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6390）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	获得	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	triac类型	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
STB28N65M2	3.7000	RFQ	3347	Stmicroelectronics	MDMESH™M2	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		STB28	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道						650 v	20A（TC）	10V	180mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±25V	1440 pf @ 100 V	-	170W（TC）
STK822	-	RFQ	9342	Stmicroelectronics	StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	Polarpak®		STK8	MOSFET （金属 o化物）		Polarpak®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道						25 v	38a（ta）	4.5V，10V	2.15Mohm @ 19a，10v	2.5V @ 250µA	33 NC @ 4.5 V	±16V	6060 pf @ 25 V	-	5.2W（ta）
STP36N55M5	7.3000	RFQ	25	Stmicroelectronics	MDMESH™v	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		stp36n	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道						550 v	33A（TC）	10V	80MOHM @ 16.5a，10V	5V @ 250µA	62 NC @ 10 V	±25V	2670 pf @ 100 V	-	190w（TC）
STF7N52K3	1.7300	RFQ	977	Stmicroelectronics	SuperMesh3™	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		STF7N	MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道						525 v	6A（TC）	10V	850MOHM @ 3A，10V	4.5V @ 50µA	33 NC @ 10 V	±30V	870 pf @ 100 V	-	25W（TC）
STPSC10H065D	4.2700	RFQ	9575	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		通过洞	TO-220-2		STPSC10	SIC （碳化硅）		TO-220AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		没有恢复t> 500mA（IO）																								650 v		1.75 V @ 10 A	0 ns	100 µA @ 650 V	-40°C〜175°C	10a	480pf @ 0v，1MHz
STPS20170CFP	3.7300	RFQ	9315	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		通过洞	TO-220-3完整包		STPS20170	肖特基		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																							1对普通阴极	170 v	10a	900 mv @ 10 a		15 µA @ 170 V	175°c （最大）
2STN2550	-	RFQ	5221	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		2stn		1.6 w	SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000																																		50 V	5 a	100NA（ICBO）	PNP	550mv @ 300mA，3a	110 @ 2a，2v	-
BD535	-	RFQ	4016	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		BD535		50 W	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																																		60 V	8 a	100µA	NPN	800mv @ 600mA，6a	25 @ 2a，2v	-
STW12NK80Z	6.2200	RFQ	4790	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		STW12	MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道						800 v	10.5A（TC）	10V	750MOHM @ 5.25A，10V	4.5V @ 100µA	87 NC @ 10 V	±30V	2620 PF @ 25 V	-	190w（TC）
STSJ100NHS3LL	-	RFQ	4534	Stmicroelectronics	StripFet™III	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		STSJ100N	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道						30 V	100A（TC）	4.5V，10V	4.2MOHM @ 10a，10v	2.5V @ 1mA	35 NC @ 4.5 V	±16V	4200 PF @ 25 V	-	（3W）（70w（ta）（TC）
STD2HNK60Z-1	1.5000	RFQ	3	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		STD2HNK60	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道						600 v	2A（TC）	10V	4.8OHM @ 1A，10V	4.5V @ 50µA	15 NC @ 10 V	±30V	280 pf @ 25 V	-	45W（TC）
STF24NM60N	3.4300	RFQ	4089	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		STF24	MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-11868-5	Ear99	8541.29.0095	50			n通道						600 v	17a（TC）	10V	190MOHM @ 8A，10V	4V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±30V	1400 pf @ 50 V	-	30W（TC）
Ferd30l60cts	1.6700	RFQ	1572年	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		通过洞	TO-220-3		Ferd30	（ferd （现场效应整流器二极管）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-17694	Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																							1对普通阴极	60 V	15a	545 mv @ 15 A		820 µA @ 60 V	150°C （最大）
stth2002g	-	RFQ	9383	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		stth2	标准		D2PAK	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																								200 v		1.1 V @ 20 A	40 ns	10 µA @ 200 V	175°c （最大）	20a	-
STPS3H100AF	0.5900	RFQ	38	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOD-128		STPS3	肖特基		SOD128FLAT	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																								100 v		760 mv @ 3 a		1.5 µA @ 100 V	-40°C〜175°C	3a	-
SD1433	-	RFQ	4293	Stmicroelectronics	-	大部分	过时的	200°C（TJ）	底盘，螺柱坐骑	M122		SD1433		58W	M122	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	40					7db																													16V	2.5a		NPN		10 @ 1A，5V	-	-
STFW40N60M2	6.4100	RFQ	9	Stmicroelectronics	MDMESH™II Plus	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3		STFW40	MOSFET （金属 o化物）		to-3pf	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-15538-5	Ear99	8541.29.0095	30			n通道						600 v	34A（TC）	10V	88mohm @ 17a，10v	4V @ 250µA	57 NC @ 10 V	±25V	2500 PF @ 100 V	-	63W（TC）
STGIK50CH65T	54.2700	RFQ	6318	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		通过洞	30-PowerDip模块	IGBT					下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	497-STGIK50CH65T	Ear99	8542.39.0001	9	3相逆变器					50 a	650 v	2500vrms
STD7NK30Z	-	RFQ	1288	Stmicroelectronics	SuperMesh™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		STD7	MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道						300 v	5A（TC）	10V	900mohm @ 2.5a，10v	4.5V @ 50µA	13 NC @ 10 V	±30V	380 pf @ 25 V	-	50W（TC）
ST13003	-	RFQ	6739	Stmicroelectronics	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3		ST13003		40 W	SOT-32-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000																																		400 v	1.5 a	1ma	NPN	1.5V @ 500mA，1.5a	5 @ 1A，2V	-
STPS20SM120SFP	-	RFQ	9483	Stmicroelectronics	Ecopack®2	管子	过时的		通过洞	TO-220-3完整包		STPS20	肖特基		TO-220FPAB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																								120 v		890 mv @ 20 a		210 µA @ 120 V	150°C （最大）	20a	-
STB45N65M5	8.9200	RFQ	5	Stmicroelectronics	MDMESH™v	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		STB45	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道						650 v	35A（TC）	10V	78mohm @ 19.5a，10v	5V @ 250µA	91 NC @ 10 V	±25V	3375 PF @ 100 V	-	210W（TC）
STW48N60M6-4	6.2926	RFQ	8344	Stmicroelectronics	MDMESH™M6	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-4		STW48	MOSFET （金属 o化物）		TO-247-4	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	600			n通道						600 v	39A（TC）	10V	69mohm @ 19.5a，10v	4.75V @ 250µA	57 NC @ 10 V	±25V	2578 PF @ 100 V	-	250W（TC）
STWA68N60M6	11.4800	RFQ	53	Stmicroelectronics	MDMESH™M6	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		STWA68	MOSFET （金属 o化物）		TO-247长铅	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道						600 v	63A（TC）	10V	41MOHM @ 31.5A，10V	4.75V @ 250µA	106 NC @ 10 V	±25V	4360 pf @ 100 V	-	390W（TC）
Z0109NN 5AA4	0.9200	RFQ	3	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		Z0109			SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1,000	单身的			10 MA															逻辑 -敏感门	800 v	1 a	1.3 v	8a，8.5a	10 MA
Bul89	3.1000	RFQ	523	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		Bul89		110 w	TO-220	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																																		400 v	12 a	100µA	NPN	5V @ 2.4a，12a	10 @ 5A，5V	-
ST1802HI	-	RFQ	8782	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	ISOWATT-218-3		ST1802		50 W	Isowatt-218	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	300																																		600 v	10 a	1ma	NPN	5V @ 800mA，4a	4 @ 5A，5V	-
STB10LN80K5	3.1600	RFQ	102	Stmicroelectronics	MDMESH™K5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		STB10	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道						800 v	8A（TC）	10V	630MOHM @ 4A，10V	5V @ 100µA	15 NC @ 10 V	±30V	427 PF @ 100 V	-	110W（TC）
BYT12PI-1000RG	-	RFQ	9016	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		通过洞	TO-220-2隔离选项卡		BYT12	标准		TO220AC隔离	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-4810-5	Ear99	8541.10.0080	1,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																								1000 v		1.9 V @ 12 A	155 ns	50 µA @ 1000 V	-40°C〜150°C	12a	-
STP8NS25	-	RFQ	1903年	Stmicroelectronics	网格覆盖™	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		STP8N	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道						250 v	8A（TC）	10V	450MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	51.8 NC @ 10 V	±20V	770 pf @ 25 V	-	80W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6390）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²