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6390）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	（ih）（IH））	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	triac类型	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	噪音图	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
stth10r04b	-	RFQ	5287	Stmicroelectronics	-	管子	过时的			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		stth10			标准		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	75		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																													400 v		1.7 V @ 10 A	40 ns	10 µA @ 400 V	175°c （最大）	10a	-
STH52N10LF3-2AG	-	RFQ	9734	Stmicroelectronics	StripFet™F3	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		STH52			MOSFET （金属 o化物）		H2PAK-2	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道										100 v	52A（TC）	5V，10V	20mohm @ 26a，10v	2.5V @ 250µA	18.5 NC @ 5 V	±20V	1900 PF @ 400 V	-	110W（TC）
STL24N65M2	1.5922	RFQ	4995	Stmicroelectronics	MDMESH™M2	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		STL24			MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™（8x8）HV	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道										650 v	14A（TC）	10V	250MOHM @ 7A，10V	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±25V	1060 pf @ 100 V	-	125W（TC）
TXDV1212RG	3.4100	RFQ	1	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		-40°C〜125°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		TXDV1212					TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	50	单身的				100 ma																		标准	1.2 kV	12 a	1.5 v	120a，125a	100 ma
STF12N60M2	1.7600	RFQ	1	Stmicroelectronics	MDMESH™M2	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		STF12			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-16012-5	Ear99	8541.29.0095	50			n通道										600 v	9A（TC）	10V	450MOHM @ 4.5A，10V	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±25V	538 pf @ 100 V	-	25W（TC）
SCT011H75G3AG	-	RFQ	4052	Stmicroelectronics	*	（CT）	积极的						SCT011H						下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000
PD85035A-E	-	RFQ	6288	Stmicroelectronics	-	管子	积极的	40 V			Powerso-10rf 暴露底部垫（ 2个形成的导线）		PD85035		870MHz	ldmos		Powerso-10rf （形成的铅）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50				8a			350 MA	35W	15DB〜17DB																				-																		13.6 v
STS3C2F100	-	RFQ	9169	Stmicroelectronics	StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		STS3C2			MOSFET （金属 o化物）	2W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道												100V	3a		145MOHM @ 1.5A，10V	2V @ 250µA	20NC @ 10V		460pf @ 25V	逻辑级别门
STGP8NC60KD	1.5300	RFQ	4580	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		STGP8	标准			65 w	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50						390V，3A，10欧姆，15V																												23.5 ns					-	600 v	15 a	30 a	2.75V @ 15V，3A	（55µJ）（在），85µJ（85µJ）中	19 nc	17ns/72ns
STL28N60DM2	2.2424	RFQ	8075	Stmicroelectronics	MDMESH™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装			STL28			MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™（8x8）HV	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道										600 v	21a（TC）	10V	175mohm @ 10.5a，10v	5V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±25V	1500 pf @ 100 V	-	140W（TC）
BAS69-06WFILM	-	RFQ	1432	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SC-70，SOT-323		BAS69			肖特基		SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																												1对公共阳极	15 v	10mA（DC）	570 mv @ 10 mA		230 na @ 15 V	150°C （最大）
STF18N65M5	-	RFQ	1871年	Stmicroelectronics	MDMESH™v	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		STF18			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道										650 v	15A（TC）	10V	220MOHM @ 7.5A，10V	5V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±25V	1240 pf @ 100 V	-	25W（TC）
stth2r02q	-	RFQ	7449	Stmicroelectronics	-	（TB）	过时的			通过洞	do-204ac，do-15，轴向		stth2r			标准		do-15	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																													200 v		1 V @ 2 A	30 ns	3 µA @ 200 V	175°c （最大）	2a	-
STPS5L60S	0.9100	RFQ	65	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	DO-214AB，SMC		STPS5			肖特基		SMC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																													60 V		520 mv @ 5 a		220 µA @ 60 V	150°C （最大）	5a	-
stth802cfp	-	RFQ	3802	Stmicroelectronics	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-3完整包		stth802			标准		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																												1对普通阴极	200 v	4a	1.1 V @ 4 A	20 ns	4 µA @ 200 V	175°c （最大）
STL5N80K5	0.8730	RFQ	3666	Stmicroelectronics	MDMESH™K5	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		STL5N80			MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™（5x6）VHV	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道										800 v	3A（TC）	10V	1.75OHM @ 2A，10V	5V @ 100µA	5 NC @ 10 V	±30V	177 PF @ 100 V	-	38W（TC）
Sty139n65m5	35.9200	RFQ	3878	Stmicroelectronics	MDMESH™v	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		Sty139			MOSFET （金属 o化物）		Max247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-13043-5	Ear99	8541.29.0095	30			n通道										650 v	130a（TC）	10V	17mohm @ 65a，10v	5V @ 250µA	363 NC @ 10 V	±25V	15600 PF @ 100 V	-	625W（TC）
STW60N65M5	11.3600	RFQ	577	Stmicroelectronics	MDMESH™v	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		stw60n			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道										650 v	46A（TC）	10V	59MOHM @ 23A，10V	5V @ 250µA	139 NC @ 10 V	±25V	6810 PF @ 100 V	-	255W（TC）
STPS80170CW	6.5100	RFQ	9776	Stmicroelectronics	-	管子	积极的			通过洞	TO-247-3		STPS80170			肖特基		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-4815-5	Ear99	8541.10.0080	30		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																												1对普通阴极	170 v	40a	840 mv @ 40 a		80 µA @ 170 V	175°c （最大）
BAT30F4	0.4100	RFQ	240	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	0201（0603公制）		BAT30			肖特基		0201	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	15,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																													30 V		310 MV @ 10 mA		50 µA @ 30 V	-30°C 〜85°C	300mA	-
STGIPQ3H60-HLS	7.4069	RFQ	7118	Stmicroelectronics	Sllimm™	管子	积极的			通过洞	26-PowerDip 模块（ 0.573英寸，14.50mm）	IGBT	STGIPQ3						下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	360	3相逆变器									3 a	600 v	1500vrms
STB33N65M2	4.2600	RFQ	1	Stmicroelectronics	MDMESH™M2	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		STB33			MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道										650 v	24A（TC）	10V	140mohm @ 12a，10v	4V @ 250µA	41.5 NC @ 10 V	±25V	1790 pf @ 100 V	-	190w（TC）
L6221CD013TR	-	RFQ	9505	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	20-SOIC （0.295英寸，7.50mm宽度）		L6221				-	20-so	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000																																								60V	1.2a							-	4 npn darlington（四Quad）	-	-	-
STS05DTP03	-	RFQ	2257	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		STS05				2W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500																																								30V	5a							1µA	NPN，PNP	700MV @ 250mA，5a	100 @ 1A，2V	-
STGB19NC60KT4	2.7800	RFQ	2	Stmicroelectronics	PowerMesh™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		STGB19	标准			125 w	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000						480V，12a，10ohm，15V																																	-	600 v	35 a	75 a	2.75V @ 15V，12A	165µJ（在）上，255µJ（OFF）	55 NC	30ns/105ns
STS8DN6LF6AG	1.7200	RFQ	3261	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，StripFet™F6	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		STS8DN6			MOSFET （金属 o化物）	3.2W	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）												60V	8a（8a）		24mohm @ 4A，10V	2.5V @ 250µA	27nc @ 10V		1340pf @ 25V	逻辑级别门
STTA806G	-	RFQ	5138	Stmicroelectronics	TurboSwitch™	管子	过时的			表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		STTA806			标准		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																													600 v		1.75 V @ 8 A	52 ns	100 µA @ 600 V	150°C （最大）	8a	-
Stu11N65M2	1.7400	RFQ	814	Stmicroelectronics	MDMESH™II Plus	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		Stu11			MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道										650 v	7A（TC）	10V	670MOHM @ 3.5A，10V	4V @ 250µA	12.5 NC @ 10 V	±25V	410 pf @ 100 V	-	85W（TC）
STPS20SM80CT	-	RFQ	8132	Stmicroelectronics	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-3		STPS20			肖特基		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																												1对普通阴极	80 V	10a	780 mv @ 10 a		25 µA @ 80 V	175°c （最大）
STD1802T4	0.8200	RFQ	2	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		STD1802				15 W	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500																																								60 V	3 a							100NA（ICBO）	NPN	400mv @ 150mA，3a	200 @ 100mA，2V	150MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6390）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²