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6390）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	triac类型	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
BTB08-600BRG	1.6200	RFQ	5	Stmicroelectronics	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		BTB08			TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	50	单身的			50 mA														标准	600 v	8 a	1.3 v	80a，84a	50 mA
Stu5nk50z	-	RFQ	1114	Stmicroelectronics	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的					Stu5n				-		（1 （无限）	到达不受影响		过时的		3,000
Z0107NA 5AL2	0.7900	RFQ	1	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）		Z0107			到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	2,000	单身的			10 MA														逻辑 -敏感门	800 v	1 a	1.3 v	8a，8.5a	5 ma
STW40N60M2	8.7300	RFQ	600	Stmicroelectronics	MDMESH™II Plus	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		STW40	MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道					600 v	34A（TC）	10V	88mohm @ 17a，10v	4V @ 250µA	57 NC @ 10 V	±25V	2500 PF @ 100 V	-	250W（TC）
STW9N80K5	3.2200	RFQ	492	Stmicroelectronics	MDMESH™K5	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		STW9	MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道					800 v	7A（TC）	10V	900MOHM @ 3.5A，10V	5V @ 100µA	12 nc @ 10 V	±30V	340 pf @ 100 V	-	110W（TC）
SMBYT01-400	-	RFQ	1642	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	DO-214AA，SMB		Smbyt	标准		SMB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																							400 v		1.5 V @ 1 A	60 ns	10 µA @ 400 V	-40°C〜150°C	1a	-
T1610T-8I	3.0400	RFQ	1	Stmicroelectronics	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		T1610			TO-220AB绝缘	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	50	单身的			25 ma														逻辑 -敏感门	800 v	16 a	1.3 v	120a，126a	10 MA
STP26N60DM6	4.0100	RFQ	2354	Stmicroelectronics	MDMESH™DM6	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		STP26	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-18499	Ear99	8541.29.0095	350			n通道					600 v	18A（TC）	10V	195mohm @ 9a，10v	4.75V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±25V	940 pf @ 100 V	-	130W（TC）
STH6N95K5-2	2.8400	RFQ	9290	Stmicroelectronics	MDMESH™K5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		STH6	MOSFET （金属 o化物）		H2PAK-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道					950 v	6A（TC）	10V	1.25OHM @ 3A，10V	5V @ 100µA	13 NC @ 10 V	±30V	450 pf @ 100 V	-	110W（TC）
STB60NF06LT4	2.0900	RFQ	3018	Stmicroelectronics	StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		STB60	MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道					60 V	60a（TC）	5V，10V	14mohm @ 30a，10v	1V @ 250µA	66 NC @ 4.5 V	±15V	2000 pf @ 25 V	-	110W（TC）
STH110N10F7-6	-	RFQ	5678	Stmicroelectronics	DeepGate™，diplfet™VII	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）		STH110	MOSFET （金属 o化物）		H2PAK-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道					100 v	110A（TC）	10V	6.5MOHM @ 55A，10V	4.5V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±20V	5117 PF @ 50 V	-	150W（TC）
STF18N55M5	3.2100	RFQ	142	Stmicroelectronics	MDMESH™v	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		STF18	MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道					550 v	16A（TC）	10V	192MOHM @ 8A，10V	5V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±25V	1260 pf @ 100 V	-	25W（TC）
STB20N90K5	6.7300	RFQ	995	Stmicroelectronics	MDMESH™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		STB20	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道					900 v	20A（TC）	10V	250mohm @ 10a，10v	5V @ 100µA	40 NC @ 10 V	±30V	1500 pf @ 100 V	-	250W（TC）
stth10lcd06ct	1.3539	RFQ	7555	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		通过洞	TO-220-3		stth10	标准		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																						1对普通阴极	600 v	5a	2 V @ 5 A	50 ns	1 µA @ 600 V	175°c （最大）
STWA67N60DM6	6.6739	RFQ	5820	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		STWA67	MOSFET （金属 o化物）		TO-247长铅	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-STWA67N60DM6	Ear99	8541.29.0095	600			n通道					600 v	58A（TC）	10V	54mohm @ 23.5a，10v	4.75V @ 250µA	72.5 NC @ 10 V	±25V	3400 PF @ 100 V	-	431W（TC）
STP7N95K3	3.1400	RFQ	499	Stmicroelectronics	SuperMesh3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		STP7N95	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-8792-5	Ear99	8541.29.0095	50			n通道					950 v	7.2A（TC）	10V	1.35OHM @ 3.6A，10V	5V @ 100µA	34 NC @ 10 V	±30V	1031 PF @ 100 V	-	150W（TC）
STSJ50NH3LL	-	RFQ	9546	Stmicroelectronics	StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		STSJ50	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道					30 V	50A（TC）	4.5V，10V	10.5MOHM @ 6A，10V	1V @ 250µA	12 nc @ 4.5 V	±16V	965 PF @ 25 V	-	（3w（ta），50W（TC）
Bulb128-1	0.7000	RFQ	2	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		Bulb128		70 W	TO-262	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																																	400 v	4 a	250µA	NPN	500MV @ 1A，4A	14 @ 2a，5v	-
STF5N52U	-	RFQ	2060	Stmicroelectronics	UltrafastMesh™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		STF5N	MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道					525 v	4.4A（TC）	10V	1.5OHM @ 2.2a，10v	4.5V @ 50µA	16.9 NC @ 10 V	±30V	529 pf @ 25 V	-	25W（TC）
STGIB20M60TS-LZ	16.7251	RFQ	6687	Stmicroelectronics	Sllimm -第二	大部分	积极的		通过洞	26-PowerDip 模块（1.146英寸，29.10mm）	IGBT	STGIB20				-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-STGIB20M60TS-LZ	Ear99	8542.39.0001	156	3相逆变器				25 a	600 v	1600vrms
STPS1150AY	0.7300	RFQ	20	Stmicroelectronics	Q汽车	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	do-214ac，SMA		STPS1150	肖特基		SMA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																							150 v		820 mv @ 1 A		1 µA @ 150 V	175°c （最大）	1a	-
STP78NF55-08	-	RFQ	8323	Stmicroelectronics	StripFet™II	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞			STP78N	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道					55 v	80A（TC）	10V	8mohm @ 40a，10v	4V @ 250µA	155 NC @ 10 V	±20V	3740 pf @ 25 V	-	300W（TC）
STP11N60DM2	1.8000	RFQ	7514	Stmicroelectronics	MDMESH™DM2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		STP11	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-16932	Ear99	8541.29.0095	50			n通道					600 v	10A（TC）	10V	420MOHM @ 5A，10V	5V @ 250µA	16.5 NC @ 10 V	±25V	614 PF @ 100 V	-	110W（TC）
STPS10L25D	1.9300	RFQ	759	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		通过洞	TO-220-2		STPS10	肖特基		TO-220AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																							25 v		460 mv @ 10 a		800 µA @ 25 V	150°C （最大）	10a	-
STD180N4F6	1.6600	RFQ	409	Stmicroelectronics	StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		STD18	MOSFET （金属 o化物）		DPAK	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道					40 V	80A（TC）	10V	2.8mohm @ 40a，10v	4.5V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	7735 pf @ 25 V	-	130W（TC）
STL25N60M2-EP	4.2800	RFQ	3	Stmicroelectronics	MDMESH™M2-EP	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		STL25	MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™（8x8）HV	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道					600 v	16A（TC）	10V	205MOHM @ 8A，10V	4.75V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±25V	1090 pf @ 100 V	-	125W（TC）
STPS20L60CGY-TR	2.9100	RFQ	4133	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		STPS20	肖特基		D²Pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																						1对普通阴极	60 V	10a	600 mv @ 10 a		350 µA @ 60 V	-40°C〜175°C
stth12002Tv1	-	RFQ	5925	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		底盘安装	同位素		Stth120	标准		isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	10		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																						2独立	200 v	60a	1.05 V @ 60 A	43 ns	50 µA @ 200 V	150°C （最大）
STB80NF55-08T4	-	RFQ	6945	Stmicroelectronics	StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		STB80N	MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道					55 v	80A（TC）	10V	8mohm @ 40a，10v	4V @ 250µA	155 NC @ 10 V	±20V	3850 pf @ 25 V	-	300W（TC）
Z0110DN 5AA4	-	RFQ	6934	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		Z0110			SOT-223	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1,000	单身的			25 ma														标准	400 v	1 a	1.3 v	8a，8.5a	25 ma

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6390）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²