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6390）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	（ih）（IH））	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	triac类型	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（vtm）（VTM）（最大）	（（av）（av））	当前 -关闭状态（最大）	scr	噪音图	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
STP6NK60Z	2.2700	RFQ	3208	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP6NK60		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50			n通道						600 v	6A（TC）	10V	1.2OHM @ 3A，10V	4.5V @ 100µA	46 NC @ 10 V	±30V	905 PF @ 25 V	-	110W（TC）
STW77N65M5	17.7300	RFQ	565	Stmicroelectronics	MDMESH™v	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW77		MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	30			n通道						650 v	69A（TC）	10V	38mohm @ 34.5a，10v	5V @ 250µA	200 NC @ 10 V	25V	9800 PF @ 100 V	-	400W（TC）
P0109AL 5AA4	0.9000	RFQ	2495	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜125°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	P0109				SOT-23-3L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.30.0080	3,000					6 ma															100 v	250 MA	800 mv	6a，7a	1 µA	1.7 v	160 MA	1 µA	敏感门
LET9045C	-	RFQ	3931	Stmicroelectronics	-	托盘	过时的	80 V			M243	LET9045	960MHz	ldmos		M243	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	25				9a		300 MA	59W	17.7dB																					-												28 V
STB14N80K5	3.9800	RFQ	7847	Stmicroelectronics	MDMESH™K5	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	STB14		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道						800 v	12A（TC）	10V	445MOHM @ 6A，10V	5V @ 100µA	22 NC @ 10 V	±30V	620 pf @ 100 V	-	130W（TC）
STD16N60M2	2.0000	RFQ	9521	Stmicroelectronics	MDMESH™M2	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD16		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道						600 v	12A（TC）	10V	320MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±25V	700 pf @ 100 V	-	110W（TC）
STP16NM50N	-	RFQ	9710	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP16N		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道						500 v	15A（TC）	10V	260MOHM @ 7.5A，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±25V	1200 PF @ 50 V	-	125W（TC）
STF16N65M5	3.2500	RFQ	1911	Stmicroelectronics	MDMESH™v	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF16		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50			n通道						650 v	12A（TC）	10V	299MOHM @ 6A，10V	5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±25V	1250 pf @ 100 V	-	25W（TC）
BD138	0.5000	RFQ	11	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD138			1.25 w	SOT-32-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50																																							60 V	1.5 a		100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，2V	-
STPS2545CG	-	RFQ	5960	Stmicroelectronics	-	管子	过时的			表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	STPS2545		肖特基		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																												1对普通阴极	45 v	12.5a	570 mv @ 12.5 A		125 µA @ 45 V	175°c （最大）
STPS160AFN	0.4700	RFQ	6	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	do-221ac，sma平面线索	STPS160		肖特基		Smaflat Notch	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	10,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																													60 V		670 mv @ 1 a		4 µA @ 60 V	150°C	1a	-
STB170NF04	3.7400	RFQ	597	Stmicroelectronics	StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	STB170		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道						40 V	80A（TC）	10V	5mohm @ 40a，10v	4V @ 250µA	170 NC @ 10 V	±20V	9000 PF @ 25 V	-	300W（TC）
STV200N55F3	-	RFQ	2554	Stmicroelectronics	StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	Powerso-10裸露的底部垫	STV200		MOSFET （金属 o化物）		10-Powerso	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	600			n通道						55 v	200a（TC）	10V	2.5MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V	6800 PF @ 25 V	-	300W（TC）
T835T-8T	1.5600	RFQ	3	Stmicroelectronics	Snubberless™	管子	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	T835				TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.30.0080	50	单身的				40 MA														替代者 -无用	800 v	8 a	1.3 v	60a，63a	35 MA
STPS3L40UF	0.6100	RFQ	1	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	DO-221AA，SMB平面线	STPS3		肖特基		Smbflat	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	5,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																													40 V		500 mv @ 3 a		100 µA @ 40 V	150°C （最大）	3a	-
2STN1360	0.5900	RFQ	2	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	2STN1360			1.6 w	SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	1,000																																							60 V	3 a		100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 150mA，3a	160 @ 1A，2V	130MHz
STWA20N95K5	7.9900	RFQ	4694	Stmicroelectronics	SuperMesh5™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STWA20		MOSFET （金属 o化物）		TO-247长铅	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	30			n通道						950 v	17.5A（TC）	10V	330mohm @ 9a，10v	5V @ 100µA	40 NC @ 10 V	±30V	1500 pf @ 100 V	-	250W（TC）
STP8NM60N	-	RFQ	2310	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP8N		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50			n通道						600 v	7A（TC）	10V	650MOHM @ 3.5A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±25V	560 pf @ 50 V	-	70W（TC）
STB20NM50-1	-	RFQ	3848	Stmicroelectronics	MDMESH™	管子	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	STB20N		MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50			n通道						550 v	20A（TC）	10V	250mohm @ 10a，10v	5V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±30V	1480 pf @ 25 V	-	192W（TC）
MJD361T4-A	0.8900	RFQ	2	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MJD36			15 W	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500																																							60 V	3 a		20µA（ICBO）	PNP	900mv @ 150mA，3a	60 @ 1A，4V	-
STY60NK30Z	12.7300	RFQ	380	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	Sty60		MOSFET （金属 o化物）		Max247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	30			n通道						300 v	60a（TC）	10V	45mohm @ 30a，10v	4.5V @ 100µA	220 NC @ 10 V	±30V	7200 PF @ 25 V	-	450W（TC）
STP60NH2LL	-	RFQ	1376	Stmicroelectronics	StripFet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP60N		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50			n通道						24 V	40a（TC）	4.5V，10V	11mohm @ 20a，10v	1V @ 250µA	27 NC @ 4.5 V	±18V	990 pf @ 25 V	-	60W（TC）
2STC5200	-	RFQ	1926年	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	2stc			150 w	TO-264	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	25																																							230 v	15 a		5µA（ICBO）	NPN	3V @ 800mA，8a	80 @ 1A，5V	30MHz
STD20NF20	2.3200	RFQ	4626	Stmicroelectronics	StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD20		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道						200 v	18A（TC）	10V	125mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±20V	940 pf @ 25 V	-	110W（TC）
stth812g	-	RFQ	9798	Stmicroelectronics	-	管子	过时的			表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	Stth812		标准		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																													1200 v		2.2 V @ 8 A	100 ns	8 µA @ 1200 V	175°c （最大）	8a	-
STD18N60M6	2.4400	RFQ	2	Stmicroelectronics	MDMESH™M6	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD18		MOSFET （金属 o化物）		D-pak（TO-252）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道						600 v	13A（TC）	10V	280MOHM @ 6.5a，10V	4.75V @ 250µA	16.8 NC @ 10 V	±25V	650 pf @ 100 V	-	110W（TC）
stth10lcd06cg-tr	-	RFQ	4503	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	stth10		标准		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																												1对普通阴极	600 v	5a	2 V @ 5 A	50 ns	1 µA @ 600 V	175°c （最大）
STI45N10F7	2.3900	RFQ	630	Stmicroelectronics	DeepGate™，diplfet™VII	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	STI45N		MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50			n通道						100 v	45A（TC）	10V	18mohm @ 22.5a，10v	4.5V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	1640 pf @ 50 V	-	60W（TC）
BTA06-800CRG	-	RFQ	6571	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		-40°C〜125°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	BTA06				TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.30.0080	1,000	单身的				50 mA														标准	800 v	6 a	1.3 v	60a，63a	50 mA
STF6N52K3	1.7400	RFQ	979	Stmicroelectronics	SuperMesh3™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF6N		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50			n通道						525 v	5A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.5A，10V	4.5V @ 50µA	26 NC @ 10 V	±30V	670 pf @ 50 V	-	25W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6390）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²