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6390）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	（ih）（IH））	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	triac类型	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（vtm）（VTM）（最大）	（（av）（av））	当前 -关闭状态（最大）	scr	噪音图	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
stth4r02d	-	RFQ	2841	Stmicroelectronics	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-2	stth4r02			标准		TO-220AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-5281-5	Ear99	8541.10.0080	1,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																														200 v		1.05 V @ 4 A	30 ns	3 µA @ 200 V	175°c （最大）	4a	-
T2550-12G	4.0900	RFQ	27	Stmicroelectronics	Snubberless™	管子	积极的		-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	T2550					D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	50	单身的				60 ma															替代者 -无用	1.2 kV	25 a	1.3 v	240a，252a	50 mA
STGWA20H65DFB2	3.1000	RFQ	52	Stmicroelectronics	HB2	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STGWA20	标准			147 w	TO-247长铅	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-STGWA20H65DFB2	Ear99	8541.29.0095	30						400V，20a，10ohm，15V																													215 ns					沟渠场停止	650 v	40 a	60 a	2.1V @ 15V，20A	（265µJ）（在），214µJ（214µJ）中	56 NC	16ns/78.8ns
stth1202di	2.5700	RFQ	172	Stmicroelectronics	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-2绝缘，TO-220AC	Stth120			标准		TO-220AC INS	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																														200 v		1.1 V @ 12 A	35 ns	10 µA @ 200 V	175°c （最大）	12a	-
STP11NM80	6.3500	RFQ	7267	Stmicroelectronics	MDMESH™	管子	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP11			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-4369-5	Ear99	8541.29.0095	50			n通道							800 v	11A（TC）	10V	400MOHM @ 5.5A，10V	5V @ 250µA	43.6 NC @ 10 V	±30V	1630 PF @ 25 V	-	150W（TC）
TN1215-800H	1.2600	RFQ	3294	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		-40°C〜125°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TN1215					IPAK（to-251）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	75					40 MA																800 v	12 a	1.3 v	110a，115a	15 ma	1.6 v	8 a	5 µA	标准恢复
STW75N60DM6	13.7100	RFQ	375	Stmicroelectronics	MDMESH™DM6	管子	积极的		-	通过洞	TO-247-3	STW75			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	600			n通道							600 v	72A（TC）	-	-	-		±25V		-	-
STP160N4LF6	-	RFQ	3908	Stmicroelectronics	Deepgate™，diplfet™vi	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP160			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-15556-5	Ear99	8541.29.0095	50			n通道							40 V	120A（TC）	5V，10V	2.9MOHM @ 60a，10v	1V @ 250µA（250µA）	181 NC @ 10 V	±20V	8130 PF @ 20 V	-	150W（TC）
STBR3012G2-Tr	2.7600	RFQ	2886	Stmicroelectronics	Ecopack®2	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STBR3012			标准		D2PAK HV	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																														1200 v		1.3 V @ 30 A		2 µA @ 1200 V	175°c （最大）	30a	-
STF25N60M2-EP	2.8600	RFQ	360	Stmicroelectronics	MDMESH™M2-EP	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF25			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-15886-5	Ear99	8541.29.0095	50			n通道							600 v	18A（TC）	10V	188MOHM @ 9A，10V	4.75V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±25V	1090 pf @ 100 V	-	30W（TC）
STPS2045CT	1.9500	RFQ	2	Stmicroelectronics	-	管子	积极的			通过洞	TO-220-3	STPS2045			肖特基		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																													1对普通阴极	45 v	10a	570 mv @ 10 A		100 µA @ 45 V	175°c （最大）
STW45NM60	14.0100	RFQ	4086	Stmicroelectronics	MDMESH™	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW45			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道							650 v	45A（TC）	10V	110MOHM @ 22.5a，10V	5V @ 250µA	134 NC @ 10 V	±30V	3800 PF @ 25 V	-	417W（TC）
stth2003cfp	1.8700	RFQ	28	Stmicroelectronics	-	管子	积极的			通过洞	TO-220-3完整包	Stth2003			标准		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																													1对普通阴极	300 v	10a	1.25 V @ 10 A	35 ns	20 µA @ 300 V	175°c （最大）
T835-600B	1.7000	RFQ	2	Stmicroelectronics	Snubberless™	管子	积极的		-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	T835					DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	75	单身的				35 MA															替代者 -无用	600 v	8 a	1.3 v	80a，84a	35 MA
STL19N60M2	1.3035	RFQ	6010	Stmicroelectronics	MDMESH™M2	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL19			MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™（8x8）HV	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道							600 v	11A（TC）	10V		4V @ 250µA	21.5 NC @ 10 V	±25V	791 PF @ 100 V	-	90W（TC）
stgp3nb60f	-	RFQ	8981	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	stgp3	标准			68 w	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50						480V，3A，10欧姆，15V																													45 ns					-	600 v	6 a	24 a	2.4V @ 15V，3A	125µJ（离）	16 NC	12.5NS/105NS
stps10l60cg-tr	-	RFQ	3893	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STPS10			肖特基		D2PAK	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																													1对普通阴极	60 V	5a	550 mv @ 5 a		220 µA @ 60 V	150°C （最大）
1N5818RL	-	RFQ	2573	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N58			肖特基		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1N5818RST	Ear99	8541.10.0080	5,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																														30 V		500 mv @ 1 A		500 µA @ 30 V	150°C （最大）	1a	-
STP9NK70ZFP	3.3600	RFQ	918	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STP9NK70			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道							700 v	7.5A（TC）	10V	1.2OHM @ 4A，10V	4.5V @ 100µA	68 NC @ 10 V	±30V	1370 pf @ 25 V	-	35W（TC）
stth20004Tv1	31.3300	RFQ	2978	Stmicroelectronics	-	管子	积极的			底盘安装	同位素	Stth20004			标准		isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	10		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																													2独立	400 v	120a	1.2 V @ 100 A	100 ns	100 µA @ 400 V	150°C （最大）
STB33N60M2	4.6400	RFQ	2652	Stmicroelectronics	MDMESH™II Plus	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB33			MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道							600 v	26a（TC）	10V	125MOHM @ 13A，10V	4V @ 250µA	45.5 NC @ 10 V	±25V	1781 PF @ 100 V	-	190w（TC）
ESM6045DV	-	RFQ	9088	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		150°C（TJ）	底盘安装	同位素	ESM6045				250 w	isotop®	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10																																									450 v	84 a							-	npn-达灵顿	1.35V @ 4A，70a	120 @ 70a，5V	-
T1235T-8R	1.2900	RFQ	863	Stmicroelectronics	Snubberless™	管子	积极的		-40°C〜125°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	T1235					TO-220	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-18029	Ear99	8541.30.0080	50	单身的				40 MA															替代者 -无用	800 v	12 a	1.3 v	90a，95a	35 MA
STPS30SM60SR	-	RFQ	1244	Stmicroelectronics	-	管子	过时的			通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	STPS30			肖特基		i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																														60 V		615 mv @ 30 a		135 µA @ 60 V	150°C （最大）	30a	-
STGF30M65DF2	2.8800	RFQ	1	Stmicroelectronics	m	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STGF30	标准			38 w	TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50						400V，30a，10ohm，15V																													140 ns					沟渠场停止	650 v	60 a	120 a	2V @ 15V，30a	（300µJ）（在960µJ上）	80 NC	31.6ns/115ns
STP11NM60FD	5.3000	RFQ	955	Stmicroelectronics	FDMESH™	管子	积极的		-	通过洞	TO-220-3	STP11			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道							600 v	11A（TC）	10V	450MOHM @ 5.5A，10V	5V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±30V	900 pf @ 25 V	-	160W（TC）
STW24N60M2	-	RFQ	3726	Stmicroelectronics	MDMESH™II Plus	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW24			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道							600 v	18A（TC）	10V	190mohm @ 9a，10v	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±25V	1060 pf @ 100 V	-	150W（TC）
STB14N80K5	3.9800	RFQ	7847	Stmicroelectronics	MDMESH™K5	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB14			MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道							800 v	12A（TC）	10V	445MOHM @ 6A，10V	5V @ 100µA	22 NC @ 10 V	±30V	620 pf @ 100 V	-	130W（TC）
MJ2955	-	RFQ	6021	Stmicroelectronics	-	托盘	过时的		200°C（TJ）	底盘安装	TO-204AA，TO-3	MJ29				115 w	TO-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100																																									60 V	15 a							700µA	PNP	3V @ 3.3a，10a	20 @ 4A，4V	-
PD57006	-	RFQ	7254	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	65 v			Powerso-10裸露的底部垫	PD57006		945MHz	ldmos		10-Powerso	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50				1a			70 MA	6W	15DB																					-																		28 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6390）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²