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6390）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
stth8r02ddjfy-tr	-	RFQ	7234	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	8-Powervdfn		stth8r02			标准		PowerFlat™（5x6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																					2独立	200 v	4a	1.22 V @ 8 A	30 ns	3 µA @ 200 V	-40°C〜175°C
STT13005	-	RFQ	9281	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3		STT13				45 W	SOT-32-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																																	400 v	2 a							250µA	NPN	1.5V @ 400mA，1.6a	10 @ 500mA，5V	-
STF28NM50N	6.3800	RFQ	1	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		STF28			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道									500 v	21a（TC）	10V	158mohm @ 10.5a，10v	4V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±25V	1735 PF @ 25 V	-	35W（TC）
STFI12N60M2	1.6100	RFQ	1	Stmicroelectronics	MDMESH™M2	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3完整包，i²pak		STFI12N			MOSFET （金属 o化物）		I2PAKFP（to-281）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道									600 v	9A（TC）	10V	450MOHM @ 4.5A，10V	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±25V	538 pf @ 100 V	-	25W（TC）
BAR46FILM	0.4400	RFQ	13	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		BAR46			肖特基		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																						100 v		1 V @ 250 MA		5 µA @ 75 V	150°C （最大）	150mA	10pf @ 0v，1MHz
STD13NM50N	-	RFQ	7081	Stmicroelectronics	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的						STD13						-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			0000.00.0000	2,500
Stu2LN60K3	-	RFQ	100	Stmicroelectronics	SuperMesh3™	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		Stu2LN60			MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道									600 v	2A（TC）	10V	4.5OHM @ 1A，10V	4.5V @ 50µA	12 nc @ 10 V	±30V	235 pf @ 50 V	-	45W（TC）
STW43NM60N	-	RFQ	9252	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		STW43N			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道									600 v	35A（TC）	10V	88mohm @ 17.5a，10v	5V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±30V	4200 PF @ 50 V	-	255W（TC）
STAC2942FW	85.2500	RFQ	75	Stmicroelectronics	-	托盘	过时的	130 v			STAC244B		STAC2942		175MHz	MOSFET		STAC244B	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20	n通道			40a		250 MA	450W	-														-																		50 V
stps16h100cg-tr	1.7200	RFQ	285	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		STPS16			肖特基		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																					1对普通阴极	100 v	8a	770 mv @ 8 a		3.6 µA @ 100 V	175°c （最大）
STN2NE10L	-	RFQ	3412	Stmicroelectronics	StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		stn2n			MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道									100 v	1.8A（TC）	5V，10V	400MOHM @ 1A，10V	3V @ 250µA	14 NC @ 5 V	±20V	345 pf @ 25 V	-	2.5W（TC）
STL7N6F7	0.7300	RFQ	9097	Stmicroelectronics	StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6 PowerWDFN		STL7			MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道									60 V	7A（TC）	10V	25mohm @ 3.5a，10v	4V @ 250µA	8 nc @ 10 V	±20V	450 pf @ 25 V	-	2.4W（TA）
STB34NM60N	10.5300	RFQ	8271	Stmicroelectronics	MDMESH™II	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		STB34			MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道									600 v	29A（TC）	10V	105MOHM @ 14.5A，10V	4V @ 250µA	84 NC @ 10 V	±25V	2722 PF @ 100 V	-	250W（TC）
STD2NK70Z-1	-	RFQ	8571	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		STD2N			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道									700 v	1.6A（TC）	10V	7ohm @ 800mA，10v	4.5V @ 50µA	11.4 NC @ 10 V	±30V	280 pf @ 25 V	-	45W（TC）
STP78N75F4	0.9700	RFQ	371	Stmicroelectronics	DeepGate™，diveFet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		STP78N			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道									75 v	78A（TC）	10V	11mohm @ 39a，10v	4V @ 250µA	76 NC @ 10 V	±20V	5015 PF @ 25 V	-	150W（TC）
STGIB8CH60TS-XZ	11.5763	RFQ	7508	Stmicroelectronics	Sllimm -第二	大部分	积极的			通过洞	26-PowerDip 模块（1.146英寸，29.10mm）	IGBT	STGIB8						-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-STGIB8CH60TS-XZ	Ear99	8542.39.0001	156	3相逆变器								12 a	600 v	1600vrms
STQ1NK80ZR-AP	0.8700	RFQ	6693	Stmicroelectronics	SuperMesh™	（CT）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		STQ1NK80			MOSFET （金属 o化物）		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道									800 v	300mA（TC）	10V	16ohm @ 500mA，10v	4.5V @ 50µA	7.7 NC @ 10 V	±30V	160 pf @ 25 V	-	3W（TC）
STFI11N65M2	-	RFQ	9947	Stmicroelectronics	MDMESH™II Plus	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3完整包，i²pak		stfi11n			MOSFET （金属 o化物）		I2PAKFP（to-281）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道									650 v	7A（TC）	10V	670MOHM @ 3.5A，10V	4V @ 250µA	12.5 NC @ 10 V	±25V	410 pf @ 100 V	-	25W（TC）
RF5L051K0CB4	172.5000	RFQ	5027	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的	110 v		底盘安装	D4E		RF5L051K0		500MHz	ldmos		D4E	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-RF5L051K0CB4			100	-			1µA		200 ma	1000W	21dB														-																		50 V
STGW45HF60WDI	-	RFQ	1412	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		STGW45	标准			250 w	TO-247长铅	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-10402-5	Ear99	8541.29.0095	30					400V，30a，4.7Ohm，15V																						90 ns					-	600 v	70 a	150 a	2.5V @ 15V，30a	330µJ（）	160 NC	- /145ns
STD12NF06T4	1.2300	RFQ	2611	Stmicroelectronics	StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		STD12			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道									60 V	12A（TC）	10V	100mohm @ 6a，10v	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	315 pf @ 25 V	-	30W（TC）
PD54008S-E	-	RFQ	9915	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	25 v			Powerso-10裸露的底部垫		PD54008		500MHz	ldmos		Powerso-10rf （直线直线）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50				5a		150 ma	8W	11.5db														-																		7.5 v
STP30NM60N	-	RFQ	5593	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		STP30N			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道									600 v	25A（TC）	10V	130mohm @ 12.5a，10v	4V @ 250µA	91 NC @ 10 V	±30V	2700 PF @ 50 V	-	190w（TC）
STGB10NC60KDT4	1.6300	RFQ	6371	Stmicroelectronics	PowerMesh™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		STGB10	标准			65 w	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000					390V，5A，10欧姆，15V																						22 ns					-	600 v	20 a	30 a	2.5V @ 15V，5A	（55µJ）（在），85µJ（85µJ）中	19 nc	17ns/72ns
STB6NK90ZT4	3.2000	RFQ	2416	Stmicroelectronics	SuperMesh™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		STB6			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道									900 v	5.8A（TC）	10V	2ohm @ 2.9a，10v	4.5V @ 100µA	60.5 NC @ 10 V	±30V	1350 pf @ 25 V	-	140W（TC）
STD5N65M6	0.6486	RFQ	7192	Stmicroelectronics	MDMESH™M6	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		STD5N65			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道									650 v	4A（TC）	0V，10V	1.3OHM @ 2A，10V	3.75V @ 250µA	5.1 NC @ 10 V	±25V	170 pf @ 100 V	-	45W（TC）
STP5NK60Z	2.1700	RFQ	1	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		STP5NK60			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道									600 v	5A（TC）	10V	1.6OHM @ 2.5A，10V	4.5V @ 50µA	34 NC @ 10 V	±30V	690 pf @ 25 V	-	90W（TC）
STPS41H100CG-TR	2.6900	RFQ	6257	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		STPS41			肖特基		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																					1对普通阴极	100 v	20a	800 mv @ 20 a		10 µA @ 100 V	175°c （最大）
STPS30L45CFP	1.5500	RFQ	1	Stmicroelectronics	-	管子	积极的			通过洞	TO-220-3完整包		STPS30			肖特基		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																					1对普通阴极	45 v	15a	550 mv @ 15 A		400 µA @ 45 V	150°C （最大）
STP14N80K5	1.9566	RFQ	2758	Stmicroelectronics	MDMESH™K5	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		STP14			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道									800 v	12A（TC）	10V	445MOHM @ 6A，10V	5V @ 100µA	22 NC @ 10 V	±30V	620 pf @ 100 V	-	130W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6390）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²