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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
SBE812-TL-E	-	RFQ	3000	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	8-SMD，平坦的铅	SBE812	肖特基		8-VEC	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												2独立	60 V	1a	600 mV @ 1 A	10 ns	30 µA @ 30 V	-55°C〜125°C
MMSZ4699T1G	0.2200	RFQ	4	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123	MMSZ4699		500兆	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																	900 mv @ 10 ma		50 NA @ 9.1 V									12 v
MMSZ4702T1	-	RFQ	2738	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123	MMSZ47		500兆	SOD-123	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																	900 mv @ 10 ma		50 NA @ 11.4 V									15 v
FCP067N65S3	6.5000	RFQ	5063	Onmi	SuperFet®III	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FCP067	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道	650 v	44A（TC）	10V	67mohm @ 22a，10v	4.5V @ 4.4mA	78 NC @ 10 V	±30V	3090 pf @ 400 V	-	312W（TC）
MCH5839-TL-W	-	RFQ	3879	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	5-SMD，平坦的铅	MCH58	MOSFET （金属 o化物）		SC-88AFL/MCPH5	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道	20 v	1.5A（TA）	1.8V，4.5V	266MOHM @ 750mA，4.5V	1.4V @ 1mA	1.7 NC @ 4.5 V	±10V	120 pf @ 10 V	-	800MW（TA）
DTC143T	0.0200	RFQ	110	Onmi	*	大部分	积极的					DTC143				下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.21.0095	1
STD1059-001	0.2400	RFQ	15	Onmi	*	大部分	积极的									-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1
NTMFS4C05NAT1G	0.6331	RFQ	6225	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道	30 V	21.7a（ta），78a tc）	4.5V，10V	3.4mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	1972 pf @ 15 V	-	2.57W（TA），33W（tc）
mps2907arlrmg	-	RFQ	3054	Onmi	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	MPS290		625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																							60 V	600 MA			10NA（ICBO）			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	200MHz
S1ZMMBZ5242BLT1	0.0200	RFQ	39	Onmi	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0050	3,000
2SJ653	2.8500	RFQ	37	Onmi	*	大部分	积极的					2SJ65	-			下载	rohs3符合条件	3（168））	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1												-
MBRB1545CT	-	RFQ	8748	Onmi	SwitchMode™	管子	过时的			表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	MBRB1545	肖特基		D²Pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	MBRB1545CTOS	Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	45 v	7.5a	570 mv @ 7.5 A		100 µA @ 45 V	-65°C〜175°C
NZ3F4V7T1G	-	RFQ	1508	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±6.38％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-90，SOD-323F	NZ3F4		800兆	SOD-323FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																	1.3 V @ 10 mA		3 µA @ 2 V									4.7 v	100欧姆
FDMS86200	2.6000	RFQ	13	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDMS86	MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道	150 v	9.6a（TA），35a （TC）	6V，10V	18mohm @ 9.6a，10v	4V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±20V	2715 PF @ 75 V	-	2.5W（ta），104W（tc）
MMSZ5244ET1	-	RFQ	1629年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123	MMSZ524		500兆	SOD-123	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																	900 mv @ 10 ma		100 na @ 10 V									14 V	15欧姆
NTTFS020N06CTAG	1.3700	RFQ	3251	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NTTFS020	MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道	60 V	7a（7A），27A （TC）	10V	20.3MOHM @ 4A，10V	4V @ 20µA	5.8 NC @ 10 V	±20V	355 pf @ 30 V	-	2.5W（ta），31W（tc）
FDMS86310	2.6400	RFQ	730	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDMS86	MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道	80 V	17a（17a），50A（tc）	8V，10V	4.8mohm @ 17a，10v	4.5V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±20V	6290 pf @ 40 V	-	2.5W（ta），96w（tc）
FDP5N60NZ	-	RFQ	1139	Onmi	Unifet-II™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FDP5	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道	600 v	4.5A（TC）	10V	2ohm @ 2.25a，10v	5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±25V	600 pf @ 25 V	-	100W（TC）
NCV8440STT1G	-	RFQ	2608	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	NCV8440	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223（TO-261）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道	59 v	2.6a（ta）	3.5V，10V	110MOHM @ 2.6a，10V	1.9V @ 100µA	4.5 NC @ 4.5 V	±15V	155 pf @ 35 V	-	1.69W（TA）
NVGS4111PT1G	0.7100	RFQ	1	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	NVGS4111	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道	30 V	3.7a（ta）	4.5V，10V	60mohm @ 3.7a，10v	3V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±20V	750 pf @ 15 V	-	630MW（TA）
NXH010P120MNF1PTG	179.9900	RFQ	4791	Onmi	-	托盘	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	NXH010	（SIC）	250W（TJ）	-	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NXH010P120MNF1PTG	Ear99	8541.29.0095	28	2 n 通道（双）公共来源			1200V（1.2kV）	114a（TC）		14mohm @ 100a，20v	4.3V @ 40mA	454NC @ 20V		4707pf @ 800V	-
NSR0620SP2T5G	0.5100	RFQ	7	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			-	-	NSR0620	肖特基		-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	8,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													20 v		520 mv @ 500 mA		9 µA @ 20 V	-55°C〜125°C	500mA	-
2SC4223L-E	0.7100	RFQ	12	Onmi	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	458
NVMFS4C310NT1G	1.3600	RFQ	1179	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS4	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道	30 V	（17a）（ta），51a（tc）	4.5V，10V	6mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	18.6 NC @ 10 V	±20V	1000 pf @ 15 V	-	3.5W（TA），32W（tc）
1N5252B_T50R	-	RFQ	3400	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5252		500兆	do-35	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000																	1.2 V @ 200 ma		100 na @ 18 V									24 V	33欧姆
FDG6332C-F085P	-	RFQ	8030	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	FDG6332	MOSFET （金属 o化物）	300MW（TA）	SC-70-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道			20V	700mA（ta），600mA（ta）		300MOHM @ 700mA，4.5V，420MOHM @ 600mA，4.5V	1.5V @ 250µA	1.5NC @ 4.5V，2NC @ 4.5V		113pf @ 10V，114pf @ 10V	-
CPH6445-TL-W	0.5100	RFQ	1	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	CPH6445	MOSFET （金属 o化物）		6-CPH	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道	60 V	3.5A（ta）	4V，10V	117MOHM @ 1.5A，10V	-	6.8 NC @ 10 V	±20V	310 pf @ 20 V	-	1.6W（TA）
NVMTS1D1N04CTXG	3.9686	RFQ	7187	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）		8-DFNW（8.3x8.4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NVMTS1D1N04CTXGTR	Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道	40 V	48.8A（TA），277A （TC）	10V	1.1MOHM @ 50A，10V	4V @ 210µA	86 NC @ 10 V	±20V	5410 PF @ 25 V	-	4.7W（TA），153W（tc）
TURC160TS1	0.1800	RFQ	67	Onmi	*	大部分	积极的									-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1
gbu6b	1.4900	RFQ	600	Onmi	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBU	GBU6	标准		gbu	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	20																	1 V @ 6 A		5 µA @ 100 V		6 a				单相	100 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²