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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
CPH5513-TL-E	0.2700	RFQ	8	Onmi	*	大部分	积极的									下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000
2SK4099L	-	RFQ	5656	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SK4099	MOSFET （金属 o化物）		TO-220FI（LS）	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100			n通道	600 v	6.9a（TC）	10V	940MOHM @ 4A，10V	5V @ 1mA	29 NC @ 10 V	±30V	750 pf @ 30 V	-	2W（TA），35W（tc）（TC）
NTMFS5844NLT1G	-	RFQ	1647年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS5844	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道	60 V	11.2a（ta）	4.5V，10V	12mohm @ 10a，10v	2.3V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	1460 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），107W（tc）
mmsz2v4t3g	-	RFQ	9445	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123	mmsz2v		500兆	SOD-123	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000															900 mv @ 10 ma		50 µA @ 1 V							2.4 v	100欧姆
NRVS3JB	0.1502	RFQ	6569	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计			表面安装	DO-214AA，SMB	NRVS3	标准		DO-214AA（SMB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												600 v	1.15 V @ 3 A	1.5 µs	10 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	3a	40pf @ 4V，1MHz
2SA1371D	0.1000	RFQ	16	Onmi	*	大部分	积极的									下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1
NZ8F6V8SMX2WT5G	0.0456	RFQ	2131	Onmi	NZ8F	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2.35％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	2-XDFN			250兆	2-x2dfnw（（1x0.6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NZ8F6V8SMX2WT5GTR	Ear99	8541.10.0050	8,000															900 mv @ 10 ma		500 NA @ 3.5 V							6.8 v	40欧姆
SMSZ1010T1G	0.0200	RFQ	54	Onmi	*	大部分	过时的									-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-SMSZ1010T1G	Ear99	8542.39.0001	1
FQPF10N60CF	-	RFQ	1871年	Onmi	FRFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF1	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道	600 v	9A（TC）	10V	800MOHM @ 4.5A，10V	4V @ 250µA	57 NC @ 10 V	±30V	2040 pf @ 25 V	-	50W（TC）
NTMFS4927NT3G	0.5700	RFQ	3	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4927	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道	30 V	7.9a（ta），38a tc）	4.5V，10V	7.3mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±20V	913 PF @ 15 V	-	（920MW）（TA），20.8W tc）
RGP10K	0.4100	RFQ	6	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向	RGP10	标准		do-41	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												800 v	1.3 V @ 1 A	500 ns	5 µA @ 800 V	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
NVC6S5A444NLZT2G	-	RFQ	4625	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	NVC6S5	MOSFET （金属 o化物）		6-CPH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道	60 V	3.5A（ta）	4.5V，10V	78MOHM @ 2A，10V	2.6V @ 1mA	10 NC @ 10 V	±20V	505 pf @ 20 V	-	970MW（TA）
SZMMSZ4698T1G	0.3200	RFQ	4	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123	SZMMSZ4698		500兆	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000															900 mv @ 10 ma		50 NA @ 8.4 V							11 V
NTLUS3A90PZCTBG	-	RFQ	1925年	Onmi	µ -Cool™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-Powerufdfn	ntlus3a	MOSFET （金属 o化物）		6-udfn（1.6x1.6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道	20 v	2.6a（ta）	1.5V，4.5V	62MOHM @ 4A，4.5V	1V @ 250µA	12.3 NC @ 4.5 V	±8V	950 pf @ 10 V	-	600MW（TA）
MMSZ5256CT1G	-	RFQ	3458	Onmi	mmsz52xxxt1g	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123	MMSZ525		500兆	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000															900 mv @ 10 ma		100 na @ 23 V							30 V	49欧姆
ECH8655R-TL-H	0.7700	RFQ	3	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	ECH8655	MOSFET （金属 o化物）	1.5W	8-ech	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）			24V	9a		17mohm @ 4.5A，4.5V	-	16.8nc @ 10V		-	逻辑级别门
NRVB860MFST1G	0.9400	RFQ	6400	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买			表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NRVB860	肖特基		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												60 V	800 mv @ 8 a		150 µA @ 60 V	-55°C 〜175°C	8a	-
MBRD320	-	RFQ	2507	Onmi	SwitchMode™	管子	过时的			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MBRD320	肖特基		DPAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	75		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												20 v	600 mv @ 3 a		200 µA @ 20 V	-65°C〜150°C	3a	-
NTP150N65S3HF	5.1500	RFQ	9211	Onmi	FRFET®，SuperFet®III	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	NTP150	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道	650 v	24A（TC）	10V	150MOHM @ 12A，10V	5V @ 540µA	43 NC @ 10 V	±30V	1985 pf @ 400 V	-	192W（TC）
SMMSZ4713T1G	-	RFQ	2331	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123	SMMSZ4713		500兆	SOD-123	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000															900 mv @ 10 ma		10 na @ 22.8 V							30 V
SBS010M-TL-E	0.0900	RFQ	167	Onmi	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	3,000
BZX84C56LT1	-	RFQ	2211	Onmi	BZX84CXXXLT1G	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±7％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZX84C56		225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000															900 mv @ 10 ma		50 NA @ 39.2 V							56 v	200欧姆
FDS4559-F085	-	RFQ	1233	Onmi	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS45	MOSFET （金属 o化物）	2W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道			60V	4.5a，3.5a		55MOHM @ 4.5A，10V	3V @ 250µA	18NC @ 10V		650pf @ 25V	逻辑级别门
1SMB5915BT3G	0.3800	RFQ	4200	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	1SMB5915		3 W	SMB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	2,500															1.5 V @ 200 ma		25 µA @ 1 V							3.9 v	7.5欧姆
2SA1402E	-	RFQ	3204	Onmi	*	大部分	积极的									下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	1
NRVBM110LT1G	-	RFQ	4605	Onmi	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	do-216aa	NRVBM110	肖特基		Powermite	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												10 v	415 mv @ 2 a		500 µA @ 10 V	-55°C〜125°C	1a	-
2SB1201S-TL-E	0.8900	RFQ	5	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	2SB1201		800兆	TP-FA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	700																					50 V	2 a	100NA（ICBO）			PNP	700mv @ 50mA，1a	100 @ 100mA，2V	150MHz
ISL9R8120S3ST	-	RFQ	1004	Onmi	Stealth™	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ISL9	标准		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	800		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1200 v	3.3 V @ 8 A	300 ns	100 µA @ 1200 V	-55°C〜150°C	8a	30pf @ 10V，1MHz
CPH3407-TL-E-ON	0.1900	RFQ	12	Onmi	*	大部分	积极的					CPH3407	-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			0000.00.0000	3,000												-
FES16GTR	-	RFQ	7148	Onmi	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-2	FES16	标准		TO-220-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												400 v	1.3 V @ 8 A	50 ns	10 µA @ 400 V	-65°C〜150°C	16a	170pf @ 4V，1MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²