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6390）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
STP310N10F7	5.8300	RFQ	8385	Stmicroelectronics	DeepGate™，diplfet™VII	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP310			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-13233-5	Ear99	8541.29.0095	50			n通道						100 v	180a（TC）	10V	2.7MOHM @ 60a，10v	3.8V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±20V	12800 PF @ 25 V	-	315W（TC）
STGW20V60DF	3.9100	RFQ	637	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STGW20	标准			167 w	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-13763-5	Ear99	8541.29.0095	30					400V，20A，15V																			40 ns			沟渠场停止	600 v	40 a	80 a	2.2V @ 15V，20A	200µJ（在）上，130µJ（OFF）	116 NC	38NS/149NS
SCTWA90N65G2V-4	38.0100	RFQ	2556	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		-55°C 200°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SCTWA90			sicfet （碳化硅）		HIP247™长铅	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	497-SCTWA90N65G2V-4	Ear99	8541.29.0095	30			n通道						650 v	119a（TC）		24mohm @ 50a，18v	5V @ 1mA	157 NC @ 18 V	+22V，-10V	3380 pf @ 400 V	-	565W（TC）
STD90NS3LLH7	-	RFQ	9992	Stmicroelectronics	StripFet™H7	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD90			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道						30 V	80A（TC）	4.5V，10V	3.4mohm @ 40a，10v	1.2V @ 1mA	13.7 NC @ 4.5 V	±20V	2110 PF @ 25 V	（（（）	57W（TC）
STP7NM80	-	RFQ	3483	Stmicroelectronics	MDMESH™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP7N			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道						800 v	6.5A（TC）	10V	1.05OHM @ 3.25A，10V	5V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±30V	620 pf @ 25 V	-	90W（TC）
STW30N65M5	6.3400	RFQ	588	Stmicroelectronics	MDMESH™v	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW30			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道						650 v	22a（TC）	10V	139mohm @ 11a，10v	5V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±25V	2880 pf @ 100 V	-	140W（TC）
STP95N04	-	RFQ	2758	Stmicroelectronics	StripFet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP95			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-5132-5	Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道						40 V	80A（TC）	10V	6.5MOHM @ 40a，10v	4V @ 250µA	54 NC @ 10 V	±20V	2200 PF @ 25 V	-	110W（TC）
Stu16n65m5	4.1500	RFQ	5	Stmicroelectronics	MDMESH™v	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	Stu16n			MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道						650 v	12A（TC）	10V	299MOHM @ 6A，10V	5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±25V	1250 pf @ 100 V	-	90W（TC）
STP33N60DM2	5.2100	RFQ	7950	Stmicroelectronics	MDMESH™DM2	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	stp33			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-16352-5	Ear99	8541.29.0095	50			n通道						600 v	24A（TC）	10V	130mohm @ 12a，10v	5V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±25V	1870 pf @ 100 V	-	190w（TC）
STL18N65M5	3.3100	RFQ	45	Stmicroelectronics	MDMESH™v	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL18			MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道						650 v	15A（TC）	10V	240MOHM @ 7.5A，10V	5V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±25V	1240 pf @ 100 V	-	57W（TC）
STF9NK80Z	-	RFQ	8251	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF9			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	497-5108-5	Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道						800 v	7.5A（TC）	10V	1.2OHM @ 3.75A，10V	4.5V @ 100µA	84 NC @ 10 V	±30V	1900 pf @ 25 V	-	35W（TC）
STL75N3LLZH5	-	RFQ	4928	Stmicroelectronics	StripFet™v	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL75			MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道						30 V	75A（TC）	4.5V，10V	6.1MOHM @ 9.5A，10V	1V @ 250µA	11.8 NC @ 4.5 V	±18V	1510 PF @ 25 V	-	60W（TC）
STD4NK50ZD	-	RFQ	1768年	Stmicroelectronics	SuperMesh™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD4N			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道						500 v	3A（TC）	10V	2.7OHM @ 1.5A，10V	4.5V @ 50µA	12 nc @ 10 V	±30V	310 pf @ 25 V	-	45W（TC）
BD679	0.5400	RFQ	4	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD679				40 W	SOT-32-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-5776	Ear99	8541.29.0095	50																												80 V	4 a							500µA	npn-达灵顿	2.5V @ 30mA，1.5a	750 @ 1.5A，3V	-
STD150NH02L-1	-	RFQ	5228	Stmicroelectronics	StripFet™III	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	STD15			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道						24 V	150a（TC）	5V，10V	3.5MOHM @ 75A，10V	1.8V @ 250µA	93 NC @ 10 V	±20V	4450 pf @ 15 V	-	125W（TC）
STW48N60DM2	10.6600	RFQ	4222	Stmicroelectronics	MDMESH™DM2	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW48			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道						600 v	40a（TC）	10V	79mohm @ 20a，10v	5V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±25V	3250 pf @ 100 V	-	300W（TC）
STW75NF20	4.9700	RFQ	5545	Stmicroelectronics	StripFet™	管子	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW75			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-5959-5	Ear99	8541.29.0095	30			n通道						200 v	75A（TC）	10V	34mohm @ 37A，10V	4V @ 250µA	84 NC @ 10 V	±20V	3260 pf @ 25 V	-	190w（TC）
STD2NK90Z-1	1.9700	RFQ	2	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	STD2			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道						900 v	2.1A（TC）	10V	6.5OHM @ 1.05a，10V	4.5V @ 50µA	27 NC @ 10 V	±30V	485 pf @ 25 V	-	70W（TC）
STB18N60DM2	2.9500	RFQ	1	Stmicroelectronics	MDMESH™DM2	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB18			MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道						600 v	12A（TC）	10V	295MOHM @ 6A，10V	5V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±25V	800 pf @ 100 V	-	90W（TC）
STW69N65M5-4	13.1900	RFQ	510	Stmicroelectronics	MDMESH™v	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	STW69			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-4L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-14039-5	Ear99	8541.29.0095	30			n通道						650 v	58A（TC）	10V	45mohm @ 29a，10v	5V @ 250µA	143 NC @ 10 V	±25V	6420 PF @ 100 V	-	330W（TC）
STD30NF06	-	RFQ	4358	Stmicroelectronics	StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD30N			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道						60 V	28a（TC）	10V	28mohm @ 15a，10v	4V @ 250µA	58 NC @ 10 V	±20V	1750 pf @ 25 V	-	70W（TC）
Stu60N3LH5	-	RFQ	3426	Stmicroelectronics	StripFet™v	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	Stu60n			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道						30 V	48A（TC）	5V，10V	8.4MOHM @ 24A，10V	3V @ 250µA	8.8 NC @ 5 V	±20V	1620 PF @ 25 V	-	60W（TC）
STW10N105K5	4.6500	RFQ	2143	Stmicroelectronics	MDMESH K5	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW10			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道						1050 v	6A（TC）	10V	1.3OHM @ 3A，10V	5V @ 100µA	21.5 NC @ 10 V	30V	545 pf @ 100 V	-	130W（TC）
STB45N30M5	6.9800	RFQ	262	Stmicroelectronics	MDMESH™M5	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB45			MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道						300 v	53A（TC）	10V	40mohm @ 26.5a，10v	5V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±25V	4240 pf @ 100 V	-	250W（TC）
STB9NK80Z	2.4000	RFQ	5734	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，SuperMesh™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB9			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道						800 v	5.2A（TC）	10V	1.8OHM @ 2.6a，10V	4.5V @ 100µA	40 NC @ 10 V	±30V	1138 PF @ 25 V	-	125W（TC）
STB200NF04L	-	RFQ	7216	Stmicroelectronics	StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB200N			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道						40 V	120A（TC）	5V，10V	3.5MOHM @ 50a，10v	4V @ 250µA	90 NC @ 4.5 V	±16V	6400 PF @ 25 V	-	300W（TC）
SD2933-03	-	RFQ	6460	Stmicroelectronics	-	托盘	过时的	125 v			M177	SD2933		30MHz	MOSFET		M177	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	n通道			40a		250 MA	300W	23.5db											-																50 V
STW56N65DM2	11.7000	RFQ	375	Stmicroelectronics	MDMESH™DM2	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW56			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道						650 v	48A（TC）	10V	65MOHM @ 24A，10V	5V @ 250µA	88 NC @ 10 V	±25V	4100 PF @ 100 V	-	360W（TC）
STLD125N4F6AG	3.4400	RFQ	2983	Stmicroelectronics	StripFet™F6	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	STLD125			MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-17147-2	Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道						40 V	120A（TC）	6.5V，10V	3mohm @ 75a，10v	4V @ 1mA	91 NC @ 10 V	±20V	5600 PF @ 10 V	-	130W（TC）
STPS40M80CR	-	RFQ	2650	Stmicroelectronics	-	管子	过时的			通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	STPS40			肖特基		i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																		1对普通阴极	80 V	20a	735 mv @ 20 a		65 µA @ 80 V	175°c （最大）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6390）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²