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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
IRF630B_FP001	-	RFQ	1027	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF63		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道		200 v	9A（TC）	10V	400MOHM @ 4.5A，10V	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±30V	720 PF @ 25 V	-	72W（TC）
FDWS86380-F085	1.1100	RFQ	6691	Onmi	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDWS86380		MOSFET （金属 o化物）		Power56	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道		80 V	50A（TC）	10V	13.4mohm @ 50a，10v	4V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	1440 pf @ 40 V	-	75W（TJ）
3EZ8.2D5RLG	-	RFQ	5989	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	3EZ8.2			3 W	轴向	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	6,000																		1.5 V @ 200 ma		5 µA @ 6 V													8.2 v	2.3欧姆
KSD1020YTA	-	RFQ	5468	Onmi	-	（TB）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	KSD1020			350兆	TO-92S	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																									25 v	700 MA						100NA（ICBO）			NPN	400mv @ 70mA，700mA	120 @ 100mA，1V	170MHz
HUFA75329S3S	-	RFQ	3118	Onmi	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	HUFA75		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道		55 v	49A（TC）	10V	24mohm @ 49a，10v	4V @ 250µA	75 NC @ 20 V	±20V	1060 pf @ 25 V	-	128W（TC）
SZNZ8F2V7SMX2WT5G	0.0490	RFQ	8915	Onmi	汽车，AEC-Q101，NZ8F	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5.93％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	2-XDFN				250兆	2-x2dfnw（（1x0.6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-SZNZ8F2V7SMX2WT5GTR	Ear99	8541.10.0050	8,000																		900 mv @ 10 ma		20 µA @ 1 V													2.7 v	100欧姆
MM5Z13V	-	RFQ	8559	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±6％	-55°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523F	MM5Z1			200兆	SOD-523F	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	8,000																				100 na @ 8 V													13 V	30欧姆
NDF02N60ZG	-	RFQ	6827	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	NDF02		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道		600 v	2.4A（TC）	10V	4.8OHM @ 1A，10V	4.5V @ 50µA	10.1 NC @ 10 V	±30V	274 PF @ 25 V	-	24W（TC）
FDU6N50TU	-	RFQ	4389	Onmi	Unifet™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	FDU6		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	70			n通道		500 v	6A（TC）	10V	900MOHM @ 3A，10V	5V @ 250µA	16.6 NC @ 10 V	±30V	940 pf @ 25 V	-	89W（TC）
NTD23N03RT4G	-	RFQ	5803	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTD23		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		25 v	3.8A（TA），17.1A（TC）	4V，5V	45mohm @ 6a，10v	2V @ 250µA	3.76 NC @ 4.5 V	±20V	225 pf @ 20 V	-	1.14W（TA），22.3W（tc）
FGH20N60SFDTU-F085	-	RFQ	1255	Onmi	汽车，AEC-Q101	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	FGH20	标准		165 w	TO-247-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	450				400V，20a，10ohm，15V															40 ns					现场停止	600 v	40 a	60 a	2.8V @ 15V，20A	430µJ（在）（130µJ）上	66 NC	13NS/90NS
1N5239B_S00Z	-	RFQ	9970	Onmi	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5239			500兆	do-35	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000																		1.2 V @ 200 ma		3 µA @ 7 V													9.1 v	10欧姆
2SA2039-TL-E	1.0500	RFQ	70	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	2SA2039			800兆	TP-FA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	700																									50 V	5 a						1µA（ICBO）			PNP	430mv @ 100mA，2a	200 @ 500mA，2V	360MHz
FGA3060ADF	2.8800	RFQ	179	Onmi	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FGA3060	标准		176 w	to-3pn	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	450				400V，30a，6ohm，15V															26 NS					沟渠场停止	600 v	60 a	90 a	2.3V @ 15V，30a	（960µJ）（在165µj of）上（OFF）	37.4 NC	12NS/42.4NS
FQI6N60CTU	-	RFQ	7708	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	FQI6		MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道		600 v	5.5A（TC）	10V	2ohm @ 2.75a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±30V	810 pf @ 25 V	-	125W（TC）
BYW80-200G	1.2500	RFQ	1196	Onmi	SwitchMode™	管子	积极的			通过洞	TO-220-2	BYW80		标准		TO-220-2	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														200 v		1.25 V @ 22 A	35 ns	10 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	8a	-
MM5Z4678T5G	0.0534	RFQ	3521	Onmi	MM5Z4XXXTXG	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-79，SOD-523	MM5Z4678			500兆	SOD-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-MM5Z4678T5GTR	Ear99	8541.10.0050	8,000																		900 mv @ 10 ma		7.5 µA @ 1 V													1.8 v
CPH5703-TL-E	0.3300	RFQ	9	Onmi	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000
MBRD630CTT4	-	RFQ	6227	Onmi	SwitchMode™	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MBRD630		肖特基		DPAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1对普通阴极	30 V	3a	700 mv @ 3 a		100 µA @ 30 V	-65°C〜175°C
NTMFS4C025NT1G	1.1400	RFQ	639	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道		30 V	20A（20A），69A （TC）	4.5V，10V	3.41mohm @ 30a，10v	2.1V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±20V	1683 PF @ 15 V	-	2.55W（TA），30.5W（tc）
FQP16N25C	-	RFQ	4588	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FQP1		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道		250 v	15.6A（TC）	10V	270MOHM @ 7.8A，10V	4V @ 250µA	53.5 NC @ 10 V	±30V	1080 pf @ 25 V	-	139W（TC）
3LN01C-TB-E	-	RFQ	2969	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	3LN01		MOSFET （金属 o化物）		SC-59-3/CP3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道		30 V	150mA（ta）	1.5V，4V	3.7OHM @ 80mA，4V	-	1.58 NC @ 10 V	±10V	7 pf @ 10 V	-	250MW（TA）
NTTFS4930NTAG	0.5700	RFQ	27	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NTTFS4930		MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道		30 V	4.5A（TA），23a（tc）	4.5V，10V	23mohm @ 6a，10v	2.2V @ 250µA	5.5 NC @ 4.5 V	±20V	476 pf @ 15 V	-	（790MW）（TA），20.2W（tc）
FW216A-TL-2WX	-	RFQ	3177	Onmi	-	大部分	过时的		-	-	-	FW216		-	-	-	-		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	-				-	-		-	-	-		-	-
ISL9V3040D3STV	1.9600	RFQ	2	Onmi	汽车，AEC-Q101，Ecospark®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ISL9V3040	逻辑		150 w	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500				300V，6.5a，470ohm，5V															2.1 µs					-	400 v	21 a		1.65V @ 4V，6A	-	17 NC	700NS/4.8µs
FDS8449-F085P	-	RFQ	1847年	Onmi	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS84		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		40 V	7.6a（ta）	4.5V，10V	29MOHM @ 7.6A，10V	3V @ 250µA	11 NC @ 5 V	±20V	760 pf @ 20 V	-	5W（ta）
MUR3060PT	-	RFQ	5837	Onmi	SwitchMode™	管子	过时的			通过洞	TO-218-3	MUR30		标准		SOT-93	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1对普通阴极	600 v	15a	1.5 V @ 15 A	60 ns	10 µA @ 600 V	-65°C〜175°C
BZX84C6V8LT1	-	RFQ	2393	Onmi	BZX84CXXXLT1G	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±6％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZX84C6			225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																		900 mv @ 10 ma		2 µA @ 4 V													6.8 v	15欧姆
SMBZ2606-18LT1	0.0200	RFQ	48	Onmi	*	大部分	积极的										-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000
SBRS8320T3G	-	RFQ	4700	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	DO-214AB，SMC	SBRS8320		肖特基		SMC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														20 v		500 mv @ 3 a		2 ma @ 20 V	-65°C〜150°C	3a	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²