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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
BC549B_J35Z	-	RFQ	8252	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC549		500兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																							30 V	100 ma	15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	300MHz
FDMC6688P	-	RFQ	2840	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	FDMC6688	MOSFET （金属 o化物）		8-PQFN （3.3x3.3），Power33	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道	20 v	（14A）（56A（ta）（TC）	1.8V，4.5V	6.5MOHM @ 14A，4.5V	1V @ 250µA	61 NC @ 4.5 V	±8V	7435 pf @ 10 V	-	2.3W（TA），30W（TC）
MM3Z22VC	0.2200	RFQ	9	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F	MM3Z22		200兆	SOD-323F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																	1 V @ 10 mA		45 NA @ 15.4 V							22 v	51欧姆
ECH8697R-TL-W	0.6200	RFQ	4	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	ECH8697	MOSFET （金属 o化物）	1.5W	SOT-28FL/ECH8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）公共排水			24V	10a		11.6mohm @ 5A，4.5V	-	6NC @ 4.5V		-	逻辑水平门，2.5V
1N5356B	-	RFQ	4922	Onmi	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	T-18，轴向	1N5356		5 w	轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000																	1.2 V @ 1 A		500 NA @ 14.4 V							19 v	3欧姆
NZ8F33VSMX2WT5G	-	RFQ	7652	Onmi	NZ8F	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±2.3％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	2-XDFN			250兆	2-x2dfnw（（1x0.6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NZ8F33VSMX2WT5GTR	Ear99	8541.10.0050	8,000																	900 mv @ 10 ma		100 na @ 26 V							33 V	95欧姆
MCH3221-TL-E	0.1400	RFQ	48	Onmi	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000
FFSP15120A	10.2600	RFQ	808	Onmi	-	管子	积极的			通过洞	TO-220-2	FFSP15120	SIC （碳化硅）		TO-220-2L	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1200 v		1.75 V @ 15 A		200 µA @ 1200 V	-55°C 〜175°C	15a	936pf @ 1V，100kHz
NRVHP8H200MFDWFT1G	1.5100	RFQ	1	Onmi	汽车，AEC-Q101，SwitchMode™	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	8-POWERTDFN	NRVHP8	标准		8-dfn（5x6）（SO8FL偶）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												2独立	200 v	4a	910 MV @ 8 A	30 ns	500 na @ 200 V	-55°C 〜175°C
KSA643GBU	-	RFQ	8356	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	KSA643		500兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,000																							20 v	500 MA	200NA（ICBO）			PNP	400mv @ 50mA，500mA	200 @ 100mA，1V	-
Sura8105T3G	-	RFQ	3990	Onmi	-	大部分	过时的					Sura8105				下载				488-SURA8105T3G	过时的		1
FFSP2065B-F085	6.5200	RFQ	9845	Onmi	汽车，AEC-Q101	管子	积极的			通过洞	TO-220-2	FFSP2065	SIC （碳化硅）		TO-220-2	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	800		没有恢复t> 500mA（IO）													650 v		1.7 V @ 20 A	0 ns	40 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C	20a	866pf @ 1V，100kHz
MBRD630CTT4	-	RFQ	6227	Onmi	SwitchMode™	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MBRD630	肖特基		DPAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	30 V	3a	700 mv @ 3 a		100 µA @ 30 V	-65°C〜175°C
NTA4153NT1	-	RFQ	5114	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416	NTA41	MOSFET （金属 o化物）		SC-75，SOT-416	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道	20 v	915ma（ta）	1.5V，4.5V	230MOHM @ 600mA，4.5V	1.1V @ 250µA	1.82 NC @ 4.5 V	±6V	110 pf @ 16 V	-	300MW（TJ）
2SC4452-3-TL-E	-	RFQ	1022	Onmi	-	大部分	过时的									-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-2SC4452-3-TL-E-488			1
BYW80-200G	1.2500	RFQ	1196	Onmi	SwitchMode™	管子	积极的			通过洞	TO-220-2	BYW80	标准		TO-220-2	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													200 v		1.25 V @ 22 A	35 ns	10 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	8a	-
SBRD8835LG	-	RFQ	7389	Onmi	汽车，AEC-Q101，SwitchMode™	管子	过时的			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SBRD8835	肖特基		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	75		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													35 v		510 MV @ 8 A		1.4 mA @ 35 V	-65°C〜150°C	8a	-
MM5Z24VT1	-	RFQ	9108	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的					MM5Z2				下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000
CPH5703-TL-E	0.3300	RFQ	9	Onmi	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000
SURA8240T3G	-	RFQ	9356	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	do-214ac，SMA	Sura8240	标准		SMA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													400 v		1.3 V @ 2 A	65 ns	5 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	2a	-
1N5225BRL	0.0200	RFQ	90	Onmi	*	大部分	积极的									下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000
MM5Z4678T5G	0.0534	RFQ	3521	Onmi	MM5Z4XXXTXG	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-79，SOD-523	MM5Z4678		500兆	SOD-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-MM5Z4678T5GTR	Ear99	8541.10.0050	8,000																	900 mv @ 10 ma		7.5 µA @ 1 V							1.8 v
FDY302NZ	0.3700	RFQ	240	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-89，SOT-490	FDY302	MOSFET （金属 o化物）		SC-89-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道	20 v	600mA（TA）	1.8V，4.5V	300MOHM @ 600mA，4.5V	1.5V @ 250µA	1.1 NC @ 4.5 V	±12V	60 pf @ 10 V	-	625MW（TA）
Sura8220T3G	-	RFQ	5645	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	do-214ac，SMA	Sura8220	标准		SMA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													200 v		950 mv @ 2 a	35 ns	2 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	2a	-
FDC2512_F095	-	RFQ	9184	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	FDC2512	MOSFET （金属 o化物）		SuperSot™-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道	150 v	1.4a（ta）	6V，10V	425MOHM @ 1.4A，10V	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	344 PF @ 75 V	-	1.6W（TA）
FQPF5N50CYDTU	1.5000	RFQ	667	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，形成的线索	FQPF5	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3（Y Y形成）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	2832-FQPF5N50CYDTU	Ear99	8541.29.0095	50			n通道	500 v	5A（TC）	10V	1.4OHM @ 2.5A，10V	4V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±30V	625 pf @ 25 V	-	38W（TC）
MJE16004	0.5200	RFQ	103	Onmi	*	大部分	积极的									下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1
NDS7002A_NB9GGTXA	-	RFQ	8385	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	NDS700	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道	60 V	280mA（TA）	5V，10V	2ohm @ 500mA，10v	2.5V @ 250µA		±20V	50 pf @ 25 V	-	300MW（TA）
ECH8664R-TL-H	-	RFQ	8583	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	ECH8664	MOSFET （金属 o化物）	1.4W	8-ech	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）			30V	7a		23.5MOHM @ 3.5A，4.5V	-	10NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
KSC5502DTM	0.9700	RFQ	7161	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	KSC5502		50 W	TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500																							600 v	2 a	100µA			NPN	1.5V @ 200mA，1a	4 @ 1a，1V	11MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²