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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电流 -io（io）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
NTD6600N	-	RFQ	4635	Onmi	-	管子	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTD66		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道				100 v	12a（12a）	5V	146mohm @ 6a，5v	2V @ 250µA	20 nc @ 5 V	±20V	700 pf @ 25 V	-	1.28W（TA），56.6W（tc）
FDS4141SN00136P	-	RFQ	7095	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS4141		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-FDS4141SN00136PTR	Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道				40 V	10.8a（ta）	4.5V，10V	13mohm @ 10.5a，10v	3V @ 250µA	49 NC @ 10 V	±20V	2670 pf @ 20 V	-	2.5W（TA）
2SC3600D	0.8800	RFQ	2	Onmi	*	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	1
NIF9N05CLT1	-	RFQ	2501	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	NIF9N05		MOSFET （金属 o化物）		SOT-223（TO-261）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道				52 v	2.6a（ta）	3V，10V	125mohm @ 2.6a，10v	2.5V @ 100µA	7 NC @ 4.5 V	±15V	250 pf @ 35 V	-	1.69W（TA）
GBPC2508	5.9000	RFQ	301	Onmi	-	大部分	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	QC终端	4平方英尺，GBPC	GBPC25		标准		GBPC	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50																		5 µA @ 800 V	25 a				单相	800 v
NTTFS5820NLTWG	-	RFQ	4283	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NTTFS5		MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道				60 V	11a（11a），37A （TC）	4.5V，10V	11.5MOHM @ 8.7A，10V	2.3V @ 250µA	28 NC @ 10 V	±20V	1462 PF @ 25 V	-	2.7W（TA），33W（tc）
1N5262B-T50A	-	RFQ	2065	Onmi	-	（CT）	过时的	±5％		-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5262			500兆	do-35	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000																	1.2 V @ 200 ma	100 na @ 39 V								51 v	125欧姆
BZX84C20_L99Z	-	RFQ	5297	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZX84C20			550兆	SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																	900 mv @ 10 ma	50 na @ 14 V								20.15 v	20欧姆
NVMJD015N06CLTWG	0.7189	RFQ	9564	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-12205，8-LFPAK56	NVMJD015		-	3.1W（37W），37W（tc）	8-lfpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NVMJD015N06CLTWGTR	Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）					60V	10.1a（ta），35a tc）		14.4mohm @ 17a，10v	2.2V @ 25µA	9.4NC @ 10V		643pf @ 30V	-
PN2369A_D27Z	-	RFQ	4022	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	PN236			350兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																				15 v	200 ma				400NA（ICBO）			NPN	500mv @ 10mA，100mA	40 @ 10mA，1V	-
2SD1684S	0.2900	RFQ	7	Onmi	*	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1
MMBZ5253B_D87Z	-	RFQ	3101	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％		-55°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBZ52			350兆	SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000																	900 mv @ 10 ma	100 na @ 19 V								25 v	35欧姆
1N4745A_S00Z	-	RFQ	5943	Onmi	-	大部分	过时的	±5％		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4745			1 w	do-41	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000																		5 µA @ 12.2 V								16 V	16欧姆
1N5237B_T26A	-	RFQ	2428	Onmi	-	（TB）	过时的	±5％		-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5237			500兆	do-35	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000																	1.2 V @ 200 ma	3 µA @ 6.5 V								8.2 v	8欧姆
FDT457N	1.0000	RFQ	14	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	FDT457		MOSFET （金属 o化物）		SOT-223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道				30 V	5A（5A）	4.5V，10V	60mohm @ 5a，10v	3V @ 250µA	5.9 NC @ 5 V	±20V	235 pf @ 15 V	-	（3W）（TA）
DF10	0.6200	RFQ	10	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼	DF10		标准		4-SDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,500																	1.1 V @ 1.5 A	5 µA @ 1000 V	1.5 a				单相	1 kV
DTA114Y	0.0200	RFQ	70	Onmi	*	大部分	积极的						DTA114					下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.21.0095	1
SZMMBZ5245BLT3G	0.0254	RFQ	7346	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％		-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SZMMBZ5245			225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000																	900 mv @ 10 ma	100 na @ 11 V								15 v	16欧姆
NTMS4802NR2G	-	RFQ	3226	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NTMS4802		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500		n通道				30 V	11.1a（ta）	4.5V，10V	4mohm @ 18a，10v	2.5V @ 250µA	36 NC @ 4.5 V	±20V	5300 PF @ 25 V	-	910MW（TA）
FQB27N25TM-F085	-	RFQ	1227	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FQB27		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道				250 v	25.5A（TC）	10V	131MOHM @ 25.5A，10V	5V @ 250µA	49 NC @ 10 V	±30V	1800 pf @ 25 V	-	417W（TC）
FDMC86244	1.2800	RFQ	2	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	FDMC86		MOSFET （金属 o化物）		8-mlp（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道				150 v	2.8A（ta），9.4a（TC）	6V，10V	134mohm @ 2.8a，10v	4V @ 250µA	5.9 NC @ 10 V	±20V	345 PF @ 75 V	-	2.3W（26W），26W tc）
NVTFS5C454NLTAG	1.5600	RFQ	1821年	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NVTFS5		MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道				40 V	85A（TC）	4.5V，10V	4mohm @ 20a，10v	2.2V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	1600 pf @ 25 V	-	55W（TC）
2N5953_J35Z	-	RFQ	8967	Onmi	-	大部分	过时的		30 V		通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2N5953	1khz	JFET		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000	n通道		5mA	-	-											2DB						15 v
1N5346BRLG	0.4900	RFQ	7474	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％		-65°C 〜200°C	通过洞	T-18，轴向	1N5346			5 w	轴向	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000																	1.2 V @ 1 A	7.5 µA @ 6.9 V								9.1 v	2欧姆
BVSS84LT1G	0.4000	RFQ	3749	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BVSS84		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道				50 V	130mA（ta）	5V	10ohm @ 100mA，5v	2V @ 250µA	2.2 NC @ 10 V	±20V	36 pf @ 5 V	-	225MW（TA）
BZX84C39LT3	-	RFQ	5036	Onmi	BZX84CXXXLT1G	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZX84C39			225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000																	900 mv @ 10 ma	50 na @ 27.3 V								39 v	130欧姆
MJD31T4	0.2100	RFQ	32	Onmi	-	大部分	过时的			-	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MJD31			15 W	DPAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500																				40 V	3 a				50µA			NPN	1.2V @ 375mA，3a	10 @ 3A，4V	3MHz
SBH15-03-Tr-E	-	RFQ	3456	Onmi	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的						SBH15					-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500
FQPF12P10	-	RFQ	8615	Onmi	QFET®	管子	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF1		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		P通道				100 v	8.2A（TC）	10V	290MOHM @ 4.1A，10V	4V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±30V	800 pf @ 25 V	-	38W（TC）
2SC3808	-	RFQ	3179	Onmi	*	大部分	积极的											-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²