SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 频率 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet (amp) (ih)(IH)) 测试条件 当前 -测试 功率 -输出 获得 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() triac类型 电压 -偏离状态 ((rms)(rms)(最大) (VGT)(VGT)(最大) 当前-nonrep。Suger50,60Hz(iTSM) (IGT)(IGT)(最大) (vtm)(VTM)(最大) ((av)(av)) 当前 -关闭状态(最大) scr 噪音图 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f IGBT类型 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电流 -icm) (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic 切换能量 门充电 TD (开/关) @ 25°C 电压 -测试 当前 -收集器截止(最大) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 噪声图( db typ @ f)
STPSC20H065CTY STMicroelectronics STPSC20H065CTY 7.3700
RFQ
ECAD 296 0.00000000 Stmicroelectronics 汽车,AEC-Q101 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 STPSC20 SIC (碳化硅) TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 650 v 10a 1.75 V @ 10 A 100 µA @ 650 V -40°C〜175°C
STTH1512W STMicroelectronics stth1512w 3.5200
RFQ
ECAD 1953年 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 积极的 通过洞 DO-247-2 (直线直线) stth1512 标准 DO-247 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 497-5152-5 Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1200 v 2.1 V @ 15 A 105 ns 15 µA @ 1200 V 175°c (最大) 15a -
STP80NE06-10 STMicroelectronics STP80NE06-10 -
RFQ
ECAD 1346 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 STP80N MOSFET (金属 o化物) TO-220 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 497-2778-5 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 60 V 80A(TC) 10V 10mohm @ 40a,10v 4V @ 250µA 140 NC @ 10 V ±20V 10000 PF @ 25 V - 150W(TC)
SD1275 STMicroelectronics SD1275 -
RFQ
ECAD 3567 0.00000000 Stmicroelectronics - 盒子 过时的 200°C(TJ) 底盘,螺柱坐骑 M135 SD1275 70W M135 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 40 9DB 16V 8a NPN 20 @ 250mA,5V - -
STB60NF10T4 STMicroelectronics STB60NF10T4 -
RFQ
ECAD 7224 0.00000000 Stmicroelectronics StripFet™II 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB STB60N MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 100 v 80A(TC) 10V 23mohm @ 40a,10v 4V @ 250µA 104 NC @ 10 V ±20V 4270 pf @ 25 V - 300W(TC)
Z0405ME 1AA2 STMicroelectronics Z0405ME 1AA2 -
RFQ
ECAD 4221 0.00000000 Stmicroelectronics - 大部分 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 通过洞 to-202长标签 Z0405 到202 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 250 单身的 5 ma 逻辑 -敏感门 600 v 4 a 1.3 v 20a,21a 5 ma
STP8NM60D STMicroelectronics STP8NM60D -
RFQ
ECAD 3672 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™ 管子 过时的 -65°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 STP8N MOSFET (金属 o化物) TO-220 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 497-6194-5 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 600 v 8A(TC) 10V 1欧姆 @ 2.5A,10V 5V @ 250µA 18 nc @ 10 V ±30V 380 pf @ 25 V - 100W(TC)
SD56120M STMicroelectronics SD56120M -
RFQ
ECAD 1415 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 65 v M252 SD56120 860MHz ldmos M252 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 15 14a 400 MA 120W 16dB - 32 v
STTA512F STMicroelectronics stta512f -
RFQ
ECAD 7441 0.00000000 Stmicroelectronics TurboSwitch™ 管子 过时的 通过洞 ISOWATT220AC-3 STTA512 标准 ISOWATT-220AC 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 497-2690-5 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1200 v 2.2 V @ 5 A 95 ns 100 µA @ 1200 V 150°C (最大) 5a -
Z0109MA 5AL2 STMicroelectronics Z0109MA 5AL2 0.6600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) Z0109 到92 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 2,000 单身的 10 MA 逻辑 -敏感门 600 v 1 a 1.3 v 8a,8.5a 10 MA
STP8N80K5 STMicroelectronics STP8N80K5 2.5600
RFQ
ECAD 123 0.00000000 Stmicroelectronics SuperMesh5™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 STP8N80 MOSFET (金属 o化物) TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 800 v 6A(TC) 10V 950MOHM @ 3A,10V 5V @ 100µA 16.5 NC @ 10 V ±30V 450 pf @ 100 V - 110W(TC)
TN1215-800B STMicroelectronics TN1215-800B -
RFQ
ECAD 5247 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 -40°C〜125°C 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 TN1215 DPAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 3,000 40 MA 800 v 12 a 1.3 v 110a,115a 15 ma 1.6 v 8 a 5 µA 标准恢复
STW3N170 STMicroelectronics STW3N170 5.6200
RFQ
ECAD 8648 0.00000000 Stmicroelectronics PowerMesh™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 STW3N170 MOSFET (金属 o化物) TO-247-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 497-16332-5 Ear99 8541.21.0095 30 n通道 1700 v 2.6A(TC) 10V 13ohm @ 1.3a,10v 5V @ 250µA 44 NC @ 10 V ±30V 1100 PF @ 100 V - 160MW
STL110N10F7 STMicroelectronics STL110N10F7 2.5800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectronics DeepGate™,diplfet™VII 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 8-Powervdfn STL110 MOSFET (金属 o化物) PowerFlat™(5x6) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 100 v 107a(TC) 10V 6mohm @ 10a,10v 4.5V @ 250µA 72 NC @ 10 V ±20V 5117 PF @ 50 V - 136W(TC)
STN3NF06L STMicroelectronics STN3NF06L 1.0300
RFQ
ECAD 25 0.00000000 Stmicroelectronics StripFet™II 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-261-4,TO-261AA STN3 MOSFET (金属 o化物) SOT-223 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 n通道 60 V 4A(TC) 5V,10V 100mohm @ 1.5A,10V 2.8V @ 250µA 9 NC @ 5 V ±16V 340 pf @ 25 V - 3.3W(TC)
STP8NM60ND STMicroelectronics STP8NM60ND -
RFQ
ECAD 9228 0.00000000 Stmicroelectronics FDMESH™II 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 STP8N MOSFET (金属 o化物) TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 7A(TC) 10V 700MOHM @ 3.5A,10V 5V @ 250µA 22 NC @ 10 V ±30V 560 pf @ 50 V - 70W(TC)
STU95N3LLH6 STMicroelectronics Stu95n3llh6 -
RFQ
ECAD 2982 0.00000000 Stmicroelectronics Deepgate™,diplfet™vi 管子 过时的 175°C(TJ) 通过洞 TO-251-3,IPAK,TO-251AA Stu95 MOSFET (金属 o化物) TO-251(IPAK) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 75 n通道 30 V 80A(TC) 4.5V,10V 4.7MOHM @ 40a,10V 2.5V @ 250µA 20 NC @ 4.5 V ±25V 2200 PF @ 25 V - 70W(TC)
STPS80150CW STMicroelectronics STPS80150CW 5.5600
RFQ
ECAD 3718 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 STPS80150 肖特基 TO-247-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 150 v 40a 840 mv @ 40 a 30 µA @ 150 V 175°c (最大)
PD57002 STMicroelectronics PD57002 -
RFQ
ECAD 6237 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 65 v Powerso-10裸露的底部垫 PD57002 960MHz ldmos 10-Powerso 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 250mA 10 MA 2W 15DB - 28 V
STTH120R04TV2 STMicroelectronics stth120r04tv2 -
RFQ
ECAD 6228 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 底盘安装 同位素 Stth120 标准 isotop® 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 10 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 2独立 400 v 60a 1.5 V @ 60 A 80 ns 60 µA @ 400 V
STGWA60V60DF STMicroelectronics STGWA60V60DF 5.6200
RFQ
ECAD 2949 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 STGWA60 标准 375 w TO-247长铅 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 400V,60a,4.7Ohm,15V 74 ns 沟渠场停止 600 v 80 a 240 a 2.3V @ 15V,60a (750µJ)(在550µJ上) 334 NC 60NS/208NS
STPS30120DJF-TR STMicroelectronics STPS30120DJF-Tr 1.3900
RFQ
ECAD 3224 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 8-Powervdfn STPS30120 肖特基 PowerFlat™(5x6) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 120 v 920 MV @ 30 A 35 µA @ 120 V 150°C (最大) 30a -
2STW100 STMicroelectronics 2STW100 2.8800
RFQ
ECAD 260 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 2STW100 130 w TO-247-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 497-11084-5 Ear99 8541.29.0095 30 80 V 25 a 500µA npn-达灵顿 3.5V @ 80mA,20a 500 @ 10a,3v -
2STR2215 STMicroelectronics 2STR2215 0.3900
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 2str 500兆 SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 15 v 1.5 a 100NA(ICBO) PNP 850mv @ 200mA,2a 200 @ 500mA,2V -
STTH1R02RL STMicroelectronics stth1r02rl 0.4800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 stth1 标准 do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1 V @ 1.5 A 30 ns 3 µA @ 200 V 175°c (最大) 1.5a -
STD3N62K3 STMicroelectronics STD3N62K3 1.0500
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Stmicroelectronics SuperMesh3™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 STD3N62 MOSFET (金属 o化物) DPAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 620 v 2.7A(TC) 10V 2.5OHM @ 1.4A,10V 4.5V @ 50µA 13 NC @ 10 V ±30V 385 pf @ 25 V - 45W(TC)
T835-600H STMicroelectronics T835-600H 1.6600
RFQ
ECAD 9157 0.00000000 Stmicroelectronics Snubberless™ 管子 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 通过洞 TO-251-3,IPAK,TO-251AA T835 TO-251(IPAK) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 75 单身的 35 MA 替代者 -无用 600 v 8 a 1.3 v 80a,84a 35 MA
Z0405DE 1AA2 STMicroelectronics Z0405DE 1AA2 -
RFQ
ECAD 3086 0.00000000 Stmicroelectronics - 大部分 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 通过洞 to-202长标签 Z0405 到202 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 250 单身的 5 ma 逻辑 -敏感门 400 v 4 a 1.3 v 20a,21a 5 ma
TIP31A STMicroelectronics TIP31A 0.8900
RFQ
ECAD 163 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 提示31 2 w TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 60 V 3 a 300µA NPN 1.2V @ 375mA,3a 10 @ 3A,4V -
SCT30N120D2 STMicroelectronics SCT30N120D2 -
RFQ
ECAD 7067 0.00000000 Stmicroelectronics - 托盘 积极的 -55°C 200°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 SCT30 sicfet (碳化硅) HIP247™ - 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 490 n通道 1200 v 40a(TC) 20V 100mohm @ 20a,20v 3.5V @ 1mA 105 NC @ 20 V +25V,-10V 1700 PF @ 400 V - 270W(TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库