RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

6390）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试
STP6N95K5	2.5100	RFQ	440	Stmicroelectronics	SuperMesh5™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP6N95			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-12865-5	Ear99	8541.29.0095	50		n通道						950 v	9A（TC）	10V	1.25OHM @ 3A，10V	5V @ 100µA	13 NC @ 10 V	±30V	450 pf @ 100 V	-	90W（TC）
STD50N03L-1	-	RFQ	1596年	Stmicroelectronics	StripFet™III	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	STD50N			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道						30 V	40a（TC）	5V，10V	10.5MOHM @ 20A，10V	1V @ 250µA	14 NC @ 5 V	±20V	1434 PF @ 25 V	-	60W（TC）
STW14NM65N	-	RFQ	5515	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	stw14n			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道						650 v	12A（TC）	10V	380MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±25V	1300 pf @ 50 V	-	125W（TC）
STGB30V60DF	3.1700	RFQ	2532	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	STGB30	标准			258 w	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000				400V，30a，10ohm，15V																			53 ns					沟渠场停止	600 v	60 a	120 a	2.3V @ 15V，30a	（383µJ）（在），233µj（（（（（（）	163 NC	45NS/189NS
STFI34NM60N	-	RFQ	5720	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3完整包，i²pak	STFI34N			MOSFET （金属 o化物）		I2PAKFP（to-281）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						600 v	29A（TC）	10V	105MOHM @ 14.5A，10V	4V @ 250µA	84 NC @ 10 V	±25V	2722 PF @ 100 V	-	40W（TC）
STPS60L40CW	-	RFQ	4652	Stmicroelectronics	-	管子	过时的			通过洞	TO-247-3	STPS60			肖特基		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																		1对普通阴极	40 V	30a	550 mv @ 30 a		1.5 ma @ 40 V	150°C （最大）
STGD8NC60KT4	-	RFQ	2938	Stmicroelectronics	PowerMesh™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STGD8	标准			62 W	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500				390V，3A，10欧姆，15V																								-	600 v	15 a	30 a	2.75V @ 15V，3A	（55µJ）（在），85µJ（85µJ）中	19 nc	17ns/72ns
stth1210d	3.0400	RFQ	953	Stmicroelectronics	-	管子	积极的			通过洞	TO-220-2	stth1210			标准		TO-220AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-5148-5	Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																			1000 v		2 V @ 12 A	90 ns	10 µA @ 1000 V	175°c （最大）	12a	-
STD10NF10T4	1.3600	RFQ	13	Stmicroelectronics	StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD10			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						100 v	13A（TC）	10V	130MOHM @ 5A，10V	4V @ 250µA	21 NC @ 10 V	±20V	460 pf @ 25 V	-	50W（TC）
STWA50N65DM2AG	5.8831	RFQ	8910	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，MDMESH™DM2	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STWA50			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	600		n通道						650 v	38A（TC）	10V	87mohm @ 19a，10v	5V @ 250µA	69 NC @ 10 V	±25V	3200 PF @ 100 V	-	300W（TC）
STP150NF55	3.7700	RFQ	7434	Stmicroelectronics	StripFet™II	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP150			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-6117-5	Ear99	8541.29.0095	50		n通道						55 v	120A（TC）	10V	6mohm @ 60a，10v	4V @ 250µA	190 NC @ 10 V	±20V	4400 PF @ 25 V	-	300W（TC）
STP23NM60ND	-	RFQ	3069	Stmicroelectronics	FDMESH™II	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP23N			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						600 v	19.5A（TC）	10V	180mohm @ 10a，10v	5V @ 250µA	69 NC @ 10 V	±25V	2100 PF @ 50 V	-	150W（TC）
STD9NM50N	1.5200	RFQ	250	Stmicroelectronics	MDMESH™II	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD9			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						500 v	5A（TC）	10V	790MOHM @ 2.5A，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±25V	570 pf @ 50 V	-	45W（TC）
SD2931-15W	70.7850	RFQ	6725	Stmicroelectronics	*	大部分	积极的					SD2931						-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25
STD70NS04ZL	0.7894	RFQ	5255	Stmicroelectronics	SAFEFET™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD70			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						33 V	70A（TC）	5V，10V	10.5MOHM @ 30a，10v	3V @ 1mA	32 NC @ 5 V	±20V	1800 pf @ 25 V	-	110W（TC）
STP45N60DM6	7.9600	RFQ	17	Stmicroelectronics	MDMESH™DM6	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP45			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						600 v	30A（TC）	10V	99mohm @ 15a，10v	4.75V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±25V	1920 PF @ 100 V	-	210W（TC）
LET16045C	-	RFQ	6304	Stmicroelectronics	-	盒子	过时的	80 V			M243	LET16045		1.6GHz	ldmos		M243	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	25			9a		400 MA	45W	16dB											-																		28 V
STP210N75F6	4.4100	RFQ	46	Stmicroelectronics	Deepgate™，diplfet™vi	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP210			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						75 v	120A（TC）	10V	3.7MOHM @ 60a，10v	4V @ 250µA	171 NC @ 10 V	±20V	11800 PF @ 25 V	-	300W（TC）
STH80N10F7-2	-	RFQ	8007	Stmicroelectronics	DeepGate™，diplfet™VII	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	STH80N			MOSFET （金属 o化物）		H2PAK-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						100 v	80A（TC）	10V	9.5Mohm @ 40a，10v	4.5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	3100 pf @ 50 V	-	110W（TC）
STP12N65M2	1.0004	RFQ	9278	Stmicroelectronics	MDMESH™DM2	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP12			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						650 v	8A（TC）	0V，10V	500MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	16.7 NC @ 10 V	±25V	535 pf @ 100 V	-	85W（TC）
Stu5N60M2	1.4100	RFQ	831	Stmicroelectronics	MDMESH™II Plus	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	Stu5n60			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道						600 v	3.7A（TC）	10V	1.4OHM @ 1.85a，10V	4V @ 250µA	4.5 NC @ 10 V	±25V	165 pf @ 100 V	-	45W（TC）
STP80NF70	2.3400	RFQ	991	Stmicroelectronics	StripFet™II	管子	不适合新设计		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP80			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						68 v	98A（TC）	10V	9.8mohm @ 40a，10v	4V @ 250µA	75 NC @ 10 V	±20V	2550 pf @ 25 V	-	190w（TC）
STH272N6F7-6AG	-	RFQ	6103	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，StripFet™F7	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	STH272			MOSFET （金属 o化物）		H2PAK-6	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						60 V	180a（TC）	10V	1.5MOHM @ 90A，10V	4V @ 250µA	170 NC @ 10 V	±20V	11000 PF @ 25 V	-	333W（TC）
STP80NF03L-04	3.7400	RFQ	140	Stmicroelectronics	StripFet™II	管子	过时的		175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP80			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						30 V	80A（TC）	4.5V，10V	4.5mohm @ 40a，10v	2.5V @ 250µA	110 NC @ 4.5 V	±20V	5500 PF @ 25 V	-	300W（TC）
STP100N8F6	1.6100	RFQ	41	Stmicroelectronics	StripFet™F6	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP100			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-15553-5	Ear99	8541.29.0095	50		n通道						80 V	100A（TC）	10V	9mohm @ 50a，10v	4V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V	5955 pf @ 25 V	-	176W（TC）
Stu6n65m2	1.3000	RFQ	565	Stmicroelectronics	MDMESH™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	Stu6n65			MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道						650 v	4A（TC）	10V	1.35ohm @ 2a，10v	4V @ 250µA	9.8 NC @ 10 V	±25V	226 pf @ 100 V	-	60W（TC）
LET9045F	-	RFQ	6637	Stmicroelectronics	-	托盘	过时的	80 V			M250	LET9045		960MHz	ldmos		M250	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			9a		300 MA	59W	17.7dB											-																		28 V
stp3nk80z	1.8700	RFQ	995	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP3NK80			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-4379-5	Ear99	8541.29.0095	50		n通道						800 v	2.5A（TC）	10V	4.5OHM @ 1.25A，10V	4.5V @ 50µA	19 nc @ 10 V	±30V	485 pf @ 25 V	-	70W（TC）
STF3HNK90Z	-	RFQ	4884	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF3HN			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-4341-5	Ear99	8541.29.0095	50		n通道						800 v	3A（TC）	10V	4.2OHM @ 1.5A，10V	4.5V @ 50µA	35 NC @ 10 V	±30V	690 pf @ 25 V	-	25W（TC）
STB40N60M2	6.5000	RFQ	6217	Stmicroelectronics	MDMESH™II Plus	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	STB40			MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						600 v	34A（TC）	10V	88mohm @ 17a，10v	4V @ 250µA	57 NC @ 10 V	±25V	2500 PF @ 100 V	-	250W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6390）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²