RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
TIP102TSTU	-	RFQ	3722	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	提示102			2 w	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000														100 v	8 a						50µA	npn-达灵顿	2.5V @ 80mA，8a	1000 @ 3A，4V	-
FQP4P25	-	RFQ	7346	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FQP4		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000	P通道		250 v	4A（TC）	10V	2.1OHM @ 2A，10V	5V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±30V	420 pf @ 25 V	-	75W（TC）
FQP3N40	-	RFQ	8964	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FQP3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道		400 v	2.5A（TC）	10V	3.4OHM @ 1.25A，10V	5V @ 250µA	7.5 NC @ 10 V	±30V	230 pf @ 25 V	-	55W（TC）
FQU13N06LTU	0.9000	RFQ	877	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	FQU13N06		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	70	n通道		60 V	11A（TC）	5V，10V	115MOHM @ 5.5A，10V	2.5V @ 250µA	6.4 NC @ 5 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），28W（tc）
FQI7N10TU	-	RFQ	6072	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	FQI7		MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50	n通道		100 v	7.3A（TC）	10V	350MOHM @ 3.65a，10V	4V @ 250µA	7.5 NC @ 10 V	±25V	250 pf @ 25 V	-	3.75W（ta），40W（TC）
FQU2N60CTU	-	RFQ	5305	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	FQU2N60		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	70	n通道		600 v	1.9A（TC）	10V	4.7ohm @ 950mA，10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±30V	235 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），44W（tc）
FQPF2P40	-	RFQ	3194	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF2		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50	P通道		400 v	1.34A（TC）	10V	6.5OHM @ 670mA，10V	5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±30V	350 pf @ 25 V	-	28W（TC）
FQU30N06LTU	-	RFQ	2128	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	FQU3		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	5,040	n通道		60 V	24A（TC）	5V，10V	39mohm @ 12a，10v	2.5V @ 250µA	20 nc @ 5 V	±20V	1040 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），44W（tc）
FQD30N06TF	-	RFQ	2710	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD3		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道		60 V	22.7A（TC）	10V	45mohm @ 11.4a，10v	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±25V	945 PF @ 25 V	-	2.5W（TA），44W（tc）
HUF764073	-	RFQ	2835	Onmi	Ultrafet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	HUF76		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	400	n通道		60 V	13A（TC）	4.5V，10V	92MOHM @ 13A，10V	3V @ 250µA	11.3 NC @ 10 V	±16V	350 pf @ 25 V	-	38W（TC）
FQD6N40CTM	1.2000	RFQ	3505	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD6N40		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道		400 v	4.5A（TC）	10V	1欧姆 @ 2.25a，10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±30V	625 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），48W（tc）
FQPF5N50C	-	RFQ	3686	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF5		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50	n通道		500 v	5A（TC）	10V	1.4OHM @ 2.5A，10V	4V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±30V	625 pf @ 25 V	-	38W（TC）
HUFA76609D3S	-	RFQ	8653	Onmi	Ultrafet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	HUFA76		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,800	n通道		100 v	10A（TC）	4.5V，10V	160MOHM @ 10a，10v	3V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±16V	425 pf @ 25 V	-	49W（TC）
FQD3N60TM	-	RFQ	7814	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD3		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道		600 v	2.4A（TC）	10V	3.6OHM @ 1.2A，10V	5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±30V	450 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），50W（50W）（TC）
FQAF16N25C	-	RFQ	9969	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	FQAF1		MOSFET （金属 o化物）		to-3pf	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	360	n通道		250 v	11.4A（TC）	10V	270MOHM @ 5.7A，10V	4V @ 250µA	53.5 NC @ 10 V	±30V	1080 pf @ 25 V	-	73W（TC）
FQA44N08	-	RFQ	9936	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FQA4		MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	30	n通道		80 V	49.8A（TC）	10V	34mohm @ 24.9a，10v	4V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±25V	1430 pf @ 25 V	-	163W（TC）
FQB55N06TM	-	RFQ	9461	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FQB5		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	800	n通道		60 V	55A（TC）	10V	20mohm @ 27.5a，10v	4V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±25V	1690 pf @ 25 V	-	3.75W（TA），133W（tc）
FQI19N20TU	-	RFQ	7249	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	FQI1		MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道		200 v	19.4a（TC）	10V	150MOHM @ 9.7A，10V	5V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±30V	1600 pf @ 25 V	-	3.13W（TA），140W（tc）
HUFA75823D3ST	-	RFQ	3972	Onmi	Ultrafet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	HUFA75		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道		150 v	14A（TC）	10V	150mohm @ 14a，10v	4V @ 250µA	54 NC @ 20 V	±20V	800 pf @ 25 V	-	85W（TC）
FQPF65N06	-	RFQ	9212	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF65		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50	n通道		60 V	40a（TC）	10V	16mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±25V	2410 pf @ 25 V	-	56W（TC）
FQA33N10L	-	RFQ	3695	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FQA3		MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	450	n通道		100 v	36a（TC）	5V，10V	52MOHM @ 18A，10V	2V @ 250µA	40 NC @ 5 V	±20V	1630 PF @ 25 V	-	163W（TC）
HUF76429S3S	-	RFQ	5308	Onmi	Ultrafet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	HUF76		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	400	n通道		60 V	47A（TC）	4.5V，10V	22mohm @ 47a，10v	3V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±16V	1480 pf @ 25 V	-	110W（TC）
FQPF5N80	-	RFQ	9789	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF5		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道		800 v	2.8A（TC）	10V	2.6ohm @ 1.4a，10v	5V @ 250µA	33 NC @ 10 V	±30V	1250 pf @ 25 V	-	47W（TC）
HGTD7N60C3S9A	1.8200	RFQ	2	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	HGTD7N60	标准		60 W	TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		-											-	600 v	14 a	56 a	2V @ 15V，7a	165µJ（在）上，600µJ（600µJ）	23 NC	-
FQD10N20TM	-	RFQ	6874	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD1		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道		200 v	7.6A（TC）	10V	360MOHM @ 3.8A，10V	5V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±30V	670 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），51W（TC）
FQPF17P06	-	RFQ	6190	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF1		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50	P通道		60 V	12A（TC）	10V	120mohm @ 6a，10v	4V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±25V	900 pf @ 25 V	-	39W（TC）
FQD7N30TF	-	RFQ	1324	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD7		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道		300 v	5.5A（TC）	10V	700MOHM @ 2.75a，10V	5V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±30V	610 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），50W（50W）（TC）
FQP19N20CTSTU	-	RFQ	3686	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FQP1		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50	n通道		200 v	19a（tc）	10V	170MOHM @ 9.5A，10V	4V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±30V	1080 pf @ 25 V	-	139W（TC）
FQPF16N25C	-	RFQ	3977	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF16		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50	n通道		250 v	15.6A（TC）	10V	270MOHM @ 7.8A，10V	4V @ 250µA	53.5 NC @ 10 V	±30V	1080 pf @ 25 V	-	43W（TC）
FQP3P50	1.6900	RFQ	2630	Onmi	QFET®	管子	上次购买	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FQP3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50	P通道		500 v	2.7A（TC）	10V	4.9ohm @ 1.35a，10V	5V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±30V	660 pf @ 25 V	-	85W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²