SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 类型 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet (ih)(IH)) 测试条件 当前的 电压 电压 -隔离 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() triac类型 电压 -偏离状态 ((rms)(rms)(最大) (VGT)(VGT)(最大) 当前-nonrep。Suger50,60Hz(iTSM) (IGT)(IGT)(最大) 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f IGBT类型 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电流 -icm) (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic 切换能量 门充电 TD (开/关) @ 25°C 当前 -收集器截止(最大) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡
STFH12N105K5 STMicroelectronics STFH12N105K5 2.5549
RFQ
ECAD 5300 0.00000000 Stmicroelectronics - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 STFH12 MOSFET (金属 o化物) TO-220FP - rohs3符合条件 到达不受影响 497-STFH12N105K5 Ear99 8541.29.0095 920 n通道 1050 v 8A(TC) 10V 1欧姆 @ 4A,10V 5V @ 100µA 18.4 NC @ 10 V ±30V 559 pf @ 100 V - 29W(TC)
STTA1206D STMicroelectronics stta1206d -
RFQ
ECAD 5775 0.00000000 Stmicroelectronics TurboSwitch™ 管子 过时的 通过洞 TO-220-2 STTA120 标准 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.75 V @ 12 A 55 ns 100 µA @ 600 V 150°C (最大) 12a -
STTH30L06GY-TR STMicroelectronics stth30l06gy-tr 3.4700
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Stmicroelectronics 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB stth30 标准 D²Pak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.55 V @ 30 A 90 ns 25 µA @ 600 V -40°C〜175°C 30a -
STTH5R06DJF-TR STMicroelectronics stth5r06djf-tr 2.0100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 8-Powervdfn stth5 标准 PowerFlat™(5x6) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 2 V @ 5 A 55 ns 60 µA @ 600 V 175°c (最大) 5a -
STBV32-AP STMicroelectronics stbv32-ap -
RFQ
ECAD 4014 0.00000000 Stmicroelectronics - (CT) 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) STBV32 1.5 w TO-92AP - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,000 400 v 1.5 a 1ma NPN 1.5V @ 500mA,1.5a 5 @ 1A,2V -
DTV1500HDFP STMicroelectronics DTV1500HDFP -
RFQ
ECAD 1451 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 通过洞 TO-220-2完整包 DTV1500 标准 TO-220FPAC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 497-4200-5 Ear99 8541.10.0080 1,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1500 v 1.6 V @ 6 A 1 µs 100 µA @ 1500 V 175°c (最大) 6a -
STN1NK80Z STMicroelectronics STN1NK80Z 1.2600
RFQ
ECAD 6011 0.00000000 Stmicroelectronics SuperMesh™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-261-4,TO-261AA STN1NK80 MOSFET (金属 o化物) SOT-223 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 n通道 800 v 250mA(tc) 10V 16ohm @ 500mA,10v 4.5V @ 50µA 7.7 NC @ 10 V ±30V 160 pf @ 25 V - 2.5W(TC)
STY145N65M5 STMicroelectronics Sty145N65M5 45.2700
RFQ
ECAD 474 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™v 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 Sty145 MOSFET (金属 o化物) Max247™ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 497-13638-5 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 650 v 138a(TC) 10V 15mohm @ 69a,10v 5V @ 250µA 414 NC @ 10 V ±25V 18500 PF @ 100 V - 625W(TC)
STPS360AFY STMicroelectronics STPS360AFY 0.4300
RFQ
ECAD 18 0.00000000 Stmicroelectronics 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SOD-128 STPS360 肖特基 SOD128FLAT 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 60 V 610 MV @ 3 A 150 µA @ 60 V -40°C〜175°C 3a -
STTH3010GY-TR STMicroelectronics stth3010gy-tr 3.0700
RFQ
ECAD 4997 0.00000000 Stmicroelectronics 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB Stth3010 标准 D²Pak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1000 v 2 V @ 30 A 100 ns 15 µA @ 1000 V -40°C〜175°C 30a -
STP21NM50N STMicroelectronics STP21NM50N -
RFQ
ECAD 9573 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™II 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 STP21N MOSFET (金属 o化物) TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 497-4820-5 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 500 v 18A(TC) 10V 190mohm @ 9a,10v 4V @ 250µA 65 NC @ 10 V ±25V 1950 pf @ 25 V - 140W(TC)
L604C STMicroelectronics L604C -
RFQ
ECAD 3347 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 -25°C〜150°C(TJ) - L604 1.8W 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 20 90V 400mA - 8 npn达灵顿 2V @ 500µA,300mA - -
STPS3L40SY STMicroelectronics STPS3L40SY 1.0400
RFQ
ECAD 52 0.00000000 Stmicroelectronics Q汽车 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214AB,SMC STPS3 肖特基 SMC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 40 V 500 mv @ 3 a 100 µA @ 40 V -40°C〜150°C 3a -
STTH8L06DIRG STMicroelectronics stth8l06dirg -
RFQ
ECAD 1920年 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 通过洞 TO-220-2绝缘,TO-220AC stth8l06 标准 TO-220AC INS 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 497-4418-5 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.3 V @ 8 A 105 ns 8 µA @ 600 V 175°c (最大) 8a -
STGIPS20C60T-H STMicroelectronics STGIPS20C60T-H -
RFQ
ECAD 8890 0.00000000 Stmicroelectronics Sllimm™ 管子 过时的 通过洞 25-PowerDip 模块( 0.993英寸,25.23毫米) IGBT STGIPS20 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 11 3期 20 a 600 v 2500vrms
STD80N3LL STMicroelectronics STD80N3LL 0.9500
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 STD80 MOSFET (金属 o化物) D-pak(TO-252) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 80A(TC) 4.5V,10V 5.2MOHM @ 40a,10v 2.5V @ 250µA 18 nc @ 4.5 V ±20V 1640 pf @ 25 V - 75W(TC)
STTH1506DPI STMicroelectronics stth1506dpi 6.6400
RFQ
ECAD 5924 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 积极的 通过洞 dop3i-2 绝缘(直线) Stth1506 标准 dop3i 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 3.6 V @ 15 A 35 ns 20 µA @ 600 V 150°C (最大) 15a -
STPS30H100CW STMicroelectronics STPS30H100CW 2.4500
RFQ
ECAD 931 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 STPS30 肖特基 TO-247-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 15a 800 mv @ 15 A 5 µA @ 100 V -40°C〜175°C
Z0103NN5AA4 STMicroelectronics Z0103NN5AA4 0.6600
RFQ
ECAD 23 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 TO-261-4,TO-261AA Z0103 SOT-223 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 1,000 单身的 7 ma 逻辑 -敏感门 800 v 1 a 1.3 v 8a,8.5a 3 ma
STTH1L06A STMicroelectronics stth1l06a 0.4500
RFQ
ECAD 147 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-214ac,SMA stth1 标准 SMA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.3 V @ 1 A 80 ns 1 µA @ 600 V 175°c (最大) 1a -
STPS1L20MF STMicroelectronics STPS1L20MF 0.6900
RFQ
ECAD 21 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-222aa STPS1 肖特基 stmite平坦 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 12,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 20 v 430 MV @ 1 A 75 µA @ 20 V 150°C (最大) 1a -
STGW40H65DFB STMicroelectronics STGW40H65DFB 4.2900
RFQ
ECAD 7118 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 STGW40 标准 283 w TO-247 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 497-14365 Ear99 8541.29.0095 30 400V,40a,5ohm,15V 62 ns 沟渠场停止 650 v 80 a 160 a 2V @ 15V,40a (498µJ)(在363µJ上) 210 NC 40NS/142NS
STGWA60NC60WDR STMicroelectronics STGWA60NC60WDR 7.9700
RFQ
ECAD 436 0.00000000 Stmicroelectronics PowerMesh™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 STGWA60 标准 340 w TO-247长铅 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 390V,40a,10ohm,15V 42 ns - 600 v 130 a 250 a 2.6V @ 15V,40a (743µJ)(在560µJ上) 195 NC 40NS/240NS
STGB20NB37LZ STMicroelectronics STGB20NB37Lz -
RFQ
ECAD 6857 0.00000000 Stmicroelectronics PowerMesh™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB STGB20 标准 200 w D2PAK 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 250V,20A,1KOHM,4.5V - 425 v 40 a 80 a 2V @ 4.5V,20a 11.8MJ() 51 NC 2.3µs/2µs
STP7NB60 STMicroelectronics STP7NB60 -
RFQ
ECAD 1040 0.00000000 Stmicroelectronics PowerMesh™ 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 MOSFET (金属 o化物) TO-220 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 497-2761-5 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 7.2A(TC) 10V 1.2OHM @ 3.6A,10V 5V @ 250µA 45 NC @ 10 V ±30V 1625 PF @ 25 V - 125W(TC)
STPS5L60SF STMicroelectronics STPS5L60SF 0.6300
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Stmicroelectronics Ecopack®2 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-277,3-PowerDfn STPS5 肖特基 TO-277A(SMPC) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 6,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 60 V 470 µA @ 60 V 150°C (最大) 5a -
STF16N65M2 STMicroelectronics STF16N65M2 2.5300
RFQ
ECAD 5089 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™M2 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 STF16 MOSFET (金属 o化物) TO-220FP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 11A(TC) 10V 360MOHM @ 5.5A,10V 4V @ 250µA 19.5 NC @ 10 V ±25V 718 PF @ 100 V - 25W(TC)
BTB16-600BWRG STMicroelectronics BTB16-600BWRG 1.8800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Stmicroelectronics Snubberless™ 管子 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 BTB16 TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 50 单身的 50 mA 替代者 -无用 600 v 16 a 1.3 v 160a,168a 50 mA
T635T-8T STMicroelectronics T635T-8T 1.4400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics Snubberless™ 管子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 T635 TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 50 单身的 40 MA 替代者 -无用 800 v 6 a 1.3 v 45a,47a 35 MA
STF13N65M2 STMicroelectronics STF13N65M2 2.0400
RFQ
ECAD 866 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™M2 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 STF13 MOSFET (金属 o化物) TO-220FP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 10A(TC) 10V 430MOHM @ 5A,10V 4V @ 250µA 17 NC @ 10 V ±25V 590 pf @ 100 V - 25W(TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库