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6390）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	电流 -最大	测试条件	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电阻 @ if，f	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
STGW75H65DFB2-4	8.2500	RFQ	54	Stmicroelectronics	HB2	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	STGW75	标准			357 w	TO-247-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-STGW75H65DFB2-4	Ear99	8541.29.0095	30						400V，75A，10欧姆，15V																88 ns					沟渠场停止	650 v	115 a	225 a	2V @ 15V，75a	（992µJ）（在），766µj（（（（（）	207 NC	22NS/121NS
STGW100H65FB2-4	8.8500	RFQ	68	Stmicroelectronics	HB2	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	STGW100	标准			441 w	TO-247-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-STGW100H65FB2-4	Ear99	8541.29.0095	30						400V，100A，3.3OHM，15V																					沟渠场停止	650 v	145 a	300 a	1.8V @ 15V，100a	1.06mj（在）上，1.14mj off）	288 NC	23ns/141ns
STW68N65DM6-4AG	12.3100	RFQ	9273	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，MDMESH™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	STW68			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-4	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	497-STW68N65DM6-4AG	Ear99	8541.29.0095	30			n通道						650 v	72A（TC）		39mohm @ 36a，10v	4.75V @ 250µA	118 NC @ 10 V	±25V	5900 PF @ 100 V	-	480W（TC）
STGB20H65FB2	0.8927	RFQ	1330	Stmicroelectronics	HB2	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	STGB20	标准			147 w	d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	497-STGB20H65FB2TR	Ear99	8541.29.0095	1,000						400V，20a，10ohm，15V																					沟渠场停止	650 v	40 a	60 a	2.1V @ 15V，20A	（265µJ）（在），214µJ（214µJ）中	56 NC	16ns/78.8ns
SCTW35N65G2VAG	19.4800	RFQ	2835	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101	管子	积极的		-55°C 200°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SCTW35			sicfet （碳化硅）		HIP247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-SCTW35N65G2VAG	Ear99	8541.29.0095	30			n通道						650 v	45A（TC）	18V，20V	67mohm @ 20a，20v	5V @ 1mA	73 NC @ 20 V	+22V，-10V	1370 pf @ 400 V	-	240W（TC）
STGF30NC60S	-	RFQ	3332	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STGF30	标准			40 W	TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50						480V，20A，10欧姆，15V																					-	600 v	22 a	150 a	1.9V @ 15V，20A	（300µJ）（在1.28mj）上	96 NC	21.5NS/180NS
STGWA50H65DFB2	4.3600	RFQ	2892	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STGWA50	标准			272 w	TO-247长铅	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-STGWA50H65DFB2	Ear99	8541.29.0095	600						400V，50a，4.7Ohm，15V																92 ns					沟渠场停止	650 v	86 a	150 a	2V @ 15V，50a	910µJ（在）上，580µJ off）	151 NC	28NS/115NS
STD70R1K3S	0.2705	RFQ	3457	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	STD70			MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-STD70R1K3S	Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道						700 v	5A（TC）	10V	1.4OHM @ 1.75a，10V	3.75V @ 250µA	4.1 NC @ 10 V	±25V	175 pf @ 100 V	-	77W（TC）
STW52N60DM6	5.0695	RFQ	6613	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW52			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-STW52N60DM6	Ear99	8541.29.0095	600			n通道						600 v	45A（TC）	10V	74mohm @ 22.5a，10v	4.75V @ 250µA	52 NC @ 10 V	±25V	2468 PF @ 100 V	-	357W（TC）
STD12N60M6	1.0473	RFQ	7177	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD12			MOSFET （金属 o化物）		DPAK（（TO-252）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-STD12N60M6	Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道						600 v	9A（TC）	10V	450MOHM @ 4.5A，10V	4.75V @ 250µA	12.3 NC @ 10 V	±25V	452 PF @ 100 V	-	96W（TC）
RF5L05950CF2	135.0000	RFQ	1643年	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的	50 V		表面安装	C2	RF5L05950		1.5GHz	ldmos		C2	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-RF5L05950CF2			100	n通道			-			2500W	50dB											-
STL195N4F7AG	1.0548	RFQ	2614	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的					STL195						-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-STL195N4F7AG			3,000
STD127DT4	-	RFQ	6058	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD12				35 w	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500																												400 v	4 a								250µA		NPN	1.3V @ 1A，4A	10 @ 1A，5V	-
STF4N90K5	2.1200	RFQ	922	Stmicroelectronics	MDMESH™K5	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STF4N90			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-17071	Ear99	8541.29.0095	50			n通道						900 v	4A（TC）	10V	2.1OHM @ 1A，10V	5V @ 100µA	5.3 NC @ 10 V	±30V	173 PF @ 100 V	-	20W（TC）
STGWT60H60DLFB	-	RFQ	6845	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	STGWT60	标准			375 w	to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30						400V，60a，5ohm，15V																					沟渠场停止	600 v	80 a	240 a	2V @ 15V，60a	626µJ（OFF）	306 NC	- /160NS
STGP10NC60HD	1.7400	RFQ	6488	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STGP10	标准			65 w	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-5118-5	Ear99	8541.29.0095	50						390V，5A，10欧姆，15V																22 ns					-	600 v	20 a	30 a	2.5V @ 15V，5A	31.8µJ（在）上，95µJ（（）	19.2 NC	14.2NS/72NS
STD85N10F7AG	2.3200	RFQ	2	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD85			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道						100 v	70A（TC）	10V	10mohm @ 40a，10v	4.5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	3100 pf @ 50 V	-	85W（TC）
stth25m06fp	1.5400	RFQ	1	Stmicroelectronics	Ecopack®2	管子	积极的			通过洞	TO-220-2完整包	stth25			标准		TO-220FPAC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-STTH25M06FP	Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																		600 v	3.4 V @ 25 A	50 ns	60 µA @ 600 V	175°c （最大）	25a	-
STB30N80K5	7.9600	RFQ	1	Stmicroelectronics	MDMESH™K5	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	STB30			MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道						800 v	24A（TC）	10V	180mohm @ 12a，10v	5V @ 100µA	43 NC @ 10 V	±30V	1530 pf @ 100 V	-	250W（TC）
BD678	1.0600	RFQ	1032	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD678				40 W	SOT-32-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																												60 V	4 a								500µA		pnp-达灵顿	2.5V @ 30mA，1.5a	750 @ 1.5A，3V	-
DMV1500HDFD6	-	RFQ	6264	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		-		TO-220-3完整包	DMV1500					TO-220FPAB FD6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	675					6 a																					-									标准-1对系列连接	1500V		-
STB70NFS03LT4	-	RFQ	6147	Stmicroelectronics	StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	STB70N			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1026-STB70NFS03LT4	Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道						30 V	70A（TC）	5V，10V	9.5MOHM @ 35A，10V	1V @ 250µA	30 NC @ 5 V	±18V	1440 pf @ 25 V	-	100W（TC）
STL19N65M5	2.5800	RFQ	2	Stmicroelectronics	MDMESH™v	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL19			MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™（8x8）HV	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道						650 v	2.3a（ta），12.5a tc）	10V	240MOHM @ 7.5A，10V	5V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±25V	1240 pf @ 100 V	-	2.8W（ta），90W（90W）TC）
stl4p3llh6	0.6200	RFQ	4	Stmicroelectronics	DeepGate™，脱衣Fet™H6	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	6 PowerWDFN	stl4p3			MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-15510-2	Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道						30 V	4A（ta）	4.5V，10V	56mohm @ 2a，10v	2.5V @ 250µA	6 NC @ 4.5 V	±20V	639 pf @ 25 V	-	2.4W（TA）
STGWA75M65DF2	7.2800	RFQ	82	Stmicroelectronics	m	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STGWA75	标准			468 w	TO-247长铅	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-16975	Ear99	8541.29.0095	30						400V，75A，3.3OHM，15V																165 ns					沟渠场停止	650 v	120 a	225 a	2.1V @ 15V，75a	（690µJ）（在），2.54mj coft）	225 NC	47NS/125NS
STD7NM60N	2.1700	RFQ	2	Stmicroelectronics	MDMESH™II	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD7NM60			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道						600 v	5A（TC）	10V	900mohm @ 2.5a，10v	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±25V	363 PF @ 50 V	-	45W（TC）
STN1NF10	0.7600	RFQ	156	Stmicroelectronics	StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	STN1N			MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-14747-6	Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道						100 v	1A（TC）	10V	800mohm @ 500mA，10v	4V @ 250µA	6 NC @ 10 V	±20V	105 pf @ 25 V	-	2.5W（TC）
STP12N120K5	11.3400	RFQ	7545	Stmicroelectronics	MDMESH™K5	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP12			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道						1200 v	12A（TC）	10V	690MOHM @ 6A，10V	5V @ 100µA	44.2 NC @ 10 V	±30V	1370 pf @ 100 V	-	250W（TC）
STP21N90K5	6.6600	RFQ	8586	Stmicroelectronics	SuperMesh5™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP21			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-12864-5	Ear99	8541.29.0095	50			n通道						900 v	18.5A（TC）	10V	299MOHM @ 9A，10V	5V @ 100µA	43 NC @ 10 V	±30V	1645 PF @ 100 V	-	250W（TC）
STD11N60M2-EP	-	RFQ	8305	Stmicroelectronics	MDMESH™M2-EP	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD11			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道						600 v	7.5A（TC）	10V	595MOHM @ 3.75A，10V	4.75V @ 250µA	12.4 NC @ 10 V	±25V	390 pf @ 100 V	-	85W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6390）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²