SIC
close
参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 类型 基本产品编号 输入类型 频率 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet (amp) (ih)(IH)) 测试条件 当前 -测试 功率 -输出 获得 当前的 电压 电压 -隔离 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() triac类型 电压 -偏离状态 ((rms)(rms)(最大) (VGT)(VGT)(最大) 当前-nonrep。Suger50,60Hz(iTSM) (IGT)(IGT)(最大) 噪音图 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f IGBT类型 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电流 -icm) (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic 切换能量 门充电 TD (开/关) @ 25°C 电压 -测试 当前 -收集器截止(最大) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡
STD2LN60K3 STMicroelectronics STD2LN60K3 0.9000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectronics SuperMesh3™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 STD2LN60 MOSFET (金属 o化物) DPAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 600 v 2A(TC) 10V 4.5OHM @ 1A,10V 4.5V @ 50µA 12 nc @ 10 V ±30V 235 pf @ 50 V - 45W(TC)
STP33N60DM2 STMicroelectronics STP33N60DM2 5.2100
RFQ
ECAD 7950 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™DM2 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 stp33 MOSFET (金属 o化物) TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 497-16352-5 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 24A(TC) 10V 130mohm @ 12a,10v 5V @ 250µA 43 NC @ 10 V ±25V 1870 pf @ 100 V - 190w(TC)
STP10NK60ZFP STMicroelectronics STP10NK60ZFP 3.5400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics SuperMesh™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 STP10 MOSFET (金属 o化物) TO-220FP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 10A(TC) 10V 750MOHM @ 4.5A,10V 4.5V @ 250µA 70 NC @ 10 V ±30V 1370 pf @ 25 V - 35W(TC)
STIB1560DM2T-LZ STMicroelectronics STIB1560DM2T-LZ 14.6345
RFQ
ECAD 4464 0.00000000 Stmicroelectronics Sllimm -第二 大部分 积极的 通过洞 26-PowerDip 模块(1.146英寸,29.10mm) MOSFET STIB1560 - rohs3符合条件 到达不受影响 497-StIB1560DM2T-LZ Ear99 8542.39.0001 156 3相逆变器 17 a 600 v 1500vrms
STTH110A STMicroelectronics stth110a 0.5800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-214ac,SMA stth110 标准 SMA(do-214ac) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1000 v 1.7 V @ 1 A 75 ns 10 µA @ 1000 V 175°c (最大) 1a -
STP6N80K5 STMicroelectronics STP6N80K5 1.2119
RFQ
ECAD 2264 0.00000000 Stmicroelectronics SuperMesh5™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 STP6N80 MOSFET (金属 o化物) TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 497-15018-5 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 800 v 4.5A(TC) 10V 1.6OHM @ 2A,10V 5V @ 100µA 7.5 NC @ 10 V 30V 255 pf @ 100 V - 85W(TC)
STD15N65M5 STMicroelectronics STD15N65M5 5.0500
RFQ
ECAD 5074 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™v 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 STD15 MOSFET (金属 o化物) DPAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 650 v 11A(TC) 10V 340MOHM @ 5.5A,10V 5V @ 250µA 22 NC @ 10 V ±25V 816 pf @ 100 V - 85W(TC)
STP30N65M5 STMicroelectronics STP30N65M5 6.6600
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™v 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 STP30 MOSFET (金属 o化物) TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 22a(TC) 10V 139mohm @ 11a,10v 5V @ 250µA 64 NC @ 10 V ±25V 2880 pf @ 100 V - 140W(TC)
STD90NS3LLH7 STMicroelectronics STD90NS3LLH7 -
RFQ
ECAD 9992 0.00000000 Stmicroelectronics StripFet™H7 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 STD90 MOSFET (金属 o化物) DPAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 80A(TC) 4.5V,10V 3.4mohm @ 40a,10v 1.2V @ 1mA 13.7 NC @ 4.5 V ±20V 2110 PF @ 25 V ((() 57W(TC)
STTH30RQ06WY STMicroelectronics stth30rq06wy 3.0300
RFQ
ECAD 8307 0.00000000 Stmicroelectronics 汽车,AEC-Q101 管子 积极的 通过洞 DO-247-2 (直线直线) stth30 标准 DO-247 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 497-17593 Ear99 8541.10.0080 600 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 2.95 V @ 30 A 55 ns 40 µA @ 600 V -40°C〜175°C 30a -
STH240N10F7-6 STMicroelectronics STH240N10F7-6 4.5400
RFQ
ECAD 3421 0.00000000 Stmicroelectronics StripFet™F7 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-7,D²Pak(6 +选项卡) STH240 MOSFET (金属 o化物) H2PAK-6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 497-15312-2 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 100 v 180a(TC) 10V 2.5MOHM @ 60a,10v 4.5V @ 250µA 160 NC @ 10 V ±20V 11550 PF @ 25 V - 300W(TC)
STF36N60M6 STMicroelectronics STF36N60M6 6.3400
RFQ
ECAD 6727 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™M6 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 STF36 MOSFET (金属 o化物) TO-220FP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 600 v 30A(TC) 10V 99mohm @ 15a,10v 4.75V @ 250µA 44.3 NC @ 10 V ±25V 1960 pf @ 100 V - 40W(TC)
STGI25N36LZAG STMicroelectronics STGI25N36LZAG 1.1903
RFQ
ECAD 3260 0.00000000 Stmicroelectronics 汽车,AEC-Q101 大部分 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA STGI25 逻辑 150 w i2pak((TO-262) - rohs3符合条件 到达不受影响 497-STGI25N36LZAG Ear99 8541.29.0095 1,000 - - 350 v 25 a 50 a 1.25V @ 4V,6A - 25.7 NC 1.1μs/7.4µs
STTH10LCD06SB-TR STMicroelectronics stth10lcd06sb-tr -
RFQ
ECAD 3922 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 stth10 标准 DPAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 2 V @ 10 A 50 ns 5 µA @ 600 V 175°c (最大) 10a -
STP42N60M2-EP STMicroelectronics STP42N60M2-EP 6.9200
RFQ
ECAD 9226 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™M2-EP 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 STP42 MOSFET (金属 o化物) TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 34A(TC) 10V 87mohm @ 17a,10v 4.75V @ 250µA 55 NC @ 10 V ±25V 2370 pf @ 100 V - 250W(TC)
STE250NS10 STMicroelectronics Ste250NS10 -
RFQ
ECAD 8645 0.00000000 Stmicroelectronics StripFet™ 管子 过时的 150°C(TJ) 底盘安装 同位素 Ste250 MOSFET (金属 o化物) isotop® 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 100 v 220A(TC) 10V 5.5MOHM @ 125A,10V 4V @ 250µA 900 NC @ 10 V ±20V 31000 PF @ 25 V - 500W(TC)
STPS20100CT STMicroelectronics STPS20100CT 1.8200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 STPS20100 肖特基 TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 497-12289 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 10a 950 mv @ 20 a 150 µA @ 100 V 175°c (最大)
STTH1512D STMicroelectronics stth1512d -
RFQ
ECAD 4327 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 通过洞 TO-220-2 stth1512 标准 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 497-5151-5 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1200 v 2.1 V @ 15 A 105 ns 15 µA @ 1200 V 175°c (最大) 15a -
T630-600W STMicroelectronics T630-600W -
RFQ
ECAD 1275 0.00000000 Stmicroelectronics Snubberless™ 管子 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 通过洞 ISOWATT220AB-3 T630 ISOWATT220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 50 单身的 50 mA 替代者 -无用 600 v 6 a 1.3 v 80a,84a 30 ma
BUL128FP STMicroelectronics Bul128fp -
RFQ
ECAD 5799 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 Bul128 31 W TO-220FP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 400 v 4 a 100µA NPN 500MV @ 1A,4A 14 @ 2a,5v -
STB13005-1 STMicroelectronics STB13005-1 1.0400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA STB13005 75 w i2pak((TO-262) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 400 v 4 a 1ma NPN 1V @ 1A,4A 8 @ 2a,5v -
STP14NK60ZFP STMicroelectronics STP14NK60ZFP 4.6700
RFQ
ECAD 8255 0.00000000 Stmicroelectronics SuperMesh™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 STP14 MOSFET (金属 o化物) TO-220FP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 13.5A(TC) 10V 500mohm @ 6a,10v 4.5V @ 100µA 75 NC @ 10 V ±30V 2220 PF @ 25 V - 40W(TC)
ST93003 STMicroelectronics ST93003 -
RFQ
ECAD 4657 0.00000000 Stmicroelectronics - 过时的 - 通过洞 TO-225AA,TO-126-3 ST93 40 W SOT-32-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 400 v 1.5 a 1ma PNP 500mv @ 100mA,500mA 16 @ 350mA,5V -
STT13005FP STMicroelectronics stt13005fp 0.9200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectronics - 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-225AA,TO-126-3 STT13 30 W SOT-32FP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 400 v 2 a 250µA NPN 1.5V @ 400mA,1.6a 10 @ 500mA,5V -
Z0410MH STMicroelectronics Z0410MH 0.6000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics Ecopack2 管子 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 通过洞 TO-251-3,IPAK,TO-251AA 我帕克 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 497-Z0410MH Ear99 8541.30.0080 75 单身的 25 ma 标准 600 v 4 a 1.3 v 15a,16a 25 ma
STP24N65M2 STMicroelectronics STP24N65M2 -
RFQ
ECAD 4368 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™M2 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 STP24N MOSFET (金属 o化物) TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 16A(TC) 10V 230MOHM @ 8A,10V 4V @ 250µA 29 NC @ 10 V ±25V 1060 pf @ 100 V - 150W(TC)
ST83003 STMicroelectronics ST83003 -
RFQ
ECAD 6622 0.00000000 Stmicroelectronics - 大部分 过时的 - 通过洞 TO-225AA,TO-126-3 ST83 40 W SOT-32-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 400 v 1.5 a 1ma NPN 500mv @ 100mA,500mA 16 @ 350mA,5V -
STTH30R04G STMicroelectronics stth30r04g 2.9000
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB stth30 标准 D2PAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.45 V @ 30 A 100 ns 15 µA @ 400 V -40°C〜175°C 30a -
ST1510FX STMicroelectronics ST1510FX 3.1400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 ISOWATT218FX ST1510 62 W ISOWATT-218FX 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 750 v 12 a 200µA NPN 2V @ 1.5a,6a 6.5 @ 6a,5v -
PD54003-E STMicroelectronics PD54003-E 8.0223
RFQ
ECAD 3284 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 积极的 25 v Powerso-10裸露的底部垫 PD54003 500MHz ldmos 10-Powerso 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 4a 50 mA 3W 12DB - 7.5 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库