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6390）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	电流 -峰值输出	fet	（amp）	（ih）（IH））	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	triac类型	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	电压 -崩溃	噪音图	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）	当前 -崩溃
BTA06-400CRG	1.5200	RFQ	2	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		-40°C〜125°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	BTA06				TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	50	单身的					25 ma														标准	400 v	6 a	1.3 v	60a，63a	25 ma
STF826	-	RFQ	5634	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	STF826			1.4 w	SOT-89-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500																																			30 V	3 a		100µA	PNP	1.1V @ 150mA，3a	100 @ 100mA，2V	100MHz
STFI26NM60N	-	RFQ	2529	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3完整包，i²pak	STFI26N		MOSFET （金属 o化物）		I2PAKFP（to-281）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50				n通道						600 v	20A（TC）	10V	165mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±25V	1800 PF @ 50 V	-	35W（TC）
STB13007DT4	1.3200	RFQ	7592	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB13007			80 W	D²Pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000																																			400 v	8 a		100µA	NPN	3V @ 1a，5a	8 @ 5a，5v	-
SMBYT01-400	-	RFQ	1642	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	DO-214AA，SMB	Smbyt		标准		SMB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																										400 v	1.5 V @ 1 A	60 ns	10 µA @ 400 V	-40°C〜150°C	1a	-
STP14NK60Z	-	RFQ	5984	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP14N		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000				n通道						600 v	13.5A（TC）	10V	500mohm @ 6a，10v	4.5V @ 100µA	75 NC @ 10 V	±30V	2220 PF @ 25 V	-	160W（TC）
STP46NF30	3.7100	RFQ	5655	Stmicroelectronics	StripFet™II	管子	积极的		175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP46		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-13442	Ear99	8541.29.0095	50				n通道						300 v	42A（TC）	10V	75mohm @ 17a，10v	4V @ 250µA	90 NC @ 10 V	±20V	3200 PF @ 25 V	-	300W（TC）
STN4NF06L	0.9500	RFQ	7113	Stmicroelectronics	StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	STN4NF06		MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000				n通道						60 V	4A（TC）	5V，10V	100mohm @ 1.5A，10V	2.8V @ 250µA	9 NC @ 5 V	±16V	340 pf @ 25 V	-	3.3W（TC）
STD6N52K3	1.7000	RFQ	2	Stmicroelectronics	SuperMesh3™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD6		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500				n通道						525 v	5A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.5A，10V	4.5V @ 100µA		±30V		-	70W（TC）
STD7N60M2	1.5900	RFQ	14	Stmicroelectronics	MDMESH™II Plus	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD7N60		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500				n通道						600 v	5A（TC）	10V	950MOHM @ 2.5A，10V	4V @ 250µA	8.8 NC @ 10 V	±25V	271 PF @ 100 V	-	60W（TC）
STP20NE06L	-	RFQ	7865	Stmicroelectronics	StripFet™	管子	过时的		175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP20N		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	497-2764-5	Ear99	8541.29.0095	50				n通道						60 V	20A（TC）	5V，10V	70mohm @ 10a，10v	1V @ 250µA	20 nc @ 5 V	±20V	800 pf @ 25 V	-	70W（TC）
Bul128-K	-	RFQ	9546	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Bul128			70 W	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250																																			400 v	4 a		200µA	NPN	500MV @ 1A，4A	14 @ 2a，5v	-
T1635T-8G-Tr	1.2000	RFQ	4954	Stmicroelectronics	Snubberless™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	T1635				D²Pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-18389-1	Ear99	8541.30.0080	1,000	单身的					45 MA														替代者 -无用	800 v	16 a	1.3 v	120a，126a	35 MA
T1050H-6I	0.6000	RFQ	1623年	Stmicroelectronics	Snubberless™	管子	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	T1050				TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	2,000	单身的					75 MA														替代者 -无用	600 v	10 a	1 V	100a，105a	50 mA
BTA25-600BW	8.7400	RFQ	6074	Stmicroelectronics	Snubberless™	管子	积极的		-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	RD91-3 （绝缘）	BTA25				RD91	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	25	单身的					75 MA														替代者 -无用	600 v	25 a	1.3 v	250a，260a	50 mA
SD1488	-	RFQ	1882年	Stmicroelectronics	-	大部分	过时的		200°C（TJ）	表面安装	M111	SD1488			117W	M111	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25									5.8db																										16V	8a			NPN		20 @ 1a，5v	-	-
STP5N60M2	1.5800	RFQ	47	Stmicroelectronics	MDMESH™II Plus	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP5N60		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50				n通道						600 v	3.7A（TC）	10V	1.4OHM @ 1.85a，10V	4V @ 250µA	4.5 NC @ 10 V	±25V	165 pf @ 100 V	-	45W（TC）
T2035H-6I	1.8800	RFQ	1	Stmicroelectronics	Snubberless™	管子	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	T2035				TO-220AB全盘	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	50	单身的					35 MA														替代者 -无用	600 v	20 a	1 V	200a，210a	35 MA
STB200NF04T4	-	RFQ	3344	Stmicroelectronics	StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB200N		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000				n通道						40 V	120A（TC）	10V	3.7MOHM @ 90A，10V	4V @ 250µA	210 NC @ 10 V	±20V	5100 PF @ 25 V	-	310W（TC）
PD54008S-E	-	RFQ	9915	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	25 v			Powerso-10裸露的底部垫	PD54008	500MHz	ldmos		Powerso-10rf （直线直线）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50					5a		150 ma	8W	11.5db																		-										7.5 v
STPS20M120STN	-	RFQ	3644	Stmicroelectronics	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-3	STPS20		肖特基		TO-220AB狭窄的铅	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																										120 v	840 mv @ 20 a		275 µA @ 120 V	150°C （最大）	20a	-
STB20N90K5	6.7300	RFQ	995	Stmicroelectronics	MDMESH™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB20		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000				n通道						900 v	20A（TC）	10V	250mohm @ 10a，10v	5V @ 100µA	40 NC @ 10 V	±30V	1500 pf @ 100 V	-	250W（TC）
Stu4n80k5	1.6400	RFQ	2	Stmicroelectronics	SuperMesh5™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	Stu4n80		MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75				n通道						800 v	3A（TC）	10V	2.5OHM @ 1.5A，10V	5V @ 100µA	10.5 NC @ 10 V	±30V	175 pf @ 100 V	-	60W（TC）
STP80N10F7	-	RFQ	4993	Stmicroelectronics	DeepGate™，diplfet™VII	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP80		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50				n通道						100 v	80A（TC）	10V	10mohm @ 40a，10v	4.5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	3100 pf @ 50 V	-	110W（TC）
MD2310FX	-	RFQ	6897	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	MD2310			62 W	to-3pf	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30																																			700 v	14 a		200µA	NPN	2.5V @ 1.75a，7a	6 @ 7a，5v	-
STI13005-1	0.9200	RFQ	2	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	STI1300			30 W	TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75																																			400 v	3 a		1ma	NPN	5V @ 750mA，3a	8 @ 2a，5v	-
LIC01-215H	1.1121	RFQ	8236	Stmicroelectronics	ASD™	管子	积极的		-20°C〜125°C（TJ）		TO-251-3，IPAK，TO-251AA	LIC01				我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	3,000			1.2 a			50 mA																				215〜255V																		500 µA
STB8NM60T4	3.3900	RFQ	6183	Stmicroelectronics	MDMESH™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB8NM60		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000				n通道						650 v	8A（TC）	10V	1欧姆 @ 2.5A，10V	5V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±30V	400 pf @ 25 V	-	100W（TC）
STB25NF06LAG	1.2500	RFQ	1	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB25N		MOSFET （金属 o化物）		D²Pak	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000				n通道						60 V	20A（TC）	5V，10V	-	-	14 NC @ 10 V	-		-	-
STD12N60DM6	2.1600	RFQ	9176	Stmicroelectronics	MDMESH™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD12		MOSFET （金属 o化物）		D-pak（TO-252）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-STD1N60DM6TR	Ear99	8541.29.0095	2,500				n通道						600 v	10A（TC）		390MOHM @ 5A，10V	4.75V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±25V	508 PF @ 100 V	-	90W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6390）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²