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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	（ID） - 最大
BC237BZL1G	-	RFQ	5482	Onmi	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	BC237		350兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																							45 v	100 ma			15NA			NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5V	200MHz
DAN222M3T5G	0.2800	RFQ	38	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-723	Dan222	标准		SOT-723	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	8,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度												1对普通阴极	80 V	100mA（dc）	1.2 V @ 100 ma	4 ns	100 NA @ 70 V	150°C （最大）
HUFA76404DK8T	-	RFQ	7068	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	HUFA76404	MOSFET （金属 o化物）	2.5W	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）			62V	3.6a		110MOHM @ 3.6A，10V	3V @ 250µA	4.9nc @ 5V		250pf @ 25V	逻辑级别门
FDMS9600S	2.4900	RFQ	2	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	FDMS9600	MOSFET （金属 o化物）	1W	8-MLP（5x6），Power56	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）			30V	12a，16a		8.5mohm @ 12a，10v	3V @ 250µA	13nc @ 4.5V		1705pf @ 15V	逻辑级别门
FQP85N06	1.3290	RFQ	8755	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FQP85	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道	60 V	85A（TC）	10V	10mohm @ 42.5a，10v	4V @ 250µA	112 NC @ 10 V	±25V	4120 PF @ 25 V	-	160W（TC）
PCISL9R1560W	1.3900	RFQ	1632年	Onmi	-	大部分	上次购买					PCISL9				-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-PCISL9R1560W	Ear99	8541.29.0095	1
HUFA75852G3	-	RFQ	3012	Onmi	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	HUFA75	MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	150			n通道	150 v	75A（TC）	10V	16mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	480 NC @ 20 V	±20V	7690 pf @ 25 V	-	500W（TC）
SUR81520G	-	RFQ	6821	Onmi	*	大部分	积极的									下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	1
NSCD21LT3G	-	RFQ	2732	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的									-	rohs3符合条件		到达不受影响	488-NSCD21LT3GTR	过时的		5,000
FDPF680N10T	1.6500	RFQ	821	Onmi	PowerTrench®	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FDPF680	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道	100 v	12A（TC）	10V	68mohm @ 6a，10v	4.5V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	1000 pf @ 50 V	-	24W（TC）
NVMYS1D3N04CTWG	3.7200	RFQ	13	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-1023，4-LFPAK	NVMYS1	MOSFET （金属 o化物）		LFPAK4（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道	40 V	43A（ta），252A（tc）	10V	1.15MOHM @ 50a，10V	3.5V @ 180µA	75 NC @ 10 V	±20V	4855 pf @ 25 V	-	3.9W（TA），134W（tc）
1SMA5941BT3G	0.4700	RFQ	12	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	do-214ac，SMA	1SMA5941		1.5 w	SMA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000																	1.5 V @ 200 ma		500 NA @ 35.8 V									47 V	67欧姆
EC3201C-PM-TL	0.0400	RFQ	20	Onmi	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	10,000
IRLR110ATF	-	RFQ	2605	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRLR11	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道	100 v	4.7A（TC）	5V	440MOHM @ 2.35a，5V	2V @ 250µA	8 nc @ 5 V	±20V	235 pf @ 25 V	-	2.5W（22W），22W（tc）
NRVBM2H100T3G	0.9100	RFQ	9979	Onmi	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-216aa	NRVBM2	肖特基		Powermite	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	12,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													100 v		680 mv @ 2 a		20 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	2a	-
NTMT090N65S3HF	8.2900	RFQ	7856	Onmi	SuperFet®III，FRFET®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-POWERTSFN		MOSFET （金属 o化物）		4-PQFN （8x8）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道	650 v	36a（TC）	10V	90MOHM @ 18A，10V	5V @ 860µA	66 NC @ 10 V	±30V	2930 PF @ 400 V	-	272W（TC）
MMBZ5229ELT3G	-	RFQ	9926	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBZ52		225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000																	900 mv @ 10 ma		5 µA @ 1 V									4.3 v	22欧姆
BAV70LT3G	0.1400	RFQ	72	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAV70	标准		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	10,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度												1对普通阴极	100 v	200ma（dc）	1.25 V @ 150 mA	6 ns	2.5 µA @ 70 V	-55°C〜150°C
NTD20N06LT4G	1.2100	RFQ	3241	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTD20	MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	60 V	20A（TA）	5V	48mohm @ 10a，5v	2V @ 250µA	32 NC @ 5 V	±15V	990 pf @ 25 V	-	1.36W（ta），60w（TJ）
2SK715U	-	RFQ	8806	Onmi	-	大部分	过时的		125°C（TJ）	通过洞	SC-72	2SK715		300兆	3-SPA	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	500			n通道	15 v							10pf @ 5V														7.3 ma @ 5 V	600 mV @ 100 µA								50 mA
1SMB5917BT3	-	RFQ	1220	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	1SMB5917		3 W	SMB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	2,500																	1.5 V @ 200 ma		5 µA @ 1.5 V									4.7 v	5欧姆
S1Z1SMB5919BT3G	0.6800	RFQ	8052	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	DO-214AA，SMB	S1Z1			SMB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	2,500
MMSZ5226ET1	-	RFQ	4756	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123	MMSZ522		500兆	SOD-123	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																	900 mv @ 10 ma		25 µA @ 1 V									3.3 v	28欧姆
NTB25P06G	-	RFQ	8907	Onmi	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	NTB25	MOSFET （金属 o化物）		D²Pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			P通道	60 V	27.5a（ta）	10V	82MOHM @ 25a，10V	4V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±15V	1680 pf @ 25 V	-	120W（TJ）
1N5993D	4.6200	RFQ	53	Onmi	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0050	65																	1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 2 V									5.1 v	50欧姆
MM5Z4705T1G	0.0534	RFQ	8316	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-79，SOD-523	MM5Z4705		500兆	SOD-523	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-MM5Z4705T1GTR	Ear99	8541.10.0050	3,000																	900 mv @ 10 ma		50 NA @ 13.6 V									18 V
NRVBS230LNT3G	0.4900	RFQ	3710	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	DO-214AA，SMB	NRVBS230	肖特基		SMB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													30 V		500 mv @ 2 a		1 ma @ 30 V	-55°C〜125°C	2a	-
SVD5865NLT4G	0.3613	RFQ	85	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SVD5865	MOSFET （金属 o化物）		DPAK-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	60 V	10A（10A），46A （TC）	4.5V，10V	16mohm @ 19a，10v	2V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），71W（71W）TC）
MTB15N06VT4	0.6400	RFQ	10	Onmi	*	大部分	积极的									下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	800
MM3Z4V3T1G9D1634	-	RFQ	3324	Onmi	*	大部分	积极的									-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8541.10.0050	3,000

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²