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6390）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	结构	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	（ih）（IH））	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	triac类型	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（vtm）（VTM）（最大）	（（av）（av））	当前 -关闭状态（最大）	scr	噪音图	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	SCR，二极管的数量	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
BYT60P-1000	-	RFQ	8377	Stmicroelectronics	-	管子	过时的			通过洞	SOD-93-2	BYT60		标准			SOD-93	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	300		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																												2独立	1000 v	60a	1.9 V @ 60 A	170 ns	100 µA @ 1000 V	150°C （最大）
P0102DN 5AA4	0.9700	RFQ	7	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜125°C	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	P0102					SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1,000					5 ma															400 v	800 MA	800 mv	7a，8a	200 µA	1.95 v	500 MA	10 µA	敏感门
STB20NM50T4	5.6600	RFQ	4115	Stmicroelectronics	MDMESH™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB20		MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道						550 v	20A（TC）	10V	250mohm @ 10a，10v	5V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±30V	1480 pf @ 25 V	-	192W（TC）
STB11NM60N-1	-	RFQ	4330	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	STB11N		MOSFET （金属 o化物）			i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道						600 v	10A（TC）	10V	450MOHM @ 5A，10V	4V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±25V	850 pf @ 50 V	-	90W（TC）
MJB44H11T4-A	1.3200	RFQ	8796	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	MJB44			50 W		D²Pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000																																						80 V	10 a		10µA	NPN	1V @ 400mA，8a	40 @ 4A，1V	-
STTD6050H-12M2Y	22.6400	RFQ	6159	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	9-PowersMD					桥，单相-scr/二极管（布局1）		下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	200					100 ma															1.2 kV	60 a	1.3 v	500a，525a	50 mA		38 a											2 scr，2个二极管
STD5NM60-1	2.7500	RFQ	87	Stmicroelectronics	MDMESH™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	STD5NM60		MOSFET （金属 o化物）			我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道						600 v	5A（TC）	10V	1欧姆 @ 2.5A，10V	5V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±30V	400 pf @ 25 V	-	96W（TC）
TN5015H-6T	2.1100	RFQ	604	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TN5015					TO-220AB绝缘	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-17607	Ear99	8541.30.0080	50					60 ma															600 v	50 a	1.3 v	493a，450a	15 ma	1.65 v	30 a	10 µA	标准恢复
STF33N60M2	4.6400	RFQ	6158	Stmicroelectronics	MDMESH™II Plus	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF33		MOSFET （金属 o化物）			TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道						600 v	26a（TC）	10V	125MOHM @ 13A，10V	4V @ 250µA	45.5 NC @ 10 V	±25V	1781 PF @ 100 V	-	35W（TC）
STW30NF20	-	RFQ	1037	Stmicroelectronics	StripFet™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	stw30n		MOSFET （金属 o化物）			TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-5989-5	Ear99	8541.29.0095	30			n通道						200 v	30A（TC）	10V	75mohm @ 15a，10v	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	1597 PF @ 25 V	-	125W（TC）
STBV45-AP	0.5100	RFQ	3	Stmicroelectronics	-	（CT）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	STBV45			950兆		TO-92AP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																																						400 v	750 MA		250µA	NPN	1.5V @ 135mA，400mA	5 @ 400mA，5V	-
STL3NM60N	2.4000	RFQ	9	Stmicroelectronics	MDMESH™II	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL3NM60		MOSFET （金属 o化物）			PowerFlat™3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-13351-2	Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道						600 v	650mA（ta），2.2a（2a）TC）	10V	1.8OHM @ 1A，10V	4V @ 250µA	9.5 NC @ 10 V	±25V	188 pf @ 50 V	-	（2W）（22W）（22w（tc）
STB270N4F3	4.6200	RFQ	5	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，StripFet™III	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB270		MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道						40 V	160a（TC）	10V	2.5MOHM @ 80A，10V	4V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	7400 PF @ 25 V	-	330W（TC）
STH265N6F6-2AG	-	RFQ	5012	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，StripFet™F6	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STH265		MOSFET （金属 o化物）			H2PAK-2	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道						60 V	180a（TC）	10V	2.1MOHM @ 60a，10v	4V @ 250µA	183 NC @ 10 V	±20V	11800 PF @ 25 V	-	300W（TC）
STL100N6LF6	3.4300	RFQ	825	Stmicroelectronics	Deepgate™，diplfet™vi	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL100		MOSFET （金属 o化物）			PowerFlat™（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道						60 V	100A（TC）	4.5V，10V	4.5mohm @ 11a，10v	2.5V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	8900 PF @ 25 V	-	4.8W（TC）
stth3006tpi	-	RFQ	4004	Stmicroelectronics	-	管子	过时的			通过洞	前3个绝缘	stth30		标准			TOP-3I	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																												1对系列连接	600 v	30a	3.6 V @ 30 A	45 ns	40 µA @ 600 V	150°C （最大）
BTB08-600SRG	1.7400	RFQ	54	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		-40°C〜125°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	BTB08					TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	50	单身的				15 ma														逻辑 -敏感门	600 v	8 a	1.3 v	80a，84a	10 MA
STP10NK62ZFP	-	RFQ	7863	Stmicroelectronics	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的					STP10						-		（1 （无限）	到达不受影响				1,000
STD18NF03L	0.9000	RFQ	4	Stmicroelectronics	StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD18		MOSFET （金属 o化物）			DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道						30 V	17a（TC）	5V，10V	50mohm @ 8.5a，10v	2.2V @ 250µA	6.5 NC @ 5 V	±16V	320 pf @ 25 V	-	30W（TC）
stth1002cgy-tr	1.5600	RFQ	570	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	stth1002		标准			D²Pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																												1对普通阴极	200 v	8a	1.1 V @ 5 A	25 ns	5 µA @ 200 V	-40°C〜175°C
STPS10H100CT	1.4700	RFQ	426	Stmicroelectronics	-	管子	积极的			通过洞	TO-220-3	STPS10		肖特基			TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																												1对普通阴极	100 v	5a	730 MV @ 5 A		3.5 µA @ 100 V	175°c （最大）
STF57N65M5	11.1200	RFQ	5157	Stmicroelectronics	MDMESH™v	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF57		MOSFET （金属 o化物）			TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道						650 v	42A（TC）	10V	63mohm @ 21a，10v	5V @ 250µA	98 NC @ 10 V	±25V	4200 PF @ 100 V	-	40W（TC）
BU931	-	RFQ	3983	Stmicroelectronics	-	大部分	过时的		200°C（TJ）	底盘安装	TO-204AA，TO-3	BU931			175 w		TO-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100																																						400 v	15 a		100µA	npn-达灵顿	1.8V @ 250mA，10a	300 @ 5A，10V	-
STB34N50DM2AG	6.1200	RFQ	1237	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，MDMESH™DM2	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB34		MOSFET （金属 o化物）			d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道						500 v	26a（TC）	10V	120mohm @ 12.5a，10v	5V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±25V	1850 pf @ 100 V	-	190w（TC）
STPS15SM80CR	-	RFQ	8734	Stmicroelectronics	-	管子	过时的			通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	STPS15		肖特基			i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																												1对普通阴极	80 V	7.5a	780 mv @ 7.5 A		20 µA @ 80 V	175°c （最大）
Bul903ed	-	RFQ	8378	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Bul903			70 W		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																																						400 v	5 a		1ma	NPN	1V @ 150mA，1a	20 @ 500mA，3V	-
BD677	0.5400	RFQ	2750	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD677			40 W		SOT-32-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-5714	Ear99	8541.29.0095	50																																						60 V	4 a		500µA	npn-达灵顿	2.5V @ 30mA，1.5a	750 @ 1.5A，3V	-
STW88N65M5-4	17.7800	RFQ	600	Stmicroelectronics	MDMESH™M5	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	STW88		MOSFET （金属 o化物）			TO-247-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道						650 v	84A（TC）	10V	29mohm @ 42a，10v	5V @ 250µA	204 NC @ 10 V	±25V	8825 PF @ 100 V	-	450W（TC）
STAC4932B	117.9750	RFQ	7106	Stmicroelectronics	-	托盘	积极的	200 v			STAC244B	STAC4932	123MHz	MOSFET			STAC244B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-10703	Ear99	8541.29.0095	20	n通道			-		500 MA	1000W	26dB																					-											100 v
STW70N10F4	-	RFQ	6911	Stmicroelectronics	DeepGate™，diveFet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW70N		MOSFET （金属 o化物）			TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-8797-5	Ear99	8541.29.0095	30			n通道						100 v	65A（TC）	10V	19.5mohm @ 30a，10v	4V @ 250µA	85 NC @ 10 V	±20V	5800 pf @ 25 V	-	150W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6390）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²