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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电流 -io（io）	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	电阻-RDS（（在）
FQD5N30TF	-	RFQ	6634	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD5	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	300 v	4.4A（TC）	10V	900MOHM @ 2.2a，10V	5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±30V	430 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），45W（（（（（（（（（（
FQPF2P40	-	RFQ	3194	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF2	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	P通道	400 v	1.34A（TC）	10V	6.5OHM @ 670mA，10V	5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±30V	350 pf @ 25 V	-	28W（TC）
FQU30N06LTU	-	RFQ	2128	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	FQU3	MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,040	n通道	60 V	24A（TC）	5V，10V	39mohm @ 12a，10v	2.5V @ 250µA	20 nc @ 5 V	±20V	1040 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），44W（tc）
FQD30N06TF	-	RFQ	2710	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD3	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	60 V	22.7A（TC）	10V	45mohm @ 11.4a，10v	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±25V	945 PF @ 25 V	-	2.5W（TA），44W（tc）
HUF764073	-	RFQ	2835	Onmi	Ultrafet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	HUF76	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400	n通道	60 V	13A（TC）	4.5V，10V	92MOHM @ 13A，10V	3V @ 250µA	11.3 NC @ 10 V	±16V	350 pf @ 25 V	-	38W（TC）
FQP19N20CTSTU	-	RFQ	3686	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FQP1	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	200 v	19a（tc）	10V	170MOHM @ 9.5A，10V	4V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±30V	1080 pf @ 25 V	-	139W（TC）
FQPF16N25C	-	RFQ	3977	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF16	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	250 v	15.6A（TC）	10V	270MOHM @ 7.8A，10V	4V @ 250µA	53.5 NC @ 10 V	±30V	1080 pf @ 25 V	-	43W（TC）
FQP3P50	1.6900	RFQ	2630	Onmi	QFET®	管子	上次购买	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FQP3	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	P通道	500 v	2.7A（TC）	10V	4.9ohm @ 1.35a，10V	5V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±30V	660 pf @ 25 V	-	85W（TC）
J105_D27Z	-	RFQ	1110	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	J105		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000	n通道								-								25 v	500 ma @ 15 V	4.5 V @ 1 µA	3欧姆
J106	-	RFQ	9334	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	J106		625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000	n通道								-								25 v	200 ma @ 15 V	2 V @ 1 µA	6欧姆
J105_D74Z	-	RFQ	5126	Onmi	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	J105		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000	n通道								-								25 v	500 ma @ 15 V	4.5 V @ 1 µA	3欧姆
FQPF5N50CYDTU	1.5000	RFQ	667	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，形成的线索	FQPF5	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3（Y Y形成）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	2832-FQPF5N50CYDTU	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	500 v	5A（TC）	10V	1.4OHM @ 2.5A，10V	4V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±30V	625 pf @ 25 V	-	38W（TC）
FQP30N06	1.5100	RFQ	3788	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FQP30	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	60 V	30A（TC）	10V	40mohm @ 15a，10v	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±25V	945 PF @ 25 V	-	79W（TC）
FQU13N06LTU	0.9000	RFQ	877	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	FQU13N06	MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	70	n通道	60 V	11A（TC）	5V，10V	115MOHM @ 5.5A，10V	2.5V @ 250µA	6.4 NC @ 5 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），28W（tc）
FQI7N10TU	-	RFQ	6072	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	FQI7	MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	100 v	7.3A（TC）	10V	350MOHM @ 3.65a，10V	4V @ 250µA	7.5 NC @ 10 V	±25V	250 pf @ 25 V	-	3.75W（ta），40W（TC）
FQP1P50	-	RFQ	8792	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FQP1	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	P通道	500 v	1.5A（TC）	10V	10.5ohm @ 750mA，10v	5V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±30V	350 pf @ 25 V	-	63W（TC）
FQPF9N25	-	RFQ	8013	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF9	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	250 v	6.7A（TC）	10V	420MOHM @ 3.35A，10V	5V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±30V	700 pf @ 25 V	-	45W（TC）
HUFA76619D3ST	-	RFQ	5822	Onmi	Ultrafet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	HUFA76	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	100 v	18A（TC）	4.5V，10V	85mohm @ 18a，10v	3V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±16V	767 PF @ 25 V	-	75W（TC）
FQP9N50C	-	RFQ	9010	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FQP9	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	500 v	9A（TC）	10V	800MOHM @ 4.5A，10V	4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±30V	1030 pf @ 25 V	-	135W（TC）
FQD6N40CTM	1.2000	RFQ	3505	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD6N40	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	400 v	4.5A（TC）	10V	1欧姆 @ 2.25a，10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±30V	625 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），48W（tc）
FQPF5N50C	-	RFQ	3686	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF5	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	500 v	5A（TC）	10V	1.4OHM @ 2.5A，10V	4V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±30V	625 pf @ 25 V	-	38W（TC）
HUFA76609D3S	-	RFQ	8653	Onmi	Ultrafet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	HUFA76	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,800	n通道	100 v	10A（TC）	4.5V，10V	160MOHM @ 10a，10v	3V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±16V	425 pf @ 25 V	-	49W（TC）
FQD3N60TM	-	RFQ	7814	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD3	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	600 v	2.4A（TC）	10V	3.6OHM @ 1.2A，10V	5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±30V	450 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），50W（50W）（TC）
FQB12P10TM	-	RFQ	7796	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FQB1	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	P通道	100 v	11.5A（TC）	10V	290MOHM @ 5.75A，10V	4V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±30V	800 pf @ 25 V	-	3.75W（ta），75W（（（（（（（（（（
FQB5N30TM	-	RFQ	4814	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FQB5	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	300 v	5.4A（TC）	10V	900MOHM @ 2.7a，10V	5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±30V	430 pf @ 25 V	-	3.13W（ta），70W（tc）
HUF75321D3S	-	RFQ	1097	Onmi	Ultrafet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	HUF75	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,800	n通道	55 v	20A（TC）	10V	36mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	44 NC @ 20 V	±20V	680 pf @ 25 V	-	93W（TC）
FQD10N20TM	-	RFQ	6874	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD1	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	200 v	7.6A（TC）	10V	360MOHM @ 3.8A，10V	5V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±30V	670 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），51W（TC）
FQPF17P06	-	RFQ	6190	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF1	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	P通道	60 V	12A（TC）	10V	120mohm @ 6a，10v	4V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±25V	900 pf @ 25 V	-	39W（TC）
FQD7N30TF	-	RFQ	1324	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD7	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	300 v	5.5A（TC）	10V	700MOHM @ 2.75a，10V	5V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±30V	610 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），50W（50W）（TC）
KBU4M	-	RFQ	2180	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbu	KBU4	标准		KBU	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	200												1 V @ 4 A	5 µA @ 50 V	4 a	单相	1 kV

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²