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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
MCH3221-TL-E	0.1400	RFQ	48	Onmi	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000
FFSP15120A	10.2600	RFQ	808	Onmi	-	管子	积极的			通过洞	TO-220-2	FFSP15120		SIC （碳化硅）			TO-220-2L	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														1200 v		1.75 V @ 15 A		200 µA @ 1200 V	-55°C 〜175°C	15a	936pf @ 1V，100kHz
MUR130RLG	0.3800	RFQ	432	Onmi	SwitchMode™	胶带和卷轴（（tr）	过时的			通过洞	do-204al，do-41，轴向	Mur130		标准			轴向	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														300 v		1.25 V @ 1 A	75 ns	5 µA @ 300 V	-65°C〜175°C	1a	-
NVHL040N60S5F	10.7100	RFQ	450	Onmi	FRFET®，SuperFet®	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	NVHL040		MOSFET （金属 o化物）			TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NVHL040N60S5F	Ear99	8541.29.0095	450			n通道		600 v	59A（TC）	10V	40mohm @ 29.5a，10v	4.8V @ 7.2mA	115 NC @ 10 V	±30V	6318 PF @ 400 V	-	347W（TC）
HUF75545S3	-	RFQ	5974	Onmi	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	HUF75		MOSFET （金属 o化物）			i2pak（（TO-262）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400			n通道		80 V	75A（TC）	10V	10mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	235 NC @ 20 V	±20V	3750 PF @ 25 V	-	270W（TC）
NZ8F33VSMX2WT5G	-	RFQ	7652	Onmi	NZ8F	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±2.3％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	2-XDFN				250兆		2-x2dfnw（（1x0.6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NZ8F33VSMX2WT5GTR	Ear99	8541.10.0050	8,000																		900 mv @ 10 ma		100 na @ 26 V														33 V	95欧姆
FDMC6688P	-	RFQ	2840	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	FDMC6688		MOSFET （金属 o化物）			8-PQFN （3.3x3.3），Power33	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道		20 v	（14A）（56A（ta）（TC）	1.8V，4.5V	6.5MOHM @ 14A，4.5V	1V @ 250µA	61 NC @ 4.5 V	±8V	7435 pf @ 10 V	-	2.3W（TA），30W（TC）
1N5356B	-	RFQ	4922	Onmi	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	T-18，轴向	1N5356			5 w		轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000																		1.2 V @ 1 A		500 NA @ 14.4 V														19 v	3欧姆
SBRD8350RLG-VF01	0.4700	RFQ	5	Onmi	-	大部分	过时的			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			肖特基			DPAK	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-SBRD8350RLG-VF01	Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														50 V		600 mv @ 3 a		200 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	3a	-
Sura8105T3G	-	RFQ	3990	Onmi	-	大部分	过时的					Sura8105						下载				488-SURA8105T3G	过时的		1
NRVHP8H200MFDWFT1G	1.5100	RFQ	1	Onmi	汽车，AEC-Q101，SwitchMode™	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	8-POWERTDFN	NRVHP8		标准			8-dfn（5x6）（SO8FL偶）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													2独立	200 v	4a	910 MV @ 8 A	30 ns	500 na @ 200 V	-55°C 〜175°C
Murb1620Ctg	-	RFQ	9035	Onmi	SwitchMode™	管子	过时的			表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	Murb1620		标准			D²Pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1对普通阴极	200 v	8a	975 mv @ 8 a	35 ns	5 µA @ 200 V	-65°C〜175°C
BC560CZL1	-	RFQ	4143	Onmi	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	BC560			625兆		TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																									45 v	100 ma						15NA（icbo）					PNP	250mv @ 5mA，100mA	380 @ 2mA，5V	250MHz
MM3Z22VC	0.2200	RFQ	9	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F	MM3Z22			200兆		SOD-323F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																		1 V @ 10 mA		45 NA @ 15.4 V														22 v	51欧姆
ECH8697R-TL-W	0.6200	RFQ	4	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	ECH8697		MOSFET （金属 o化物）	1.5W		SOT-28FL/ECH8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）公共排水				24V	10a		11.6mohm @ 5A，4.5V	-	6NC @ 4.5V		-	逻辑水平门，2.5V
MMBD1403A	-	RFQ	9567	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBD14		标准			SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度													1对系列连接	175 v	200mA	1 V @ 200 MA	50 ns	100 NA @ 175 V	150°C （最大）
ECH8664R-TL-H	-	RFQ	8583	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	ECH8664		MOSFET （金属 o化物）	1.4W		8-ech	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）				30V	7a		23.5MOHM @ 3.5A，4.5V	-	10NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
SURS8360T3G-VF01	-	RFQ	2476	Onmi	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的											-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-SURS8360T3G-VF01TR	Ear99	8541.10.0080	3,000
FDY302NZ	0.3700	RFQ	240	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-89，SOT-490	FDY302		MOSFET （金属 o化物）			SC-89-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道		20 v	600mA（TA）	1.8V，4.5V	300MOHM @ 600mA，4.5V	1.5V @ 250µA	1.1 NC @ 4.5 V	±12V	60 pf @ 10 V	-	625MW（TA）
RFD12N06RLESM9A	1.1000	RFQ	8048	Onmi	Ultrafet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RFD12N06		MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		60 V	18A（TC）	4.5V，10V	63mohm @ 18a，10v	3V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±16V	485 pf @ 25 V	-	49W（TC）
afghl40t65spd	6.7800	RFQ	6071	Onmi	汽车，AEC-Q101	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	afghl40	标准		267 w		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	afghl40t65spdos	Ear99	8541.29.0095	30				400V，40a，6ohm，15V															35 ns					沟渠场停止	650 v	80 a	120 a	2.4V @ 15V，40a	1.16mj（在）上（270µJ）off）	36 NC	18NS/35NS
FMS6G20US60	-	RFQ	7790	Onmi	-	盒子	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	25 pm-aa	FMS6			89 w	三相桥梁整流器	25 pm-aa	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	三相逆变器																							-	600 v	20 a		2.7V @ 15V，20A				250 µA	是的			1.277 NF @ 30 V
BC237BZL1G	-	RFQ	5482	Onmi	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	BC237			350兆		TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																									45 v	100 ma						15NA					NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	200MHz
DAN222M3T5G	0.2800	RFQ	38	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-723	Dan222		标准			SOT-723	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	8,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度													1对普通阴极	80 V	100mA（dc）	1.2 V @ 100 ma	4 ns	100 NA @ 70 V	150°C （最大）
HUFA76404DK8T	-	RFQ	7068	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	HUFA76404		MOSFET （金属 o化物）	2.5W		8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）				62V	3.6a		110MOHM @ 3.6A，10V	3V @ 250µA	4.9nc @ 5V		250pf @ 25V	逻辑级别门
FQP85N06	1.3290	RFQ	8755	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FQP85		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道		60 V	85A（TC）	10V	10mohm @ 42.5a，10v	4V @ 250µA	112 NC @ 10 V	±25V	4120 PF @ 25 V	-	160W（TC）
PCISL9R1560W	1.3900	RFQ	1632年	Onmi	-	大部分	上次购买					PCISL9						-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-PCISL9R1560W	Ear99	8541.29.0095	1
HUFA75852G3	-	RFQ	3012	Onmi	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	HUFA75		MOSFET （金属 o化物）			TO-247-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	150			n通道		150 v	75A（TC）	10V	16mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	480 NC @ 20 V	±20V	7690 pf @ 25 V	-	500W（TC）
SUR81520G	-	RFQ	6821	Onmi	*	大部分	积极的											下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	1
NSCD21LT3G	-	RFQ	2732	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的											-	rohs3符合条件		到达不受影响	488-NSCD21LT3GTR	过时的		5,000

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²