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6390）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试
STD18N60M6	2.4400	RFQ	2	Stmicroelectronics	MDMESH™M6	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		STD18			MOSFET （金属 o化物）		D-pak（TO-252）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道									600 v	13A（TC）	10V	280MOHM @ 6.5a，10V	4.75V @ 250µA	16.8 NC @ 10 V	±25V	650 pf @ 100 V	-	110W（TC）
STF22N60DM6	1.5867	RFQ	4226	Stmicroelectronics	MDMESH™M6	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		STF22			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道									600 v	15A（TC）	10V	230MOHM @ 7.5A，10V	4.75V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±25V	800 pf @ 100 V	-	30W（TC）
STF36N60M6	6.3400	RFQ	6727	Stmicroelectronics	MDMESH™M6	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		STF36			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道									600 v	30A（TC）	10V	99mohm @ 15a，10v	4.75V @ 250µA	44.3 NC @ 10 V	±25V	1960 pf @ 100 V	-	40W（TC）
STFU25N60M2-EP	1.7165	RFQ	1674年	Stmicroelectronics	MDMESH™M2	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		STFU25			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道									600 v	18A（TC）	10V	188MOHM @ 9A，10V	4.75V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±25V	1090 pf @ 100 V	-	30W（TC）
STGP8M120DF3	3.0492	RFQ	7985	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		STGP8	标准				TO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000					600V，8a，33ohm，15V																						103 ns					沟渠场停止	1200 v	16 a	32 a	2.3V @ 15V，8a	390µJ（在）（370µJ）上	32 NC	20N/126NS
STGWA40HP65FB	2.2528	RFQ	9304	Stmicroelectronics	HB2	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		STGWA40	标准			230 w	TO-247长铅	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	600					400V，40a，4.7Ohm，15V																						140 ns					沟渠场停止	650 v	72 a	120 a	2V @ 15V，40a	410µJ（离）	153 NC	- /125ns
STD16N60M6	2.4400	RFQ	1228	Stmicroelectronics	MDMESH™M6	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		STD16			MOSFET （金属 o化物）		D-pak（TO-252）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道									600 v	12A（TC）	10V	320MOHM @ 6A，10V	4.75V @ 250µA	16.7 NC @ 10 V	±25V	575 PF @ 100 V	-	110W（TC）
RF3L05150CB4	166.2300	RFQ	123	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	90 v		底盘安装	LBB				1GHz	ldmos		LBB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	100				1µA		500 MA	150W	23dB														-																		28 V
STPSC20H065CWLY	5.3449	RFQ	9243	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			通过洞	TO-247-3		STPSC20			SIC （碳化硅）		TO-247-3	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-STPSC20H065CWLY	Ear99	8541.10.0080	600		没有恢复t> 500mA（IO）																					1对普通阴极	650 v	10a	1.65 V @ 10 A	0 ns	100 µA @ 650 V	-40°C〜175°C
STLD257N4F7AG	2.1585	RFQ	1715年	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，StripFet™F7	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn		STLD257			MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™5x6）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-STLD257N4F7AG	Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道									40 V	120A（TC）	6.5V，10V	1.1MOHM @ 60a，10v	4V @ 250µA	66.5 NC @ 10 V	±20V	5400 PF @ 25 V	-	158W（TC）
STGI25N36LZAG	1.1903	RFQ	3260	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		STGI25	逻辑			150 w	i2pak（（TO-262）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-STGI25N36LZAG	Ear99	8541.29.0095	1,000					-																											-	350 v	25 a	50 a	1.25V @ 4V，6A	-	25.7 NC	1.1μs/7.4µs
stgib8ch60ts-lz	11.5763	RFQ	6000	Stmicroelectronics	Sllimm -第二	大部分	积极的			通过洞	26-PowerDip 模块（1.146英寸，29.10mm）	IGBT	STGIB8						-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-STGIB8CH60TS-LZ	Ear99	8542.39.0001	156	3相逆变器								12 a	600 v	1600vrms
STLD126N4F6AG	1.7532	RFQ	3734	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的						STLD126						-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-STLD126N4F6AG			2,500
RF2L15200CB4	163.3500	RFQ	6962	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的	65 v		底盘安装	LBB		RF2L15200		1.5GHz	ldmos		LBB	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-RF2L15200CB4			100	-			1µA			200W	17.5db														-
STWA68N65DM6AG	7.9990	RFQ	9113	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		STWA68			MOSFET （金属 o化物）		TO-247长铅	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-STWA68N65DM6AG	Ear99	8541.29.0095	600			n通道									650 v	72A（TC）	10V	39mohm @ 36a，10v	4.75V @ 250µA	118 NC @ 10 V	±25V	5900 PF @ 100 V	-	480W（TC）
STGWA50H65DFB2	4.3600	RFQ	2892	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		STGWA50	标准			272 w	TO-247长铅	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-STGWA50H65DFB2	Ear99	8541.29.0095	600					400V，50a，4.7Ohm，15V																						92 ns					沟渠场停止	650 v	86 a	150 a	2V @ 15V，50a	910µJ（在）上，580µJ off）	151 NC	28NS/115NS
STW52N60DM6	5.0695	RFQ	6613	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		STW52			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-STW52N60DM6	Ear99	8541.29.0095	600			n通道									600 v	45A（TC）	10V	74mohm @ 22.5a，10v	4.75V @ 250µA	52 NC @ 10 V	±25V	2468 PF @ 100 V	-	357W（TC）
STGIF7CH60TS-XZ	10.6194	RFQ	7589	Stmicroelectronics	Sllimm -第二	大部分	积极的			通过洞	26-PowerDip 模块（1.146英寸，29.10mm）	IGBT	stgif7						-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-STGIF7CH60TS-XZ	Ear99	8542.39.0001	156	3相逆变器								10 a	600 v	1600vrms
STD12N60M6	1.0473	RFQ	7177	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		STD12			MOSFET （金属 o化物）		DPAK（（TO-252）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-STD12N60M6	Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道									600 v	9A（TC）	10V	450MOHM @ 4.5A，10V	4.75V @ 250µA	12.3 NC @ 10 V	±25V	452 PF @ 100 V	-	96W（TC）
RF5L05950CF2	135.0000	RFQ	1643年	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的	50 V		表面安装	C2		RF5L05950		1.5GHz	ldmos		C2	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-RF5L05950CF2			100	n通道			-			2500W	50dB														-
STL195N4F7AG	1.0548	RFQ	2614	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的						STL195						-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-STL195N4F7AG			3,000
STF18N65DM2	1.4320	RFQ	1870年	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		STF18			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-STF18N65DM2	Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道									650 v	12A（TC）	10V	295MOHM @ 6A，10V	5V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±25V	965 PF @ 100 V	-	28W（TC）
RF2L27015CG2	36.3000	RFQ	8601	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的	60 V		表面安装	E2		RF2L27015		700MHz〜2.7GHz	ldmos		E2	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-RF2L27015CG2			300	-			1µA			15W	19db														-
STD70R1K3S	0.2705	RFQ	3457	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		STD70			MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-STD70R1K3S	Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道									700 v	5A（TC）	10V	1.4OHM @ 1.75a，10V	3.75V @ 250µA	4.1 NC @ 10 V	±25V	175 pf @ 100 V	-	77W（TC）
STAC1011-500	208.7250	RFQ	8570	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的	110 v		表面安装	STAC780-4F		STAC1011		700MHz〜1.2GHz	ldmos		STAC780-4F	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-STAC1011-500			80	n通道			1µA		200 ma	500W	16dB														-																		50 V
STP70NS04ZC	-	RFQ	7508	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		STP70			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	497-STP70NS04ZC	Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道									33 V	80A（TC）	10V	11mohm @ 40a，10v	4V @ 1mA	58 NC @ 10 V	±20V	1930 pf @ 25 V	-	180W（TC）
STP10NM50N	-	RFQ	2083	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		STP10			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道									500 v	7A（TC）	10V	630MOHM @ 3.5A，10V	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±25V	450 pf @ 50 V	-	70W（TC）
STPST3H100AF	0.1497	RFQ	7626	Stmicroelectronics	Ecopack®2	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOD-128					肖特基		SOD128FLAT	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																						100 v		755 mv @ 3 a		5.7 µA @ 100 V	175°C	3a	-
STP310N10F7	5.8300	RFQ	8385	Stmicroelectronics	DeepGate™，diplfet™VII	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		STP310			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-13233-5	Ear99	8541.29.0095	50			n通道									100 v	180a（TC）	10V	2.7MOHM @ 60a，10v	3.8V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±20V	12800 PF @ 25 V	-	315W（TC）
STGW20V60DF	3.9100	RFQ	637	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		STGW20	标准			167 w	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-13763-5	Ear99	8541.29.0095	30					400V，20A，15V																						40 ns					沟渠场停止	600 v	40 a	80 a	2.2V @ 15V，20A	200µJ（在）上，130µJ（OFF）	116 NC	38NS/149NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6390）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²