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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 电压 -额定值 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | 频率 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 速度 | fet | (amp) | (ih)(IH)) | 测试条件 | 当前 -测试 | 功率 -输出 | 获得 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | triac类型 | 电压 -偏离状态 | ((rms)(rms)(最大) | (VGT)(VGT)(最大) | 当前-nonrep。Suger50,60Hz(iTSM) | (IGT)(IGT)(最大) | (vtm)(VTM)(最大) | ((av)(av)) | 当前 -关闭状态(最大) | scr | 噪音图 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电流 -icm) | (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic | 切换能量 | 门充电 | TD (开/关) @ 25°C | 电压 -测试 | 当前 -收集器截止(最大) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 噪声图( db typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STPSC20H065CTY | 7.3700 | ![]() | 296 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | STPSC20 | SIC (碳化硅) | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 650 v | 10a | 1.75 V @ 10 A | 100 µA @ 650 V | -40°C〜175°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
stth1512w | 3.5200 | ![]() | 1953年 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | DO-247-2 (直线直线) | stth1512 | 标准 | DO-247 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 497-5152-5 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1200 v | 2.1 V @ 15 A | 105 ns | 15 µA @ 1200 V | 175°c (最大) | 15a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STP80NE06-10 | - | ![]() | 1346 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 过时的 | 175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | STP80N | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 497-2778-5 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 60 V | 80A(TC) | 10V | 10mohm @ 40a,10v | 4V @ 250µA | 140 NC @ 10 V | ±20V | 10000 PF @ 25 V | - | 150W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SD1275 | - | ![]() | 3567 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 盒子 | 过时的 | 200°C(TJ) | 底盘,螺柱坐骑 | M135 | SD1275 | 70W | M135 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 40 | 9DB | 16V | 8a | NPN | 20 @ 250mA,5V | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STB60NF10T4 | - | ![]() | 7224 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | StripFet™II | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | STB60N | MOSFET (金属 o化物) | D2PAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 100 v | 80A(TC) | 10V | 23mohm @ 40a,10v | 4V @ 250µA | 104 NC @ 10 V | ±20V | 4270 pf @ 25 V | - | 300W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Z0405ME 1AA2 | - | ![]() | 4221 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | to-202长标签 | Z0405 | 到202 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.30.0080 | 250 | 单身的 | 5 ma | 逻辑 -敏感门 | 600 v | 4 a | 1.3 v | 20a,21a | 5 ma | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STP8NM60D | - | ![]() | 3672 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH™ | 管子 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | STP8N | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 497-6194-5 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 600 v | 8A(TC) | 10V | 1欧姆 @ 2.5A,10V | 5V @ 250µA | 18 nc @ 10 V | ±30V | 380 pf @ 25 V | - | 100W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SD56120M | - | ![]() | 1415 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 过时的 | 65 v | M252 | SD56120 | 860MHz | ldmos | M252 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 15 | 14a | 400 MA | 120W | 16dB | - | 32 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | stta512f | - | ![]() | 7441 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | TurboSwitch™ | 管子 | 过时的 | 通过洞 | ISOWATT220AC-3 | STTA512 | 标准 | ISOWATT-220AC | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 497-2690-5 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1200 v | 2.2 V @ 5 A | 95 ns | 100 µA @ 1200 V | 150°C (最大) | 5a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Z0109MA 5AL2 | 0.6600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | Z0109 | 到92 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.30.0080 | 2,000 | 单身的 | 10 MA | 逻辑 -敏感门 | 600 v | 1 a | 1.3 v | 8a,8.5a | 10 MA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STP8N80K5 | 2.5600 | ![]() | 123 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | SuperMesh5™ | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | STP8N80 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 800 v | 6A(TC) | 10V | 950MOHM @ 3A,10V | 5V @ 100µA | 16.5 NC @ 10 V | ±30V | 450 pf @ 100 V | - | 110W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TN1215-800B | - | ![]() | 5247 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | TN1215 | DPAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.30.0080 | 3,000 | 40 MA | 800 v | 12 a | 1.3 v | 110a,115a | 15 ma | 1.6 v | 8 a | 5 µA | 标准恢复 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STW3N170 | 5.6200 | ![]() | 8648 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | PowerMesh™ | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | STW3N170 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 497-16332-5 | Ear99 | 8541.21.0095 | 30 | n通道 | 1700 v | 2.6A(TC) | 10V | 13ohm @ 1.3a,10v | 5V @ 250µA | 44 NC @ 10 V | ±30V | 1100 PF @ 100 V | - | 160MW | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STL110N10F7 | 2.5800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | DeepGate™,diplfet™VII | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | STL110 | MOSFET (金属 o化物) | PowerFlat™(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 100 v | 107a(TC) | 10V | 6mohm @ 10a,10v | 4.5V @ 250µA | 72 NC @ 10 V | ±20V | 5117 PF @ 50 V | - | 136W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STN3NF06L | 1.0300 | ![]() | 25 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | StripFet™II | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-261-4,TO-261AA | STN3 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-223 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n通道 | 60 V | 4A(TC) | 5V,10V | 100mohm @ 1.5A,10V | 2.8V @ 250µA | 9 NC @ 5 V | ±16V | 340 pf @ 25 V | - | 3.3W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STP8NM60ND | - | ![]() | 9228 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | FDMESH™II | 管子 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | STP8N | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 600 v | 7A(TC) | 10V | 700MOHM @ 3.5A,10V | 5V @ 250µA | 22 NC @ 10 V | ±30V | 560 pf @ 50 V | - | 70W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Stu95n3llh6 | - | ![]() | 2982 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Deepgate™,diplfet™vi | 管子 | 过时的 | 175°C(TJ) | 通过洞 | TO-251-3,IPAK,TO-251AA | Stu95 | MOSFET (金属 o化物) | TO-251(IPAK) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | n通道 | 30 V | 80A(TC) | 4.5V,10V | 4.7MOHM @ 40a,10V | 2.5V @ 250µA | 20 NC @ 4.5 V | ±25V | 2200 PF @ 25 V | - | 70W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STPS80150CW | 5.5600 | ![]() | 3718 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | STPS80150 | 肖特基 | TO-247-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 150 v | 40a | 840 mv @ 40 a | 30 µA @ 150 V | 175°c (最大) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PD57002 | - | ![]() | 6237 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 过时的 | 65 v | Powerso-10裸露的底部垫 | PD57002 | 960MHz | ldmos | 10-Powerso | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 250mA | 10 MA | 2W | 15DB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | stth120r04tv2 | - | ![]() | 6228 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 过时的 | 底盘安装 | 同位素 | Stth120 | 标准 | isotop® | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 400 v | 60a | 1.5 V @ 60 A | 80 ns | 60 µA @ 400 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STGWA60V60DF | 5.6200 | ![]() | 2949 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | STGWA60 | 标准 | 375 w | TO-247长铅 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V,60a,4.7Ohm,15V | 74 ns | 沟渠场停止 | 600 v | 80 a | 240 a | 2.3V @ 15V,60a | (750µJ)(在550µJ上) | 334 NC | 60NS/208NS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STPS30120DJF-Tr | 1.3900 | ![]() | 3224 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 8-Powervdfn | STPS30120 | 肖特基 | PowerFlat™(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 120 v | 920 MV @ 30 A | 35 µA @ 120 V | 150°C (最大) | 30a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2STW100 | 2.8800 | ![]() | 260 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | 2STW100 | 130 w | TO-247-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 497-11084-5 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 80 V | 25 a | 500µA | npn-达灵顿 | 3.5V @ 80mA,20a | 500 @ 10a,3v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2STR2215 | 0.3900 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 2str | 500兆 | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 15 v | 1.5 a | 100NA(ICBO) | PNP | 850mv @ 200mA,2a | 200 @ 500mA,2V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
stth1r02rl | 0.4800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | stth1 | 标准 | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 1 V @ 1.5 A | 30 ns | 3 µA @ 200 V | 175°c (最大) | 1.5a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STD3N62K3 | 1.0500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | SuperMesh3™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | STD3N62 | MOSFET (金属 o化物) | DPAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 620 v | 2.7A(TC) | 10V | 2.5OHM @ 1.4A,10V | 4.5V @ 50µA | 13 NC @ 10 V | ±30V | 385 pf @ 25 V | - | 45W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | T835-600H | 1.6600 | ![]() | 9157 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Snubberless™ | 管子 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | TO-251-3,IPAK,TO-251AA | T835 | TO-251(IPAK) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.30.0080 | 75 | 单身的 | 35 MA | 替代者 -无用 | 600 v | 8 a | 1.3 v | 80a,84a | 35 MA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Z0405DE 1AA2 | - | ![]() | 3086 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | to-202长标签 | Z0405 | 到202 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.30.0080 | 250 | 单身的 | 5 ma | 逻辑 -敏感门 | 400 v | 4 a | 1.3 v | 20a,21a | 5 ma | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TIP31A | 0.8900 | ![]() | 163 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | 提示31 | 2 w | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 60 V | 3 a | 300µA | NPN | 1.2V @ 375mA,3a | 10 @ 3A,4V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCT30N120D2 | - | ![]() | 7067 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 托盘 | 积极的 | -55°C 200°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | SCT30 | sicfet (碳化硅) | HIP247™ | - | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 490 | n通道 | 1200 v | 40a(TC) | 20V | 100mohm @ 20a,20v | 3.5V @ 1mA | 105 NC @ 20 V | +25V,-10V | 1700 PF @ 400 V | - | 270W(TC) |
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