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6390）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	（ih）（IH））	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	triac类型	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（vtm）（VTM）（最大）	（（av）（av））	当前 -关闭状态（最大）	scr	噪音图	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
STGE50NC60VD	-	RFQ	8007	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	STGE50			260 w	标准	同位素	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	单身的																																						-	600 v	90 a	2.5V @ 15V，40a		150 µA	不	4.55 NF @ 25 V
T1235H-600TRG	-	RFQ	3381	Stmicroelectronics	Snubberless™	管子	过时的		-40°C〜125°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	T1235					TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1,000	单身的				35 MA														替代者 -无用	600 v	12 a	1.3 v	120a，126a	35 MA
STP28NM50N	6.5300	RFQ	3581	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP28		MOSFET （金属 o化物）			TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-10712-5	Ear99	8541.29.0095	50			n通道						500 v	21a（TC）	10V	158mohm @ 10.5a，10v	4V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±25V	1735 PF @ 25 V	-	150W（TC）
2STC5948	-	RFQ	9220	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	2stc			200 w		to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-6958-5	Ear99	8541.29.0095	30																																								250 v	17 a			5µA（ICBO）			NPN	3V @ 800mA，8a	80 @ 1A，5V	25MHz
STL7LN65K5AG	3.0000	RFQ	5270	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL7LN65		MOSFET （金属 o化物）			PowerFlat™（5x6）VHV	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道						650 v	5A（TC）	10V	1.5OHM @ 2.5A，10V	5V @ 100µA	11.7 NC @ 10 V	±30V	270 pf @ 100 V	-	79W（TC）
T2650-6PF	2.8700	RFQ	200	Stmicroelectronics	Ecopack®2	管子	积极的		-40°C〜125°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3						to-3pf	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-T2650-6PF	Ear99	8541.30.0080	30	单身的				75 MA														替代者 -无用	600 v	26 a	1.3 v	260a，270a	50 mA
STP260N6F6	-	RFQ	1000	Stmicroelectronics	Deepgate™，diplfet™vi	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP260		MOSFET （金属 o化物）			TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道						60 V	120A（TC）	10V	3mohm @ 60a，10v	4V @ 250µA	183 NC @ 10 V	±20V	11400 PF @ 25 V	-	300W（TC）
STD7NM64N	2.0700	RFQ	2	Stmicroelectronics	MDMESH™II	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD7		MOSFET （金属 o化物）			DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道						640 v	5A（TC）	10V	1.05OHM @ 2.5A，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±25V	363 PF @ 50 V	-	60W（TC）
STI42N65M5	-	RFQ	7101	Stmicroelectronics	MDMESH™v	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	STI42N		MOSFET （金属 o化物）			i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道						650 v	33A（TC）	10V	79MOHM @ 16.5A，10V	5V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±25V	4650 pf @ 100 V	-	190w（TC）
STF26N60DM6	4.0900	RFQ	1047	Stmicroelectronics	MDMESH™DM6	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF26		MOSFET （金属 o化物）			TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-18496	Ear99	8541.29.0095	350			n通道						600 v	18A（TC）	10V	195mohm @ 9a，10v	4.75V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±25V	940 pf @ 100 V	-	30W（TC）
STW62N65M5	14.4700	RFQ	4549	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，MDMESH™V	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW62		MOSFET （金属 o化物）			TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道						650 v	46A（TC）	10V	49mohm @ 23A，10V	5V @ 250µA	142 NC @ 10 V	±25V	6420 PF @ 100 V	-	330W（TC）
STPS30SM80CT	-	RFQ	3092	Stmicroelectronics	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-3	STPS30		肖特基			TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																												1对普通阴极	80 V	15a	790 mv @ 15 A		40 µA @ 80 V	175°c （最大）
stth1210g	-	RFQ	8904	Stmicroelectronics	-	管子	过时的			表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	stth1210		标准			D2PAK	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																													1000 v		2 V @ 12 A	90 ns	10 µA @ 1000 V	175°c （最大）	12a	-
STPSC10H065DI	4.4400	RFQ	1	Stmicroelectronics	-	管子	积极的			通过洞	TO-220-2绝缘，TO-220AC	STPSC10		SIC （碳化硅）			TO-220AC INS	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																													650 v		1.75 V @ 10 A		100 µA @ 650 V	-40°C〜175°C	10a	-
PD55008-E	16.7700	RFQ	6843	Stmicroelectronics	-	管子	积极的	40 V			Powerso-10裸露的底部垫	PD55008	500MHz	ldmos			10-Powerso	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50				4a		150 ma	8W	17dB																					-														12.5 v
TS110-7A1-AP	0.8000	RFQ	1223	Stmicroelectronics	-	（CT）	积极的		-40°C〜125°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	TS110					TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	4,000					2 ma															700 v	1.25 a	800 mv	25a，27a	100 µA	1.4 v	800 MA	1 µA	标准恢复
STB100N10F7	2.8500	RFQ	3845	Stmicroelectronics	DeepGate™，diplfet™VII	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB100		MOSFET （金属 o化物）			d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道						100 v	80A（TC）	10V	8mohm @ 40a，10v	4.5V @ 250µA	61 NC @ 10 V	±20V	4369 PF @ 50 V	-	150W（TC）
Ferd30l60cg-Tr	1.4400	RFQ	108	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	Ferd30		（ferd （现场效应整流器二极管）			D²Pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000		没有恢复t> 500mA（IO）																												1对普通阴极	60 V	15a	545 mv @ 15 A		820 µA @ 60 V	150°C （最大）
STF11N65M5	2.2300	RFQ	9	Stmicroelectronics	MDMESH™v	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF11		MOSFET （金属 o化物）			TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道						650 v	9A（TC）	10V	480MOHM @ 4.5A，10V	5V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±25V	644 pf @ 100 V	-	25W（TC）
PD54008Tr-E	10.5270	RFQ	1847年	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	25 v			Powerso-10rf 暴露底部垫（ 2个形成的导线）	PD54008	500MHz	ldmos			Powerso-10rf （形成的铅）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	600				5a		150 ma	8W	11.5db																					-														7.5 v
STPS30L30DJF-Tr	1.5600	RFQ	493	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	8-Powervdfn	STPS30L30		肖特基			PowerFlat™（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																													30 V		510 MV @ 30 A		750 µA @ 30 V	150°C （最大）	30a	-
STL120N10F8	2.4600	RFQ	739	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn			MOSFET （金属 o化物）			PowerFlat™（5x6）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道						100 v	125A（TC）	10V	4.6mohm @ 60a，10v	4V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±20V	3600 PF @ 50 V	-	150W（TC）
STPSC806D	-	RFQ	7126	Stmicroelectronics	-	管子	积极的			通过洞	TO-220-2	STPSC806		SIC （碳化硅）			TO-220AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		没有恢复t> 500mA（IO）																													600 v		1.7 V @ 8 A	0 ns	100 µA @ 600 V	-40°C〜175°C	8a	450pf @ 0v，1MHz
TIP36CP	-	RFQ	7506	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	提示36			125 w		to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30																																								100 v	25 a			1ma			PNP	4V @ 5a，25a	10 @ 15a，4V	3MHz
T2035H-600TRG	-	RFQ	3554	Stmicroelectronics	Snubberless™	管子	过时的		-30°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	T2035					TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-6209-5	Ear99	8541.30.0080	50	单身的				35 MA														替代者 -无用	600 v	20 a	1.3 v	200a，210a	35 MA
TN1205T-600B	0.9009	RFQ	2036	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		-40°C〜125°C	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TN1205					DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	75					15 ma															600 v	12 a	1.3 v	115a，120a	5 ma	1.6 v	8 a	5 µA	标准恢复
STPST5H100AFY	0.6700	RFQ	8811	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，Ecopack®2	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOD-128	STPST5		肖特基			SOD128FLAT	-		（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																													100 v		680 mv @ 5 a		11.5 µA @ 100 V	-40°C〜175°C	5a	-
BTA16-600BRG	2.4600	RFQ	155	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		-40°C〜125°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	BTA16					TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	50	单身的				50 mA														标准	600 v	16 a	1.3 v	160a，168a	50 mA
PD57030	-	RFQ	6734	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	65 v			Powerso-10裸露的底部垫	PD57030	945MHz	ldmos			10-Powerso	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50				4a		50 mA	30W	14dB																					-														28 V
stth60l06cw	5.2100	RFQ	941	Stmicroelectronics	-	管子	积极的			通过洞	TO-247-3	stth60		标准			TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																												1对普通阴极	600 v	40a	1.55 V @ 30 A	90 ns	25 µA @ 600 V	175°c （最大）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6390）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²