	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	底盘安装	4平方	DBD2	标准		-	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	250													1.05 V @ 12.5 A	10 µA @ 600 V	6 a		单相	600 v
FDD390N15A	1.3600	RFQ	4848	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD390	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	150 v	26a（TC）	10V	40mohm @ 26a，10v	4V @ 250µA	18.6 NC @ 10 V	±20V	1285 PF @ 75 V	-	63W（TC）
MB6S	0.5100	RFQ	170	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-269AA，4-Besop	MB6	标准		4-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000													1 V @ 500 MA	5 µA @ 600 V	500 MA		单相	600 v
DF01S1	0.6100	RFQ	8863	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼	DF01	标准		4-SDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,500													1.1 V @ 1 A	3 µA @ 100 V	1 a		单相	100 v
FQI9N15TU	-	RFQ	2015	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	FQI9	MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	150 v	9A（TC）	10V	400MOHM @ 4.5A，10V	4V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±25V	410 pf @ 25 V	-	3.75W（ta），75W（（（（（（（（（（
IRFP460C	-	RFQ	2828	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IRFP4	MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道	500 v	20A（TC）	10V	240mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	170 NC @ 10 V	±30V	6000 pf @ 25 V	-	235W（TC）
KBL005	-	RFQ	7915	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，KBL	KBL0	标准		KBL	下载		（1 （无限）	到达不受影响	kbl005fs	Ear99	8541.10.0080	200													1.1 V @ 4 A	5 µA @ 50 V	4 a		单相	50 V
DF06M	0.7200	RFQ	14	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-Edip（0.300英寸，7.62mm）	DF06	标准		4点	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50													1.1 V @ 1 A	5 µA @ 600 V	1.5 a		单相	600 v
MMBV2107LT1G	-	RFQ	3221	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBV21			SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000																24.2pf @ 4V，1MHz	单身的	30 V			3.2	C2/C30	350 @ 4V，50MHz
NTTFSS1D1N02P1E	1.0303	RFQ	3	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	9-Powerwdfn	NTTFSS1	MOSFET （金属 o化物）		9-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NTTFSS1D1N02P1ETR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	25 v	39A（TA），264A（tc）	4.5V，10V	0.85MOHM @ 27A，10V	2V @ 934µA	60 NC @ 10 V	±16V	4360 pf @ 13 V	-	2W（ta），89w（tc）
NVMFS5C628NT1G	3.0400	RFQ	8707	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NVMFS5C628NT1GTR	Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道	60 V	28a（28a），150a（tc）	10V	3mohm @ 27a，10v	4V @ 135µA	34 NC @ 10 V	±20V	2630 PF @ 30 V	-	3.7W（TA），110W（TC）
MM5Z47VT5G	0.2600	RFQ	16	Onmi	MM5ZXXXT1G	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±6.38％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-79，SOD-523	MM5Z47		500兆	SOD-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	8,000													900 mv @ 10 ma	50 NA @ 32.9 V					47 V	170欧姆
BZX79C43_T50R	-	RFQ	3674	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	BZX79C43		500兆	do-35	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000													1.5 V @ 100 ma	50 NA @ 30.1 V					43 V	150欧姆
KA33VTA	-	RFQ	6935	Onmi	-	（CT）	过时的	±6％	-20°C〜75°C	通过洞	TO-226-2，TO-92-2 to-226ac）	KA33		200兆	TO-92-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	2,000																			33 V	25欧姆
1N5935BRLG	0.4800	RFQ	46	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5935		3 W	轴向	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	6,000													1.5 V @ 200 ma	1 µA @ 20.6 V					27 V	23欧姆
2SK4097L	1.7200	RFQ	334	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FI（LS）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	100		n通道	500 v	8.3a（TC）		650MOHM @ 5A，10V	-	30 NC @ 10 V		750 pf @ 30 V	-	2W（TA），35W（tc）（TC）
FLZ4V7C	-	RFQ	1266	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80	FLZ4		500兆	SOD-80	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	2,500													1.2 V @ 200 ma	190 na @ 1 V					4.8 v	21欧姆
1N5253BRL	0.0200	RFQ	35	Onmi	*	大部分	积极的									下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0050	1
MMSZ4682T1G	0.2700	RFQ	49	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123	MMSZ4682		500兆	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000													900 mv @ 10 ma	1 µA @ 1 V					2.7 v
FCH76N60N	23.0500	RFQ	5958	Onmi	Supremos™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	FCH76N60	MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道	600 v	76A（TC）	10V	36mohm @ 38a，10v	4V @ 250µA	285 NC @ 10 V	±30V	12385 PF @ 100 V	-	543W（TC）
MM3Z3V3B	0.2300	RFQ	332	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F	MM3Z3V3		200兆	SOD-323F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000													1 V @ 10 mA	4.5 µA @ 1 V					3.3 v	89欧姆
NVJD5121NT1G-M06	0.3900	RFQ	6448	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	NVJD5121	MOSFET （金属 o化物）	250MW（TA）	SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）		60V	295ma（ta）		1.6ohm @ 500mA，10v	2.5V @ 250µA	0.9NC @ 4.5V		26pf @ 20V	-
FDS8842NZ	1.6300	RFQ	16	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS8842	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	14.9a（ta）	4.5V，10V	7MOHM @ 14.9a，10V	3V @ 250µA	73 NC @ 10 V	±20V	3845 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
VEC2415-TL-E	-	RFQ	1713年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	VEC2415	MOSFET （金属 o化物）	1W	SOT-28FL/VEC8	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		60V	3a		80MOHM @ 1.5A，10V	2.6V @ 1mA	10NC @ 10V		505pf @ 20V	逻辑级别门
NZD9V1MUT5G	0.3700	RFQ	9	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	0201（0603公制）	NZD9V1		300兆	2-x3dfn（0.6x0.3）（0201）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000													1.1 V @ 10 mA	500 na @ 6 V					9.1 v	30欧姆
NZ9F2V4ST5G	0.4600	RFQ	18	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±4％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOD-923	NZ9F2		250兆	SOD-923	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	8,000													900 mv @ 10 ma	50 µA @ 1 V					2.53 v	100欧姆
3EZ15D5G	-	RFQ	7615	Onmi	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	3EZ15		3 W	轴向	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	2,000													1.5 V @ 200 ma	500 NA @ 11.4 V					15 v	5.5欧姆
FSS273-TL-E	0.5300	RFQ	2	Onmi	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度）		MOSFET （金属 o化物）		8-sop	-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1,000		n通道	45 v	8a（8a）		22mohm @ 8a，10v	-	40 NC @ 10 V		2225 PF @ 20 V	-	2.4W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²