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离散半导体产品（（26937）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 频率 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet （amp） 当前 -测试 功率 -输出 获得 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 噪音图 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 电流 -反向泄漏 @ @ vr 电流 -io（io） 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电压 -测试 二极管类型 电压 -峰值反向（最大） 电压 -故障（ v br（br）GSS） 电流 -idss） @ vds（vgs = 0） 电压 -截止（ -vgs Off） @ ID 当前 -收集器截止（最大） 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） （（ZZT）） 电阻-RDS（（在） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡
MMSZ5247B onsemi MMSZ5247B -
RFQ
 ECAD 2750 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 ±5％ -55°C〜150°C 表面安装 SOD-123 MMSZ524 500兆 SOD-123 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 900 mv @ 10 ma 100 na @ 13 V 17 V 19欧姆
MMBZ5238B onsemi MMBZ5238B -
RFQ
 ECAD 6576 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 ±5％ -55°C〜150°C 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MMBZ52 350兆 SOT-23-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 900 mv @ 10 ma 3 µA @ 6.5 V 8.7 v 8欧姆
J109_D27Z onsemi J109_D27Z -
RFQ
 ECAD 1679年 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA） J109 625兆 TO-92-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,000 n通道 - 25 v 40 mA @ 15 V 2 V @ 10 na 12欧姆
J109_D74Z onsemi J109_D74Z -
RFQ
 ECAD 1650 0.00000000 Onmi - （TB） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA） J109 625兆 TO-92-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,000 n通道 - 25 v 40 mA @ 15 V 2 V @ 10 na 12欧姆
J202_D27Z onsemi J202_D27Z -
RFQ
 ECAD 5822 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA） J202 625兆 TO-92-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,000 n通道 - 40 V 900 µA @ 20 V 800 mv @ 10 na
J211-D74Z onsemi J211-D74Z 0.5000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Onmi - （CT） 积极的 25 v 通过洞 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA） J211 - JFET TO-92-3 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 n通道 20mA - - -
J202_D26Z onsemi J202_D26Z -
RFQ
 ECAD 8654 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA） J202 625兆 TO-92-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,000 n通道 - 40 V 900 µA @ 20 V 800 mv @ 10 na
TIS75 onsemi TIS75 -
RFQ
 ECAD 4675 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 to-226AA） TIS75 350兆 TO-92-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,000 n通道 18pf @ 10V（vgs） 30 V 8 ma @ 15 V 800 mv @ 4 na 60欧姆
MMBF4119 onsemi MMBF4119 -
RFQ
 ECAD 6803 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MMBF41 225兆 SOT-23-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 3pf @ 10V 40 V 200 µA @ 10 V 2 V @ 1 na
MMBFJ309 onsemi MMBFJ309 -
RFQ
 ECAD 8466 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 25 v 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MMBFJ3 450MHz JFET SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 n通道 30mA 10 MA - 12DB 3DB 10 v
KA33VBU onsemi ka33vbu -
RFQ
 ECAD 5073 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 ±6％ -20°C〜75°C 通过洞 TO-226-2，TO-92-2 to-226ac） KA33 200兆 TO-92-2 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 33 V 25欧姆
J304 onsemi J304 -
RFQ
 ECAD 7903 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 30 V 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 to-226AA） J304 - JFET TO-92-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 J304FS Ear99 8541.21.0075 2,000 n通道 15mA - - -
MMBFJ270 onsemi MMBFJ270 0.4400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MMBFJ2 225兆 SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 - 30 V 2 ma @ 15 V 500 mv @ 1 na
MB8S onsemi MB8 0.5100
RFQ
 ECAD 9606 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-269AA，4-Besop MB8 标准 4-Soic 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 1 V @ 500 MA 5 µA @ 800 V 500 MA 单相 800 v
P1086 onsemi P1086 -
RFQ
 ECAD 4662 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 to-226AA） P1086 350兆 TO-92-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,000 P通道 45pf @ 15V 30 V 10 ma @ 20 V 10 V @ 1 µA 75欧姆
MMBFJ210 onsemi MMBFJ210 -
RFQ
 ECAD 6020 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 25 v 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MMBFJ2 - JFET SOT-23-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 n通道 15mA - - -
FQPF6N25 onsemi FQPF6N25 -
RFQ
 ECAD 2541 0.00000000 Onmi QFET® 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 FQPF6 MOSFET （金属 o化物） TO-220F-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 250 v 4A（TC） 10V 1欧姆 @ 2A，10V 5V @ 250µA 8.5 NC @ 10 V ±30V 300 pf @ 25 V - 37W（TC）
FQD7N20LTF onsemi FQD7N20LTF -
RFQ
 ECAD 5928 0.00000000 Onmi QFET® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 FQD7 MOSFET （金属 o化物） TO-252AA 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 200 v 5.5A（TC） 5V，10V 750MOHM @ 2.75A，10V 2V @ 250µA 9 NC @ 5 V ±20V 500 pf @ 25 V - 2.5W（ta），45W（（（（（（（（（（
KBP10M onsemi KBP10M -
RFQ
 ECAD 1665年 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C〜165°C（TJ） 通过洞 4-sip，kbpm KBP1 标准 kbpm 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 30 1 V @ 1 A 5 µA @ 1000 V 1.5 a 单相 1 kV
FQD7N20LTM onsemi FQD7N20LTM 0.8400
RFQ
 ECAD 9300 0.00000000 Onmi QFET® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 FQD7N20 MOSFET （金属 o化物） TO-252AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 200 v 5.5A（TC） 5V，10V 750MOHM @ 2.75A，10V 2V @ 250µA 9 NC @ 5 V ±20V 500 pf @ 25 V - 2.5W（ta），45W（（（（（（（（（（
FQD5P10TM onsemi FQD5P10TM 0.9000
RFQ
 ECAD 2989 0.00000000 Onmi QFET® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 FQD5P10 MOSFET （金属 o化物） TO-252AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 100 v 3.6A（TC） 10V 1.05OHM @ 1.8A，10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 V ±30V 250 pf @ 25 V - 2.5W（25W），25W（tc）
FQPF13N10 onsemi FQPF13N10 -
RFQ
 ECAD 9768 0.00000000 Onmi QFET® 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 FQPF1 MOSFET （金属 o化物） TO-220F-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 100 v 8.7A（TC） 10V 180MOHM @ 4.35a，10V 4V @ 250µA 16 NC @ 10 V ±25V 450 pf @ 25 V - 30W（TC）
FQD4P25TM onsemi FQD4P25TM -
RFQ
 ECAD 3879 0.00000000 Onmi QFET® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 FQD4 MOSFET （金属 o化物） TO-252AA 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 250 v 3.1A（TC） 10V 2.1OHM @ 1.55A，10V 5V @ 250µA 14 NC @ 10 V ±30V 420 pf @ 25 V - 2.5W（ta），45W（（（（（（（（（（
TIP102TSTU onsemi TIP102TSTU -
RFQ
 ECAD 3722 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 提示102 2 w TO-220-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 100 v 8 a 50µA npn-达灵顿 2.5V @ 80mA，8a 1000 @ 3A，4V -
FQP4P25 onsemi FQP4P25 -
RFQ
 ECAD 7346 0.00000000 Onmi QFET® 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 FQP4 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 P通道 250 v 4A（TC） 10V 2.1OHM @ 2A，10V 5V @ 250µA 14 NC @ 10 V ±30V 420 pf @ 25 V - 75W（TC）
FQP3N40 onsemi FQP3N40 -
RFQ
 ECAD 8964 0.00000000 Onmi QFET® 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 FQP3 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 400 v 2.5A（TC） 10V 3.4OHM @ 1.25A，10V 5V @ 250µA 7.5 NC @ 10 V ±30V 230 pf @ 25 V - 55W（TC）
KBP005M onsemi KBP005M -
RFQ
 ECAD 3496 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C〜165°C（TJ） 通过洞 4-sip，kbpm KBP0 标准 kbpm 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 30 1 V @ 1 A 5 µA @ 50 V 1.5 a 单相 50 V
W02G onsemi W02G -
RFQ
 ECAD 2412 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4圆，WOB W02 标准 wob 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 1 V @ 1 A 5 µA @ 200 V 1.5 a 单相 200 v
W10G onsemi W10G -
RFQ
 ECAD 1107 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4圆，WOB W10 标准 wob 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 1 V @ 1 A 5 µA @ 1000 V 1.5 a 单相 1 kV
KSC2518O onsemi KSC2518O -
RFQ
 ECAD 3298 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 KSC2518 40 W TO-220-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1200 400 v 4 a 10µA（ICBO） NPN 1V @ 300mA，1.5a 30 @ 300mA，5V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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