SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 频率 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet (amp) (ih)(IH)) 当前 -测试 功率 -输出 获得 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() triac类型 电压 -偏离状态 ((rms)(rms)(最大) (VGT)(VGT)(最大) 当前-nonrep。Suger50,60Hz(iTSM) (IGT)(IGT)(最大) 噪音图 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电压 -测试 当前 -收集器截止(最大) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡
STP30N65M5 STMicroelectronics STP30N65M5 6.6600
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™v 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 STP30 MOSFET (金属 o化物) TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 22a(TC) 10V 139mohm @ 11a,10v 5V @ 250µA 64 NC @ 10 V ±25V 2880 pf @ 100 V - 140W(TC)
STPS30120DJF-TR STMicroelectronics STPS30120DJF-Tr 1.3900
RFQ
ECAD 3224 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 8-Powervdfn STPS30120 肖特基 PowerFlat™(5x6) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 120 v 920 MV @ 30 A 35 µA @ 120 V 150°C (最大) 30a -
STD75N3LLH6 STMicroelectronics STD75N3LLH6 -
RFQ
ECAD 9004 0.00000000 Stmicroelectronics Deepgate™,diplfet™vi 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 STD75N MOSFET (金属 o化物) DPAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 75A(TC) 4.5V,10V 5.5MOHM @ 37.5A,10V 2.5V @ 250µA 17 NC @ 4.5 V ±20V 1690 pf @ 25 V - 60W(TC)
ULQ2003D1013TRY STMicroelectronics ULQ2003D1013 1.0200
RFQ
ECAD 45 0.00000000 Stmicroelectronics 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 16-Soic(0.154英寸,宽度为3.90mm) ULQ2003 - 16件事 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 50V 500mA - 7 NPN达灵顿 1.6V @ 500µA,350mA 1000 @ 350mA,2V -
ACST4-8CFP STMicroelectronics ACST4-8CFP -
RFQ
ECAD 2390 0.00000000 Stmicroelectronics ASD™ 管子 过时的 - 通过洞 TO-220-3完整包 ACST4 TO-220FP - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 50 单身的 35 MA 标准 800 v 4 a 1.1 v 30a,33a 25 ma
ST13003-K STMicroelectronics ST13003-K 0.8600
RFQ
ECAD 882 0.00000000 Stmicroelectronics - 大部分 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 TO-225AA,TO-126-3 ST13003 40 W SOT-32-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 400 v 1.5 a 1ma NPN 1.5V @ 500mA,1.5a 5 @ 1A,2V -
STB18NF25 STMicroelectronics STB18NF25 1.8300
RFQ
ECAD 9031 0.00000000 Stmicroelectronics 汽车,AEC-Q101,StripFet™II 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB STB18 MOSFET (金属 o化物) d²pak(to-263) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 250 v 17a(TC) 10V 165mohm @ 8.5a,10v 4V @ 250µA 29.5 NC @ 10 V ±20V 1000 pf @ 25 V - 110W(TC)
STB18NM60N STMicroelectronics STB18NM60N -
RFQ
ECAD 3908 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™II 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB STB18N MOSFET (金属 o化物) d²pak(to-263) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 600 v 13A(TC) 10V 285mohm @ 6.5a,10v 4V @ 250µA 35 NC @ 10 V ±25V 1000 pf @ 50 V - 110W(TC)
STF18NM60N STMicroelectronics STF18NM60N 2.9100
RFQ
ECAD 977 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™II 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 STF18 MOSFET (金属 o化物) TO-220FP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 13A(TC) 10V 285mohm @ 6.5a,10v 4V @ 250µA 35 NC @ 10 V ±25V 1000 pf @ 50 V - 30W(TC)
STK30N2LLH5 STMicroelectronics STK30N2LLH5 -
RFQ
ECAD 2526 0.00000000 Stmicroelectronics StripFet™v 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 Polarpak® STK30 MOSFET (金属 o化物) Polarpak® 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 25 v 30A(TC) 4.5V,10V 2.9MOHM @ 15A,10V 2.5V @ 250µA 18 nc @ 4.5 V ±20V 2290 pf @ 25 V - 5.2W(TC)
STPSC1206D STMicroelectronics STPSC1206D -
RFQ
ECAD 4349 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 STPSC1206 SIC (碳化硅) TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 497-10308-5 Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA(IO) 600 v 1.7 V @ 12 A 0 ns 150 µA @ 600 V -40°C〜175°C 12a 750pf @ 0v,1MHz
STPS1L60MF STMicroelectronics STPS1L60MF 0.6900
RFQ
ECAD 34 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-222aa STPS1 肖特基 DO222-AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 12,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 60 V 570 mv @ 1 a 50 µA @ 60 V 150°C (最大) 1a -
STPS3045DJF-TR STMicroelectronics stps3045djf-tr 1.2200
RFQ
ECAD 9104 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 8-Powervdfn STPS3045 肖特基 PowerFlat™(5x6) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 45 v 640 mv @ 30 a 300 µA @ 45 V 150°C (最大) 30a -
STPS30M100DJF-TR STMicroelectronics STPS30M100DJF-TR 1.5600
RFQ
ECAD 16 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 8-Powervdfn STPS30 肖特基 PowerFlat™(5x6) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 960 mv @ 30 a 100 µA @ 100 V 150°C (最大) 30a -
SD2933-03 STMicroelectronics SD2933-03 -
RFQ
ECAD 6460 0.00000000 Stmicroelectronics - 托盘 过时的 125 v M177 SD2933 30MHz MOSFET M177 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 40a 250 MA 300W 23.5db - 50 V
STD25NF10LA STMicroelectronics STD25NF10LA 2.0800
RFQ
ECAD 1870年 0.00000000 Stmicroelectronics StripFet™II 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 STD25 MOSFET (金属 o化物) DPAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 100 v 25A(TC) 4.5V,10V 35mohm @ 12.5a,10v 2.5V @ 250µA 52 NC @ 5 V ±16V 1710 PF @ 25 V - 100W(TC)
STF5N52U STMicroelectronics STF5N52U -
RFQ
ECAD 2060 0.00000000 Stmicroelectronics UltrafastMesh™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 STF5N MOSFET (金属 o化物) TO-220FP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 525 v 4.4A(TC) 10V 1.5OHM @ 2.2a,10v 4.5V @ 50µA 16.9 NC @ 10 V ±30V 529 pf @ 25 V - 25W(TC)
STPS1045FP STMicroelectronics STPS1045FP -
RFQ
ECAD 8695 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 通过洞 TO-220-2完整包 STPS1045 肖特基 TO-220FPAC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 45 v 600 mv @ 10 a 100 µA @ 45 V 175°c (最大) 10a -
STPS20L120CT STMicroelectronics STPS20L120CT -
RFQ
ECAD 4054 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 STPS20 肖特基 TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 120 v 10a 860 mv @ 10 a 120 µA @ 120 V 150°C (最大)
STPS61L60CW STMicroelectronics STPS61L60CW 3.8300
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 STPS61 肖特基 TO-247-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 30a 660 mv @ 30 a 800 µA @ 60 V 150°C (最大)
STU95N3LLH6 STMicroelectronics Stu95n3llh6 -
RFQ
ECAD 2982 0.00000000 Stmicroelectronics Deepgate™,diplfet™vi 管子 过时的 175°C(TJ) 通过洞 TO-251-3,IPAK,TO-251AA Stu95 MOSFET (金属 o化物) TO-251(IPAK) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 75 n通道 30 V 80A(TC) 4.5V,10V 4.7MOHM @ 40a,10V 2.5V @ 250µA 20 NC @ 4.5 V ±25V 2200 PF @ 25 V - 70W(TC)
STW35N65M5 STMicroelectronics STW35N65M5 -
RFQ
ECAD 4495 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™v 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 STW35N MOSFET (金属 o化物) TO-247-3 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 650 v 27a(TC) 10V 98mohm @ 13.5A,10V 5V @ 250µA 83 NC @ 10 V ±25V 3750 PF @ 100 V - 160W(TC)
STW77N65M5 STMicroelectronics STW77N65M5 17.7300
RFQ
ECAD 565 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™v 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 STW77 MOSFET (金属 o化物) TO-247-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 650 v 69A(TC) 10V 38mohm @ 34.5a,10v 5V @ 250µA 200 NC @ 10 V 25V 9800 PF @ 100 V - 400W(TC)
MD2009DFX STMicroelectronics MD2009DFX -
RFQ
ECAD 3900 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-3P-3 MD2009 58 w to-3pf 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 700 v 10 a 200µA NPN 2.8V @ 1.4a,5.5a 5 @ 5.5A,5V -
MD2310FX STMicroelectronics MD2310FX -
RFQ
ECAD 6897 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-3P-3 MD2310 62 W to-3pf - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 700 v 14 a 200µA NPN 2.5V @ 1.75a,7a 6 @ 7a,5v -
ST13003D-K STMicroelectronics ST13003D-K 0.7100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics - 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-225AA,TO-126-3 ST13003 40 W SOT-32-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 400 v 1.5 a 1ma NPN 3V @ 500mA,1.5a 5 @ 1A,2V -
STD1802T4-A STMicroelectronics STD1802T4-A 1.4100
RFQ
ECAD 430 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 上次购买 150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 STD1802 15 W DPAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 2,500 60 V 3 a 100NA(ICBO) NPN 400mv @ 150mA,3a 200 @ 100mA,2V 150MHz
STF40NF03L STMicroelectronics STF40NF03L -
RFQ
ECAD 3822 0.00000000 Stmicroelectronics StripFet™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 STF40N MOSFET (金属 o化物) TO-220FP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 30 V 23A(TC) 4.5V,10V 22mohm @ 20a,10v 2.5V @ 250µA 15 NC @ 4.5 V ±16V 770 pf @ 25 V - 25W(TC)
STL106D STMicroelectronics STL106D -
RFQ
ECAD 5891 0.00000000 Stmicroelectronics - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) STL106 1.5 w TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 230 v 1.5 a 250µA NPN 1.2V @ 400mA,2a 10 @ 1A,5V -
STL73D STMicroelectronics STL73D 0.3300
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Stmicroelectronics - 过时的 - 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) STL73 1.5 w TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 400 v 1.5 a - NPN 1V @ 250mA,1a 10 @ 600mA,3v -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库