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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
SMBZ2606-18LT1	0.0200	RFQ	48	Onmi	*	大部分	积极的									-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000
SBRS8320T3G	-	RFQ	4700	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	DO-214AB，SMC	SBRS8320	肖特基		SMC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													20 v		500 mv @ 3 a		2 ma @ 20 V	-65°C〜150°C	3a	-
FDB3652-F085	-	RFQ	5337	Onmi	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FDB3652	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	100 v	（9A）（61A）（61a tc）	6V，10V	16mohm @ 61a，10v	4V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±20V	2880 pf @ 25 V	-	150W（TC）
FQP46N15	-	RFQ	1033	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FQP46	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	2156-FQP46N15	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	150 v	45.6A（TC）	10V	42MOHM @ 22.8A，10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±25V	3250 pf @ 25 V	-	210W（TC）
fyp1545dntu	-	RFQ	9955	Onmi	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-3	FYP15	肖特基		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	45 v	15a	700 MV @ 15 A		1 mA @ 45 V	-65°C〜150°C
MM3Z12VT1G	0.1800	RFQ	9681	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-76，SOD-323	MM3Z12		300兆	SOD-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																900 mv @ 10 ma		100 na @ 8 V							12 v	25欧姆
1N5227B_T50A	-	RFQ	5397	Onmi	-	（TB）	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5227		500兆	do-35	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000																1.2 V @ 200 ma		15 µA @ 1 V							3.6 v	24欧姆
BF721T1G	-	RFQ	9716	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BF721		1.5 w	SOT-223（TO-261）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																						300 v	50 mA	10NA（ICBO）			PNP	800mv @ 5mA，30mA	50 @ 25mA，20V	60MHz
IRLW510ATM	-	RFQ	5562	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRLW51	MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	100 v	5.6A（TC）	5V	440MOHM @ 2.8A，5V	2V @ 250µA	8 nc @ 5 V	±20V	235 pf @ 25 V	-	3.8W（37W），37W（tc）
FDFS2P106A	-	RFQ	6031	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDFS2P106	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500		P通道	60 V	3A（3A）	4.5V，10V	110MOHM @ 3A，10V	3V @ 250µA	21 NC @ 10 V	±20V	714 PF @ 30 V	Schottky 二极管（孤立）	900MW（TA）
MMSZ2V4T1	-	RFQ	1755年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123	mmsz2v		500兆	SOD-123	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																900 mv @ 10 ma		50 µA @ 1 V							2.4 v	100欧姆
SFT1443-TL-W	-	RFQ	3598	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SFT1443	MOSFET （金属 o化物）		DPAK/TP-FA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	700		n通道	100 v	9a（9a）	4V，10V	225mohm @ 3a，10v	2.6V @ 1mA	9.8 NC @ 10 V	±20V	490 pf @ 20 V	-	1W（1W），19w（tc）
NTD3055L104G	-	RFQ	5307	Onmi	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTD30	MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道	60 V	12a（12a）	5V	104mohm @ 6a，5v	2V @ 250µA	20 nc @ 5 V	±15V	440 pf @ 25 V	-	1.5W（ta），48W（tj）
NVMFS6B05NT1G	-	RFQ	5900	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS6	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道	100 v	114a（TC）	10V	8mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±16V	3100 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），165W（tc）
MM3Z9V1T1	-	RFQ	8684	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±6％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-76，SOD-323	MM3Z9		200兆	SOD-323	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																900 mv @ 10 ma		200 na @ 7 V							9.1 v	15欧姆
SVC325-TL-E	0.1400	RFQ	30	Onmi	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.59.0080	3,000
PCG20N60A4W	-	RFQ	6515	Onmi	-	大部分	过时的									-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-PCG20N60A4W	Ear99	8541.29.0095	1
MM3Z43VT1G	0.1500	RFQ	10	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±7％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-76，SOD-323	MM3Z43		300兆	SOD-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																900 mv @ 10 ma		50 NA @ 30.1 V							43 V	150欧姆
FDD8453LZ-F085	1.5400	RFQ	1	Onmi	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD8453	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	50A（TC）	4.5V，10V	6.7MOHM @ 15A，10V	3V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±20V	3515 PF @ 20 V	-	118W（TC）
FQB20N06LTM	-	RFQ	8991	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FQB2	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	60 V	21a（TC）	5V，10V	55mohm @ 10.5a，10v	2.5V @ 250µA	13 NC @ 5 V	±20V	630 pf @ 25 V	-	3.75W（TA），53W（tc）
NVMFS5C680NLWFT1G	0.6427	RFQ	4412	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道	60 V	8.1a（ta），21a （TC）	4.5V，10V	27.5MOHM @ 7.5A，10V	2.2V @ 13µA	5.8 NC @ 10 V	±20V	330 pf @ 25 V	-	3.4W（24W），24W tc）
BC327-016G	-	RFQ	6514	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	BC327		625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	5,000																						45 v	800 MA	100NA			PNP	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	260MHz
FQPF50N06	-	RFQ	1800	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF5	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	31a（TC）	10V	22mohm @ 15.5a，10v	4V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±25V	1540 pf @ 25 V	-	47W（TC）
ksh41ctf	-	RFQ	3629	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	KSH41		1.75 w	D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000																						100 v	6 a	50µA			NPN	1.5V @ 600mA，6a	15 @ 3a，4V	3MHz
EGP30J	0.6300	RFQ	73	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	DO-201 AD，轴向	EGP30	标准		Do-201 AD	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,250	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													600 v		1.7 V @ 3 A	75 ns	5 µA @ 600 V	-65°C〜150°C	3a	75pf @ 4V，1MHz
MMBD2838LT1G	0.1700	RFQ	22	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBD2838	标准		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <<200ma（io），任何速度												1对普通阴极	50 V	100mA	1.2 V @ 100 ma	4 ns	100 na @ 50 V	-55°C〜150°C
BZX84C15LT3G	0.1500	RFQ	4605	Onmi	BZX84CXXXLT1G	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±6％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZX84C15		225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000																900 mv @ 10 ma		50 NA @ 10.5 V							15 v	30欧姆
NTMFS4841NHT1G	0.8300	RFQ	1	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4841	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道	30 V	8.6a（ta），59a（tc）	4.5V，10V	7mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	33 NC @ 11.5 V	±20V	2113 PF @ 12 V	-	870MW（TA），41.7W（tc）
FQA85N06	-	RFQ	6163	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FQA8	MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	450		n通道	60 V	100A（TC）	10V	10mohm @ 50a，10v	4V @ 250µA	112 NC @ 10 V	±25V	4120 PF @ 25 V	-	214W（TC）
szmmsz33et1g	0.3500	RFQ	10	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123	SZMMSZ33		500兆	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																900 mv @ 10 ma		50 NA @ 23.1 V							33 V	80欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²