SIC
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6390）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 频率 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet （amp） （ih）（IH）） 测试条件 当前 -测试 功率 -输出 获得 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） triac类型 电压 -偏离状态 （（rms）（rms）（最大） （VGT）（VGT）（最大） 当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM） （IGT）（IGT）（最大） （vtm）（VTM）（最大） （（av）（av）） 当前 -关闭状态（最大） scr 噪音图 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 电压 -测试 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡
TN1215-800B STMicroelectronics TN1215-800B -
RFQ
 ECAD 5247 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 -40°C〜125°C 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 TN1215 DPAK 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 3,000 40 MA 800 v 12 a 1.3 v 110a，115a 15 ma 1.6 v 8 a 5 µA 标准恢复
STW3N170 STMicroelectronics STW3N170 5.6200
RFQ
 ECAD 8648 0.00000000 Stmicroelectronics PowerMesh™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 STW3N170 MOSFET （金属 o化物） TO-247-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 497-16332-5 Ear99 8541.21.0095 30 n通道 1700 v 2.6A（TC） 10V 13ohm @ 1.3a，10v 5V @ 250µA 44 NC @ 10 V ±30V 1100 PF @ 100 V - 160MW
STPS3045DJF-TR STMicroelectronics stps3045djf-tr 1.2200
RFQ
 ECAD 9104 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 8-Powervdfn STPS3045 肖特基 PowerFlat™（5x6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 45 v 640 mv @ 30 a 300 µA @ 45 V 150°C （最大） 30a -
STL110N10F7 STMicroelectronics STL110N10F7 2.5800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectronics DeepGate™，diplfet™VII 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn STL110 MOSFET （金属 o化物） PowerFlat™（5x6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 100 v 107a（TC） 10V 6mohm @ 10a，10v 4.5V @ 250µA 72 NC @ 10 V ±20V 5117 PF @ 50 V - 136W（TC）
STN3NF06L STMicroelectronics STN3NF06L 1.0300
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Stmicroelectronics StripFet™II 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-261-4，TO-261AA STN3 MOSFET （金属 o化物） SOT-223 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 n通道 60 V 4A（TC） 5V，10V 100mohm @ 1.5A，10V 2.8V @ 250µA 9 NC @ 5 V ±16V 340 pf @ 25 V - 3.3W（TC）
STP8NM60ND STMicroelectronics STP8NM60ND -
RFQ
 ECAD 9228 0.00000000 Stmicroelectronics FDMESH™II 管子 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 STP8N MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 7A（TC） 10V 700MOHM @ 3.5A，10V 5V @ 250µA 22 NC @ 10 V ±30V 560 pf @ 50 V - 70W（TC）
MJB44H11T4 STMicroelectronics MJB44H11T4 -
RFQ
 ECAD 5443 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB MJB44 50 W D²Pak 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 80 V 10 a 10µA NPN 1V @ 400mA，8a 40 @ 4A，1V -
BTW69-1000RG STMicroelectronics BTW69-1000RG -
RFQ
 ECAD 6339 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 -40°C〜125°C 通过洞 前3名 BTW69 top3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 30 150 ma 1 kV 50 a 1.3 v 580a，610a 80 ma 1.9 v 32 a 10 µA 标准恢复
STU95N3LLH6 STMicroelectronics Stu95n3llh6 -
RFQ
 ECAD 2982 0.00000000 Stmicroelectronics Deepgate™，diplfet™vi 管子 过时的 175°C（TJ） 通过洞 TO-251-3，IPAK，TO-251AA Stu95 MOSFET （金属 o化物） TO-251（IPAK） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 75 n通道 30 V 80A（TC） 4.5V，10V 4.7MOHM @ 40a，10V 2.5V @ 250µA 20 NC @ 4.5 V ±25V 2200 PF @ 25 V - 70W（TC）
STPS80150CW STMicroelectronics STPS80150CW 5.5600
RFQ
 ECAD 3718 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 STPS80150 肖特基 TO-247-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 150 v 40a 840 mv @ 40 a 30 µA @ 150 V 175°c （最大）
PD57002 STMicroelectronics PD57002 -
RFQ
 ECAD 6237 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 65 v Powerso-10裸露的底部垫 PD57002 960MHz ldmos 10-Powerso 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 250mA 10 MA 2W 15DB - 28 V
STTH120R04TV2 STMicroelectronics stth120r04tv2 -
RFQ
 ECAD 6228 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 底盘安装 同位素 Stth120 标准 isotop® 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 10 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 2独立 400 v 60a 1.5 V @ 60 A 80 ns 60 µA @ 400 V
STGWA60V60DF STMicroelectronics STGWA60V60DF 5.6200
RFQ
 ECAD 2949 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 STGWA60 标准 375 w TO-247长铅 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 400V，60a，4.7Ohm，15V 74 ns 沟渠场停止 600 v 80 a 240 a 2.3V @ 15V，60a （750µJ）（在550µJ上） 334 NC 60NS/208NS
FERD20H100STS STMicroelectronics Ferd20H100st 1.1400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 Ferd20 （ferd （现场效应整流器二极管） TO-220 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 100 v 705 mv @ 20 a 140 µA @ 100 V 175°c （最大） 20a -
TN2540-600G STMicroelectronics TN2540-600G -
RFQ
 ECAD 5721 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 -40°C〜125°C 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB TN2540 D2PAK 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 50 50 mA 600 v 25 a 1.3 v 300a，314a 40 MA 1.6 v 16 a 5 µA 标准恢复
T1610T-8T STMicroelectronics T1610T-8T -
RFQ
 ECAD 8256 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 T1610 TO-220 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 50 单身的 15 ma 逻辑 -敏感门 800 v 16 a 1.3 v 120a，126a 10 MA
STPS30120DJF-TR STMicroelectronics STPS30120DJF-Tr 1.3900
RFQ
 ECAD 3224 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 8-Powervdfn STPS30120 肖特基 PowerFlat™（5x6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 120 v 920 MV @ 30 A 35 µA @ 120 V 150°C （最大） 30a -
STPS30120CTN STMicroelectronics STPS30120CTN 2.6100
RFQ
 ECAD 996 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 STPS30120 肖特基 TO-220AB狭窄的铅 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 120 v 15a 920 MV @ 15 A 15 µA @ 120 V 175°c （最大）
2STW100 STMicroelectronics 2STW100 2.8800
RFQ
 ECAD 260 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 2STW100 130 w TO-247-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 497-11084-5 Ear99 8541.29.0095 30 80 V 25 a 500µA npn-达灵顿 3.5V @ 80mA，20a 500 @ 10a，3v -
2STR2215 STMicroelectronics 2STR2215 0.3900
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 2str 500兆 SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 15 v 1.5 a 100NA（ICBO） PNP 850mv @ 200mA，2a 200 @ 500mA，2V -
STTH1R02RL STMicroelectronics stth1r02rl 0.4800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 通过洞 do-204al，do-41，轴向 stth1 标准 do-41 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 1 V @ 1.5 A 30 ns 3 µA @ 200 V 175°c （最大） 1.5a -
STD3N62K3 STMicroelectronics STD3N62K3 1.0500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Stmicroelectronics SuperMesh3™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 STD3N62 MOSFET （金属 o化物） DPAK 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 620 v 2.7A（TC） 10V 2.5OHM @ 1.4A，10V 4.5V @ 50µA 13 NC @ 10 V ±30V 385 pf @ 25 V - 45W（TC）
T1610T-6I STMicroelectronics T1610T-6I -
RFQ
 ECAD 3549 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 T1610 TO-220AB绝缘 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 50 单身的 12 ma 逻辑 -敏感门 600 v 16 a 1.3 v 120a，126a 10 MA
T835-600H STMicroelectronics T835-600H 1.6600
RFQ
 ECAD 9157 0.00000000 Stmicroelectronics Snubberless™ 管子 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 通过洞 TO-251-3，IPAK，TO-251AA T835 TO-251（IPAK） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 75 单身的 35 MA 替代者 -无用 600 v 8 a 1.3 v 80a，84a 35 MA
Z0405DE 1AA2 STMicroelectronics Z0405DE 1AA2 -
RFQ
 ECAD 3086 0.00000000 Stmicroelectronics - 大部分 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 通过洞 to-202长标签 Z0405 到202 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 250 单身的 5 ma 逻辑 -敏感门 400 v 4 a 1.3 v 20a，21a 5 ma
TIP31A STMicroelectronics TIP31A 0.8900
RFQ
 ECAD 163 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 提示31 2 w TO-220 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 60 V 3 a 300µA NPN 1.2V @ 375mA，3a 10 @ 3A，4V -
SCT30N120D2 STMicroelectronics SCT30N120D2 -
RFQ
 ECAD 7067 0.00000000 Stmicroelectronics - 托盘 积极的 -55°C 200°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 SCT30 sicfet （碳化硅） HIP247™ - 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 490 n通道 1200 v 40a（TC） 20V 100mohm @ 20a，20v 3.5V @ 1mA 105 NC @ 20 V +25V，-10V 1700 PF @ 400 V - 270W（TC）
STGW30NC60W STMicroelectronics STGW30NC60W -
RFQ
 ECAD 5692 0.00000000 Stmicroelectronics PowerMesh™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 STGW30 标准 200 w TO-247-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 497-5009-5 Ear99 8541.29.0095 30 390V，20a，10ohm，15V - 600 v 60 a 150 a 2.5V @ 15V，20A 305µJ（在）上，181µJ（OFF） 102 NC 29.5NS/118NS
2STW1695 STMicroelectronics 2STW1695 -
RFQ
 ECAD 6519 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 2STW 100 W TO-247-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 140 v 10 a 100NA（ICBO） PNP 700mv @ 700mA，7a 70 @ 3A，4V 20MHz
STPS20M120STN STMicroelectronics STPS20M120STN -
RFQ
 ECAD 3644 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 STPS20 肖特基 TO-220AB狭窄的铅 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 120 v 840 mv @ 20 a 275 µA @ 120 V 150°C （最大） 20a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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