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6390）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	申请	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
STPSC20H065CWY	9.3400	RFQ	600	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，Ecopack®2	管子	积极的				通过洞	TO-247-3	STPSC20		SIC （碳化硅）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														1对普通阴极	650 v	10a	1.75 V @ 10 A		100 µA @ 650 V	-40°C〜175°C
STH265N6F6-2AG	-	RFQ	5012	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，StripFet™F6	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STH265		MOSFET （金属 o化物）		H2PAK-2	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道			60 V	180a（TC）	10V	2.1MOHM @ 60a，10v	4V @ 250µA	183 NC @ 10 V	±20V	11800 PF @ 25 V	-	300W（TC）
stt4p3llh6	0.6100	RFQ	1	Stmicroelectronics	DeepGate™，脱衣Fet™H6	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）		表面安装	SOT-23-6	stt4p3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道			30 V	4A（ta）	4.5V，10V	56mohm @ 2a，10v	2.5V @ 250µA	6 NC @ 4.5 V	±20V	639 pf @ 25 V	-	1.6W（TA）
STGB10M65DF2	2.2700	RFQ	1	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STGB10	标准		115 w	d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000					400V，10a，22ohm，15V															96 ns				沟渠场停止	650 v	20 a	40 a	2V @ 15V，10a	（120µJ）（在）中，270µJ（OFF）	28 NC	19NS/91NS
STGF30V60DF	-	RFQ	2704	Stmicroelectronics	-	管子	积极的						STGF30					-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50
STPS20SM80CT	-	RFQ	8132	Stmicroelectronics	-	管子	过时的				通过洞	TO-220-3	STPS20		肖特基		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														1对普通阴极	80 V	10a	780 mv @ 10 a		25 µA @ 80 V	175°c （最大）
STD96N3LLH6	1.3200	RFQ	2983	Stmicroelectronics	Deepgate™，diplfet™vi	胶带和卷轴（（tr）	积极的		175°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD96		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道			30 V	80A（TC）	5.5V，10V	4.2MOHM @ 40a，10v	2.5V @ 250µA	20 NC @ 4.5 V	±20V	2200 PF @ 25 V	-	70W（TC）
STB7NK80Z-1	1.7752	RFQ	7097	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	STB7NK80		MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道			800 v	5.2A（TC）	10V	1.8OHM @ 2.6a，10V	4.5V @ 100µA	56 NC @ 10 V	±30V	1138 PF @ 25 V	-	125W（TC）
STD6NM60N	-	RFQ	3679	Stmicroelectronics	MDMESH™II	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD6N		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道			600 v	4.6A（TC）	10V	920MOHM @ 2.3a，10V	4V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±25V	420 PF @ 50 V	-	45W（TC）
STC20DE90HP	-	RFQ	2444	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	900V		通用目的	通过洞	TO-247-4	STC20D				TO-247-4L HP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-8772-5	Ear99	8541.29.0095	30				20a																															npn-发射器切换双极
STGB30NC60WT4	3.5300	RFQ	660	Stmicroelectronics	PowerMesh™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STGB30	标准		200 w	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000					390V，20a，10ohm，15V																			-	600 v	60 a	150 a	2.5V @ 15V，20A	305µJ（在）上，181µJ（OFF）	102 NC	29.5NS/118NS
E-L6210	-	RFQ	1818年	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		70°C（ta）		通过洞	16 浸（0.300英寸，7.62mm）	L6210		肖特基		16二滴	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-8816-5	Ear99	8541.10.0080	25																			1.2 V @ 1 A		1 mA @ 40 V		2 a									单相	50 V
STB15N65M5	-	RFQ	3740	Stmicroelectronics	MDMESH™v	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB15N		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道			650 v	11A（TC）	10V	340MOHM @ 5.5A，10V	5V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±25V	810 PF @ 100 V	-	85W（TC）
STB36NM60N	6.8900	RFQ	7203	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，MDMESH™II	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB36		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道			600 v	29A（TC）	10V	105MOHM @ 14.5A，10V	4V @ 250µA	83.6 NC @ 10 V	±25V	2722 PF @ 100 V	-	210W（TC）
STL140N6F7	2.7900	RFQ	7730	Stmicroelectronics	DeepGate™，diplfet™VII	胶带和卷轴（（tr）	积极的		175°C（TJ）		表面安装	8-Powervdfn	STL140		MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道			60 V	145a（TC）	10V	2.5MOHM @ 16A，10V	4V @ 1mA	40 NC @ 10 V	±20V	2700 PF @ 25 V	-	4.8W（ta），125W（tc）
STP25N60M2-EP	2.8900	RFQ	23	Stmicroelectronics	MDMESH™M2-EP	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3	STP25		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-15892-5	Ear99	8541.29.0095	50			n通道			600 v	18A（TC）	10V	188MOHM @ 9A，10V	4.75V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±25V	1090 pf @ 100 V	-	150W（TC）
STD46N6F7	-	RFQ	1954年	Stmicroelectronics	StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD46		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道			60 V	15A（TC）	10V	14mohm @ 7.5a，10v	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	1065 pf @ 30 V	-	60W（TC）
STL8DN6LF6AG	1.6400	RFQ	18	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	8-Powervdfn	STL8		-		PowerFlat™（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）						32A（TC）		27mohm @ 9.6a，10v	2.5V @ 250µA				-
STD20NF20	2.3200	RFQ	4626	Stmicroelectronics	StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD20		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道			200 v	18A（TC）	10V	125mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±20V	940 pf @ 25 V	-	110W（TC）
BD139	0.6600	RFQ	9233	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		150°C（TJ）		通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD139			1.25 w	SOT-32-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																									80 V	1.5 a								100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，2V	-
STB40NF10T4	-	RFQ	1702	Stmicroelectronics	StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-50°C〜175°C（TJ）		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB40N		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道			100 v	50A（TC）	10V	28mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±20V	1780 pf @ 25 V	-	150W（TC）
STB55NF06LT4	2.1200	RFQ	2141	Stmicroelectronics	StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB55		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道			60 V	55A（TC）	10V，5V	18mohm @ 27.5a，10v	4.7V @ 250µA	37 NC @ 4.5 V	±16V	1700 PF @ 25 V	-	95W（TC）
STGB3NB60SDT4	-	RFQ	7697	Stmicroelectronics	PowerMesh™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		175°C（TJ）		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STGB3	标准		70 W	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000					480V，3A，1KOHM，15V															1.7 µs				-	600 v	6 a	25 a	1.5V @ 15V，3A	1.15MJ）	18 NC	125NS/3.4µs
STGD3NB60HDT4	-	RFQ	6388	Stmicroelectronics	PowerMesh™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STGD3	标准		50 W	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500					480V，3A，10欧姆，15V															95 ns				-	600 v	10 a	24 a	2.8V @ 15V，3A	33µJ（离）	21 NC	5NS/53NS
STGP12NB60KD	-	RFQ	7592	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	过时的		150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3	STGP12	标准		125 w	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000					480V，12a，10ohm，15V															80 ns				-	600 v	30 a	60 a	2.8V @ 15V，12a	258µJ（离）	54 NC	25NS/96NS
STB100NH02LT4	-	RFQ	2487	Stmicroelectronics	StripFet™III	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB100N		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道			24 V	60a（TC）	5V，10V	6mohm @ 30a，10v	1.8V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±20V	2850 pf @ 15 V	-	100W（TC）
STW14NM50FD	-	RFQ	5096	Stmicroelectronics	FDMESH™	管子	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-247-3	stw14n		MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	600			n通道			500 v	14A（TC）	10V	400mohm @ 6a，10v	5V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±30V	1000 pf @ 25 V	-	160W（TC）
STN2NF10	1.2200	RFQ	5	Stmicroelectronics	StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-261-4，TO-261AA	STN2NF10		MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道			100 v	2.4A（TC）	10V	260MOHM @ 1.2A，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	280 pf @ 25 V	-	3.3W（TC）
STP11NK40Z	2.0100	RFQ	975	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3	STP11		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			400 v	9A（TC）	10V	550MOHM @ 4.5A，10V	4.5V @ 100µA	32 NC @ 10 V	±30V	930 PF @ 25 V	-	110W（TC）
STP22NF03L	-	RFQ	8530	Stmicroelectronics	StripFet™II	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		通过洞	TO-220-3	STP22N		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			30 V	22a（TC）	5V，10V	50mohm @ 11a，10v	1V @ 250µA	9 NC @ 5 V	±15V	330 pf @ 25 V	-	45W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6390）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²