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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻-RDS（（在）	（ID） - 最大
NZ3F33VT1G	-	RFQ	4906	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±6.06％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-90，SOD-323F	NZ3F33			800兆	SOD-323FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																		1.3 V @ 10 mA		50 NA @ 23.2 V															33 V	140欧姆
NZ3F4V7T1G	-	RFQ	1508	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±6.38％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-90，SOD-323F	NZ3F4			800兆	SOD-323FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																		1.3 V @ 10 mA		3 µA @ 2 V															4.7 v	100欧姆
LY85_BZ84C8V2	-	RFQ	8235	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	-	表面安装	死	BZ84C8				死	-		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	3,000
FDMC8010DC	1.3100	RFQ	749	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	FDMC8010		MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道		30 V	37a（ta）	4.5V，10V	1.28mohm @ 37A，10V	3V @ 250µA	94 NC @ 15 V	±20V	7080 pf @ 15 V	标准	（3W）（TA）
FDMS8050	4.7200	RFQ	7730	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDMS80		MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道		30 V	55A（TC）	4.5V，10V	0.65MOHM @ 55A，10V	3V @ 750µA	285 NC @ 10 V	±20V	22610 PF @ 15 V	-	156W（TC）
FGH50T65SQD-F155	5.7500	RFQ	7344	Onmi	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	FGH50	标准		268 w	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				400V，12.5a，4.7Ohm，15V															31 ns					沟渠场停止	650 v	100 a	200 a	2.1V @ 15V，50a	180µJ（在）上，45µJ（45µJ）	99 NC	22NS/105NS
FDBL86062-F085	7.0900	RFQ	4	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powersfn	FDBL86062		MOSFET （金属 o化物）		8-hpsof	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道		100 v	300A（TC）	10V	2mohm @ 80a，10v	4.5V @ 250µA	124 NC @ 10 V	±20V	6970 pf @ 50 V	-	429W（TC）
ECH8601M-TL-HP	-	RFQ	7817	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	ECH8601		MOSFET （金属 o化物）		8-ech	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）公共排水				24V	8a（8a）		23mohm @ 4A，4.5V	1.3V @ 1mA	7.5NC @ 4.5V			逻辑水平门，2.5V
FCPF250N65S3L1	-	RFQ	6746	Onmi	SuperFet®III	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FCPF250		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2156-FCPF250N65S3L1-488	Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道		650 v	12A（TC）	10V	250mohm @ 6a，10v	4.5V @ 1.2mA	24 NC @ 10 V	±30V	1010 PF @ 400 V	-	31W（TC）
FDD86369	1.6000	RFQ	325	Onmi	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD863		MOSFET （金属 o化物）		D-pak（TO-252）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		80 V	90A（TC）	10V	7.9MOHM @ 80a，10V	4V @ 250µA	54 NC @ 10 V	±20V	2530 PF @ 40 V	-	150W（TJ）
NTMFS10N7D2C	3.3400	RFQ	2	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	NTMFS10		MOSFET （金属 o化物）		8-PQFN （5x6），Power56	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道		100 v	78A（TC）	6V，10V	7.2MOHM @ 28A，10V	4V @ 150µA	37 NC @ 10 V	±20V	2635 PF @ 50 V	-	83W（TC）
NVMFS5C450NLAFT1G	1.7600	RFQ	3044	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道		40 V	110A（TC）	4.5V，10V	2.8mohm @ 40a，10v	2V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	2100 PF @ 20 V	-	68W（TC）
NVMFS5C670NLWFAFT1G	2.0600	RFQ	1255	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道		60 V	（17a）（ta），71a（tc）	4.5V，10V	6.1MOHM @ 35A，10V	2V @ 53µA	20 nc @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	61W（TC）
NRVTS360ETFSWFTAG	0.6100	RFQ	2757	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	8-Powerwdfn	NRVTS360		肖特基		8-WDFN（3.3x3.3）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														60 V		900 mv @ 6 a		12 µA @ 60 V	-65°C〜175°C	3a	-
NVMFS6H800NT1G	5.2000	RFQ	1392	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS6		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道		80 V	28a（28a）（203a tc）（TC）	10V	2.1MOHM @ 50a，10v	4V @ 330µA	85 NC @ 10 V	±20V	5530 PF @ 40 V	-	3.8W（TA），200W（（tc）
NVMFS6H800NWFT1G	4.4900	RFQ	6772	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS6		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道		80 V	28a（28a）（203a tc）（TC）	10V	2.1MOHM @ 50a，10v	4V @ 330µA	85 NC @ 10 V	±20V	5530 PF @ 40 V	-	3.8W（TA），200W（（tc）
NVMFS6H801NT1G	2.8000	RFQ	5550	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS6		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道		80 V	（23A）（TA），157a （TC）	10V	2.8mohm @ 50a，10v	4V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±20V	4120 PF @ 40 V	-	3.8W（TA），166W（tc）
NVD5C648NLT4G	3.0400	RFQ	1431	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NVD5C648		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		60 V	18A（18A），89A （TC）	4.5V，10V	4.1MOHM @ 45A，10V	2.1V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±20V	2900 PF @ 25 V	-	3.1W（ta），72W（72W）TC）
NVMFS5113PLWFT1G	3.1100	RFQ	7634	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5113		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			P通道		60 V	10a（10A），64A （TC）	4.5V，10V	14mohm @ 17a，10v	2.5V @ 250µA	83 NC @ 10 V	±20V	4400 PF @ 25 V	-	3.8W（ta），150W（TC）
NVMFS5C426NLT1G	3.7300	RFQ	49	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道		40 V	41A（TA），237A （TC）	4.5V，10V	1.2MOHM @ 50a，10v	2V @ 250µA	93 NC @ 10 V	±20V	5600 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），128W（tc）
NVMFS5C456NT1G	1.6300	RFQ	6207	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道		40 V	20A（20A），80a tc（TC）	10V	4.5MOHM @ 35A，10V	3.5V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	1150 pf @ 25 V	-	3.6W（TA），55W（tc）
NVMFS5C466NWFT1G	1.6800	RFQ	9075	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道		40 V	（15A）（TA），49A （TC）	10V	8.1MOHM @ 15A，10V	3.5V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±20V	625 pf @ 25 V	-	3.5W（37W），37W（tc）
FCP165N65S3	4.0600	RFQ	731	Onmi	SuperFet®III	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FCP165		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道		650 v	19a（tc）	10V	165MOHM @ 9.5A，10V	4.5V @ 1.9mA	39 NC @ 10 V	±30V	1500 PF @ 400 V	-	154W（TC）
FCPF360N65S3R0L	-	RFQ	9031	Onmi	SuperFet®III	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FCPF360		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道		650 v	10A（TC）	10V	360MOHM @ 5A，10V	4.5V @ 1mA	18 nc @ 10 V	±30V	730 PF @ 400 V	-	27W（TC）
NVMFD5C650NLWFT1G	5.0300	RFQ	5861	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	NVMFD5		MOSFET （金属 o化物）	3.5W（TA），125W（tc）	8-dfn（5x6）（SO8FL偶）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	2 n 通道（双）				60V	21a（21a），111a（tc（TC）		4.2MOHM @ 20A，10V	2.2V @ 98µA	16nc @ 4.5V		2546pf @ 25V	-
NVMFD5C680NLT1G	1.7500	RFQ	8997	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	NVMFD5		MOSFET （金属 o化物）	3W（TA），19w（tc）	8-dfn（5x6）（SO8FL偶）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	2 n 通道（双）				60V	7.5a（ta），26a（tc）		28mohm @ 5a，10v	2.2V @ 13µA	2NC @ 4.5V		350pf @ 25V	-
NVMFS4C310NT1G	1.3600	RFQ	1179	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS4		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道		30 V	（17a）（ta），51a（tc）	4.5V，10V	6mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	18.6 NC @ 10 V	±20V	1000 pf @ 15 V	-	3.5W（TA），32W（tc）
FCB260N65S3	3.4100	RFQ	6528	Onmi	SuperFet®III	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FCB260		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道		650 v	12A（TC）	10V	260MOHM @ 6A，10V	4.5V @ 1.2mA	24 NC @ 10 V	±30V	1010 PF @ 400 V	-	90W（TC）
BAT54C_G	-	RFQ	1492	Onmi	-	大部分	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAT54		肖特基		SOT-23-3	-		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1		小信号= <200ma（io（io），任何速度													1对普通阴极	30 V	200mA	800 mv @ 100 ma	5 ns	2 µA @ 25 V	-55°C〜150°C
NSVJ6904DSB6T1G	1.5400	RFQ	858	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	NSVJ6904			700兆	6-CPH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			2 n 通道（双）		25 v							6pf @ 5V																				25 v	20 ma @ 5 V	600 mV @ 100 µA			25欧姆	50 mA

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²