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6390）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	测试条件	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	triac类型	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
STGB30M65DF2	3.3700	RFQ	59	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		STGB30	标准		258 w	d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000					400V，30a，10ohm，15V																						140 ns					沟渠场停止	650 v	60 a	120 a	2V @ 15V，30a	（300µJ）（在960µJ上）	80 NC	31.6ns/115ns
STW28N60DM2	4.2200	RFQ	3	Stmicroelectronics	MDMESH™DM2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		STW28		MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道						600 v	21a（TC）	10V	160MOHM @ 10.5a，10V	5V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±25V	1500 pf @ 100 V	-	170W（TC）
STGW40NC60KD	5.2600	RFQ	9530	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		STGW40	标准		250 w	TO-247长铅	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-8441-5	Ear99	8541.29.0095	30					480V，30a，10ohm，15V																						45 ns					-	600 v	70 a	220 a	2.7V @ 15V，30a	（595µJ）（在716µJ上）	135 NC	46NS/164NS
STGW60H65DF	-	RFQ	5038	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		STGW60	标准		360 w	TO-247-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30					400V，60a，10ohm，15V																						62 ns					沟渠场停止	650 v	120 a	240 a	1.9V @ 15V，60a	1.5MJ（在）上，1.1MJ off）	206 NC	67NS/165NS
stipn1m50t-h	7.3200	RFQ	467	Stmicroelectronics	Sllimm™	管子	上次购买		通过洞	26-PowerDip 模块（0.846英寸，21.48毫米）	MOSFET	stipn1					下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	17	3相逆变器					1 a	500 v	1000vrms
STGWA40HP65FB2	4.7900	RFQ	43	Stmicroelectronics	HB2	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		STGWA40	标准		227 w	TO-247长铅	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-19059	Ear99	8541.29.0095	30					400V，40a，4.7Ohm，15V																						140 ns					沟渠场停止	650 v	72 a	120 a	2V @ 15V，40a	410µJ（离）	153 NC	- /125ns
STW60NM50N	17.9700	RFQ	5	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		stw60n		MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道						500 v	68A（TC）	10V	43mohm @ 34a，10v	4V @ 250µA	178 NC @ 10 V	±25V	5790 pf @ 100 V	-	446W（TC）
STGW60H65F	-	RFQ	2073	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		STGW60	标准		360 w	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-12422	Ear99	8541.29.0095	30					400V，60a，10ohm，15V																											沟渠场停止	650 v	120 a	240 a	1.9V @ 15V，60a	（750µJ）（在1.05MJ上）	217 NC	65NS/180NS
stth80S06W	-	RFQ	4547	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		通过洞	DO-247-2 （直线直线）		stth80		标准		DO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																							600 v	2.2 V @ 20 A	75 ns	50 µA @ 600 V	-40°C〜175°C	80a	-
STP14NM50N	4.0100	RFQ	919	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		STP14		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-10650-5	Ear99	8541.29.0095	50			n通道						500 v	12A（TC）	10V	320MOHM @ 6A，10V	4V @ 100µA	27 NC @ 10 V	±25V	816 pf @ 50 V	-	90W（TC）
STW25N80K5	6.5900	RFQ	9365	Stmicroelectronics	SuperMesh5™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		STW25		MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道						800 v	19.5A（TC）	10V	260mohm @ 19.5a，10v	5V @ 100µA	40 NC @ 10 V	±30V	1600 PF @ 100 V	-	250W（TC）
stth2004fp	0.8075	RFQ	9634	Stmicroelectronics	-	管子	不适合新设计					Stth2004					-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-STTH2004FP	Ear99	8541.10.0080	1,000
STW20N90K5	7.3600	RFQ	582	Stmicroelectronics	MDMESH™K5	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		STW20		MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-17089	Ear99	8541.29.0095	30			n通道						900 v	20A（TC）	10V	250mohm @ 10a，10v	5V @ 100µA	40 NC @ 10 V	±30V	1500 pf @ 100 V	-	250W（TC）
STFI11N60M2-EP	-	RFQ	3879	Stmicroelectronics	MDMESH™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3完整包，i²pak		stfi11n		MOSFET （金属 o化物）		I2PAKFP（to-281）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道						600 v	7.5A（TC）	10V	595MOHM @ 3.75A，10V	4.75V @ 250µA	12.4 NC @ 10 V	±25V	390 pf @ 100 V	-	25W（TC）
STP40N65M2	5.8900	RFQ	37	Stmicroelectronics	MDMESH™M2	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		STP40		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-15561-5	Ear99	8541.29.0095	50			n通道						650 v	32A（TC）	10V	99mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	56.5 NC @ 10 V	±25V	2355 PF @ 100 V	-	250W（TC）
STPS3L60UFN	0.5000	RFQ	3886	Stmicroelectronics	Ecopack®2	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	DO-221AA，SMB平面线		STPS3		肖特基		Smbflat Notch	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																							60 V	620 mv @ 3 a		150 ma @ 60 V	150°C	3a	-
STGIF5CH60TS-XZ	9.6757	RFQ	2407	Stmicroelectronics	Sllimm -第二	大部分	积极的		通过洞	26-PowerDip 模块（1.146英寸，29.10mm）	IGBT	stgif5					-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-STGIF5CH60TS-XZ	Ear99	8542.39.0001	156	3相逆变器					8 a	600 v	1600vrms
STT5PF20V	-	RFQ	2918	Stmicroelectronics	StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6		stt5p		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道						20 v	5A（TC）	2.5V，4.5V	80MOHM @ 2.5A，4.5V	450mv @ 250µA（250µA））	4.5 NC @ 2.5 V	±8V	412 PF @ 15 V	-	1.6W（TC）
STGB10NC60HDT4	1.8000	RFQ	888	Stmicroelectronics	PowerMesh™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		STGB10	标准		65 w	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000					390V，5A，10欧姆，15V																						22 ns					-	600 v	20 a	30 a	2.5V @ 15V，5A	31.8µJ（在）上，95µJ（（）	19.2 NC	14.2NS/72NS
STIPQ3M60T-HL	10.0700	RFQ	34	Stmicroelectronics	Sllimm™	管子	积极的		通过洞	26-PowerDip 模块（ 0.573英寸，14.50mm）	MOSFET	stipq3					下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	15	3相逆变器					80 ma	600 v	1500vrms
T2035H-8G-Tr	0.8440	RFQ	8787	Stmicroelectronics	Ecopack®2	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		T2035				D²Pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-T2035H-8G-Tr	Ear99	8541.30.0080	1,000	单身的			35 MA															替代者 -无用	800 v	20 a	1.3 v	200a，210a	35 MA
STN1NF10	0.7600	RFQ	156	Stmicroelectronics	StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		STN1N		MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-14747-6	Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道						100 v	1A（TC）	10V	800mohm @ 500mA，10v	4V @ 250µA	6 NC @ 10 V	±20V	105 pf @ 25 V	-	2.5W（TC）
stgif10ch60s-lz	10.9276	RFQ	9331	Stmicroelectronics	Sllimm -第二	大部分	积极的		通过洞	26-PowerDip模块	IGBT	STGIF10					-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-STGIF10CH60S-LZ	Ear99	8542.39.0001	156	3相逆变器					15 a	600 v	1600vrms
STGWT40H60DLFB	4.3000	RFQ	445	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		STGWT40	标准		283 w	to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30					400V，40a，10ohm，15V																											沟渠场停止	600 v	80 a	160 a	2V @ 15V，40a	363µJ（OFF）	210 NC	- /142ns
STPST2H100ZFY	0.3800	RFQ	3	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，Ecopack®2	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOD-123F		STPST2		肖特基		SOD-123F	-		（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																							100 v	805 mv @ 2 a		2.7 µA @ 100 V	-40°C〜175°C	2a	-
FERD15S50DJF-TR	0.9200	RFQ	1	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	8-Powervdfn		Ferd15		（ferd （现场效应整流器二极管）		PowerFlat™（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																							50 V	480 mv @ 10 A		650 µA @ 50 V	150°C （最大）	15a	-
STPS2H100AFY	0.4500	RFQ	6	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，Ecopack®2	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOD-128				肖特基		SOD128FLAT	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																							100 v	790 mv @ 2 a		1 µA @ 100 V	-40°C〜175°C	2a	-
STD134N4F7AG	2.0800	RFQ	2058	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		STD134		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道						40 V	80A（TC）	10V	3.5MOHM @ 40a，10v	4V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±20V	2790 pf @ 25 V	-	134W（TC）
BAR28	-	RFQ	2861	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		BAR28		肖特基		do-35	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	4,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																							70 v	1 V @ 15 mA		200 na @ 50 V	-65°C 〜200°C	15mA	2pf @ 0v，1MHz
STW6N120K3	-	RFQ	1104	Stmicroelectronics	SuperMesh3™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		stw6n		MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-12124	Ear99	8541.29.0095	30			n通道						1200 v	6A（TC）	10V	2.4OHM @ 2.5a，10v	5V @ 100µA	34 NC @ 10 V	±30V	1050 pf @ 100 V	-	150W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6390）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²