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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 fet (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 电流 -反向泄漏 @ @ vr 电流 -io(io) 二极管类型 电压 -峰值反向(最大) 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
GBPC2501 onsemi GBPC2501 6.9700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Onmi - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) QC终端 4平方英尺,GBPC GBPC25 标准 GBPC 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 7.5 A 5 µA @ 100 V 25 a 单相 100 v
GBPC2508 onsemi GBPC2508 5.9000
RFQ
ECAD 301 0.00000000 Onmi - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) QC终端 4平方英尺,GBPC GBPC25 标准 GBPC 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 5 µA @ 800 V 25 a 单相 800 v
GBPC25005W onsemi GBPC25005W 3.9852
RFQ
ECAD 10000 0.00000000 Onmi - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4平方英尺,GBPC-W GBPC25005 标准 GBPC-W 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 5 µA @ 50 V 25 a 单相 50 V
GBPC2510 onsemi GBPC2510 6.7000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Onmi - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) QC终端 4平方英尺,GBPC GBPC25 标准 GBPC 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 1000 V 25 a 单相 1 kV
HUF75842P3 onsemi HUF758423 4.8100
RFQ
ECAD 4910 0.00000000 Onmi Ultrafet™ 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 HUF75842 MOSFET (金属 o化物) TO-220-3 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 150 v 43A(TC) 10V 42MOHM @ 43A,10V 4V @ 250µA 175 NC @ 20 V ±20V 2730 PF @ 25 V - 230W(TC)
GBPC3504 onsemi GBPC3504 6.3200
RFQ
ECAD 7514 0.00000000 Onmi - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) QC终端 4平方英尺,GBPC GBPC35 标准 GBPC 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 5 µA @ 400 V 35 a 单相 400 v
GBPC3501 onsemi GBPC3501 5.9800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Onmi - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) QC终端 4平方英尺,GBPC GBPC35 标准 GBPC 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 17.5 A 5 µA @ 100 V 35 a 单相 100 v
GBPC3506 onsemi GBPC3506 5.6700
RFQ
ECAD 1139 0.00000000 Onmi - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) QC终端 4平方英尺,GBPC GBPC35 标准 GBPC 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 17.5 A 5 µA @ 600 V 35 a 单相 600 v
HUF75345S3ST onsemi HUF75345S3ST 6.5200
RFQ
ECAD 5497 0.00000000 Onmi Ultrafet™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB HUF75345 MOSFET (金属 o化物) d²pak(to-263) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 55 v 75A(TC) 10V 7mohm @ 75a,10v 4V @ 250µA 275 NC @ 20 V ±20V 4000 pf @ 25 V - 325W(TC)
FQA85N06 onsemi FQA85N06 -
RFQ
ECAD 6163 0.00000000 Onmi QFET® 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-3P-3,SC-65-3 FQA8 MOSFET (金属 o化物) to-3p 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 450 n通道 60 V 100A(TC) 10V 10mohm @ 50a,10v 4V @ 250µA 112 NC @ 10 V ±25V 4120 PF @ 25 V - 214W(TC)
GBPC3504W onsemi GBPC3504W 6.6500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Onmi - 托盘 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4平方英尺,GBPC-W GBPC3504 标准 GBPC-W 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 17.5 A 5 µA @ 400 V 35 a 单相 400 v
GBPC3508W onsemi GBPC3508W 6.1800
RFQ
ECAD 7410 0.00000000 Onmi - 托盘 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4平方英尺,GBPC-W GBPC3508 标准 GBPC-W 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 17.5 A 5 µA @ 800 V 35 a 单相 800 v
FQA34N25 onsemi FQA34N25 -
RFQ
ECAD 4710 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-3P-3,SC-65-3 FQA3 MOSFET (金属 o化物) to-3p 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 450 n通道 250 v 34A(TC) 10V 85mohm @ 17a,10v 5V @ 250µA 80 NC @ 10 V ±30V 2750 pf @ 25 V - 245W(TC)
HUFA75343S3S onsemi HUFA75343S3S -
RFQ
ECAD 9013 0.00000000 Onmi Ultrafet™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB HUFA75 MOSFET (金属 o化物) d²pak(to-263) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 400 n通道 55 v 75A(TC) 10V 9mohm @ 75a,10v 4V @ 250µA 205 NC @ 20 V ±20V 3000 pf @ 25 V - 270W(TC)
HUFA75344S3 onsemi HUFA75344S3 -
RFQ
ECAD 3253 0.00000000 Onmi Ultrafet™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA HUFA75 MOSFET (金属 o化物) i2pak((TO-262) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 400 n通道 55 v 75A(TC) 10V 8mohm @ 75a,10v 4V @ 250µA 210 NC @ 20 V ±20V 3200 PF @ 25 V - 285W(TC)
HUF76445S3ST onsemi HUF76445S3ST -
RFQ
ECAD 7549 0.00000000 Onmi Ultrafet™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB HUF76 MOSFET (金属 o化物) d²pak(to-263) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 60 V 75A(TC) 4.5V,10V 6.5MOHM @ 75A,10V 3V @ 250µA 150 NC @ 10 V ±16V 4965 PF @ 25 V - 310W(TC)
FLZ10VA onsemi flz10va -
RFQ
ECAD 2526 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±3% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 FLZ10 500兆 SOD-80 - (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 2,500 1.2 V @ 200 ma 110 na @ 7 V 9.4 v 6.6欧姆
FLZ10VC onsemi FLZ10VC -
RFQ
ECAD 8595 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±3% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 FLZ10 500兆 SOD-80 - (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 2,500 1.2 V @ 200 ma 110 na @ 7 V 10.1 v 6.6欧姆
FLZ12VC onsemi FLZ12VC -
RFQ
ECAD 6672 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±3% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 FLZ12 500兆 SOD-80 - (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 2,500 1.2 V @ 200 ma 133 na @ 9 V 12.1 v 9.5欧姆
FLZ13VC onsemi flz13vc -
RFQ
ECAD 6388 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±3% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 FLZ13 500兆 SOD-80 - (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 2,500 1.2 V @ 200 ma 133 na @ 10 V 13.3 v 11.4欧姆
FLZ18VB onsemi FLZ18VB -
RFQ
ECAD 3040 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±3% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 FLZ18 500兆 SOD-80 - (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 2,500 1.2 V @ 200 ma 133 na @ 13 V 17.3 v 19.4欧姆
FLZ24VD onsemi FLZ24VD -
RFQ
ECAD 2236 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±3% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 FLZ24 500兆 SOD-80 - (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 2,500 1.2 V @ 200 ma 133 na @ 19 V 24.3 v 29欧姆
FLZ27VB onsemi FLZ27VB -
RFQ
ECAD 7557 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±3% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 FLZ27 500兆 SOD-80 - (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 2,500 1.2 V @ 200 ma 133 na @ 21 V 25.6 v 38欧姆
FLZ3V3B onsemi flz3v3b -
RFQ
ECAD 8601 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±3% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 FLZ3 500兆 SOD-80 - (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 2,500 1.2 V @ 200 ma 14 µA @ 1 V 3.4 v 35欧姆
FLZ3V9A onsemi flz3v9a -
RFQ
ECAD 2846 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±3% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 FLZ3 500兆 SOD-80 - (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 2,500 1.2 V @ 200 ma 1.4 µA @ 1 V 3.9 v 40欧姆
FLZ33VC onsemi flz33vc -
RFQ
ECAD 6862 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±3% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 FLZ33 500兆 SOD-80 - (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 2,500 1.2 V @ 200 ma 133 na @ 25 V 31.7 v 55欧姆
FLZ5V1A onsemi flz5v1a -
RFQ
ECAD 7900 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±3% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 flz5 500兆 SOD-80 - (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 2,500 1.2 V @ 200 ma 190 na @ 1.5 V 4.9 v 17欧姆
FLZ9V1A onsemi flz9v1a -
RFQ
ECAD 6679 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±3% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 FLZ9 500兆 SOD-80 - (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 2,500 1.2 V @ 200 ma 300 na @ 6 V 8.5 v 6.6欧姆
FDU8796 onsemi FDU8796 -
RFQ
ECAD 8762 0.00000000 Onmi PowerTrench® 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-251-3,IPAK,TO-251AA FDU87 MOSFET (金属 o化物) 我帕克 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 75 n通道 25 v 35A(TC) 4.5V,10V 5.7MOHM @ 35A,10V 2.5V @ 250µA 52 NC @ 10 V ±20V 2610 PF @ 13 V - 88W(TC)
FDD8782 onsemi FDD8782 -
RFQ
ECAD 7501 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 FDD878 MOSFET (金属 o化物) TO-252AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 25 v 35A(TC) 4.5V,10V 11mohm @ 35a,10v 2.5V @ 250µA 25 NC @ 10 V ±20V 1220 pf @ 13 V - 50W(TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库